Site Loader

Содержание

Цоколёвки полевых транзисторов.

У полевых транзисторов, выполненных по технологии МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) или MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor) расположение выводов (цоколевка) Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными (datasheet), которые можно найти в инете (например на сайте alldatasheet.com).

Рассмотрим основные типы корпусов и цоколевку полевых транзисторов импортного производства:

1) Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3 (встречается в основном на «пожилых» платах, на современных используется редко).

 

2)Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3(используется наиболее часто, представляет собой уменьшенный D²PAK).

 

3)Корпус типа SO-8 (встречается на материнских платах ПК и видеокартах, внутри может скрываться один или два полевых транзистора).

 

4)Корпус типа SuperSO-8, он же — TDSON-8 (отличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим, корпус характерен для продуктов фирмы Infineon и легко заменяется на аналог в корпусе SO-8).

 

5)Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3 (полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой, этот тип транзисторов очень часто использует фирма Intel на ряде своих плат).

 

Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные берутся из Datasheet — официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. (Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF). Ниже показаны примеры цоколевок MOSFET-транзисторов:

  • на рис. 1 — uPA2724UT1A,

  • на рис. 2 — TexasInstrumentsMOSFETCSD16321Q5C,

  • на рис. 3 — LowRDS(on) мосфеты K03В7 и K0393 (RJK0393DPA),

  • на рис. 4 — MOSFET-транзисторы NTMFS4834N,

  • на рис. 5 — VishaySiliconixDualN-Channel 30-V (D-S) MOSFET (withSchottkyDiode) Si4370DY.

 

Рис. 1. MOSFET-транзисторы uPA2724UT1A

 

Рис. 2. Texas Instruments MOSFET CSD16321Q5C

 

Рис. 3. LowRDS(on) мосфеты K03В7 и K0393 (RJK0393DPA)

 

Рис. 4. MOSFET-транзисторы NTMFS4834N

 Рис. 5. Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET (with Schottky Diode) Si4370DY

Полевые транзисторы КП303, характеристики, цоколевка, аналоги, параметры, даташит, маркировка, справочник, схема

Полевые транзисторы КП303 – малой мощности с p-n переходом и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты (КП303Д, КП303Е) и низкой (КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И) частоты с высоким входным сопротивлением. Транзистор КП303Г в основном предназначен для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г.

Зарубежный аналог КП303

  • Во многих случаях можно заменить на BF245
Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Корпусное исполнение и цоколевка КП303

Характеристики транзисторов КП303

Предельные параметры КП303

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора (Pmax) при Т = 25° C:

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 200 мВт

Максимально допустимое напряжение сток-исток (UСИ max):

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 25 В

Максимально допустимое напряжение затвор-сток (UЗС max):

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 30 В

Максимально допустимое напряжение затвор-исток (UЗИ max):

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 30 В

Максимально допустимый постоянный ток стока (IС max):

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 20 мА

Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 85 ° C

Напряжение отсечки полевого транзистора (UЗИ отс):

  • КП303А — 0,5-3 В
  • КП303Б — 0,5-3 В
  • КП303В — 1-4 В
  • КП303Г — 8 В
  • КП303Д — 8 В
  • КП303Е — 8 В
  • КП303Ж — 0,3-3 В
  • КП303И — 0,5-2 В
Электрические характеристики транзисторов КП303 при Т
= 25oС

Ток утечки затвора (IЗут) при UЗИ = 10 В

  • КП303А — 1 нА
  • КП303Б — 1 нА
  • КП303В — 1 нА
  • КП303Г — 0,1 нА
  • КП303Д — 1 нА
  • КП303Е — 1 нА
  • КП303Ж — 5 нА
  • КП303И — 5 нА

Крутизна характеристики полевого транзистора (S) при UСИ = 10 В

  • КП303А — 1-4 мА/В
  • КП303Б — 1-4 мА/В
  • КП303В — 2-5 мА/В
  • КП303Г — 3-7 мА/В
  • КП303Д — 2,6 мА/В
  • КП303Е — 4 мА/В
  • КП303Ж — 1-4 мА/В
  • КП303И — 2-6 мА/В

Начальный ток стока (IС нач)

  • КП303А — 0,5-2,5 мА
  • КП303Б — 0,5-2,5 мА мА
  • КП303В — 1,5-5 мА
  • КП303Г — 3-12 мА
  • КП303Д — 3-9 мА
  • КП303Е — 5-20 мА
  • КП303Ж — 0,3-3 мА
  • КП303И — 1,5-5 мА

Входная емкость полевого транзистора (С11И)

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 6 пФ

Проходная емкость полевого транзистора (С12И)

  • КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И —
    2 пФ

Коэффициент шума полевого транзистора (КШ)

  • КП303Д, КП303Е — 4 дБ

Опубликовано 18. 02.2020

Оптовая 13002 транзистор цоколевка и компоненты для схем

О продукте и поставщиках:

Просмотрите множество предложений и найдите оптом 13002 транзистор цоколевка биполярные транзисторы, транзисторы JFET и многое другое. Покупайте электронные компоненты у международных поставщиков. Транзисторы функционируют как привратники для схемы, пропуская только определенные токи. Они используют полярность, чтобы останавливать, усиливать или контролировать поток электронов. Они имеют конфигурацию PNP или NPN. Эти сокращения относятся к заряду каждого из их основных компонентов: коллектора, базы и эмиттера. Некоторые примеры транзисторов NPN включают 2N3904, 2N2222 и BC547, которые могут действовать как усилители. Транзистор 2N3906 является примером транзистора PNP, который также может действовать как усилитель.

Существует множество различных типов классификации для 13002 транзистор цоколевка . Что касается общего использования, транзистор может действовать как переключатель, усилитель или генератор. Когда дело доходит до режима транспортировки электронов, есть биполярный переходной транзистор, или сокращенно BJT, и полевой транзистор, также известный как униполярный или полевой транзистор. Первый может использовать как электроны, так и электронные дырки для переноса заряда, а второй использует только один из этих методов. Некоторые примеры полевых транзисторов включают компоненты транзисторов HEMT и MOSFET. Эти 13002 транзистор цоколевка не используют конфигурацию PNP NPN типа транзистора BJT. Все типы транзисторных компонентов имеют допустимые значения тока и напряжения, при которых они могут работать.

На Alibaba.com вы можете связаться с международными поставщиками. Найдите оптовые 13002 транзистор цоколевка , например 2sc5200, 2n6292, 2n7000 и многие другие. Просмотрите предложения, проверьте спецификации и запаситесь электронными компонентами международного производства.

Транзистор irf3205 параметры | Практическая электроника

Благодаря большой токовой способности и низкому сопротивлению канала транзистор IRF3205 часто используется в качестве силовых ключей в автомобильных электронных устройства и там где нужно коммутировать относительно большие токи при небольших напряжениях.

Транзистор IRF3205 цоколевка

Цоколевка стандартная как и у большинства силовых транзисторов:

IRF3205 параметры

  • Тип — N-канальный MOSFET с обратным диодом
  • Тип корпуса — TO-220AB (SOT78)
  • Диапазон рабочих температур -55..+175°C

Максимальное напряжение сток-исток Uси = 55 В, позволяет транзистору IRF3205 работать в преобразователях напряжения питающихся от 12, 24 и 36 В, то есть во всех автомобильных применениях, в источниках бесперебойного питания и много ещё где.
При этом обещают сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. = 8 мОм (0,008 Ом) и максимальный ток сток-исток при температуре 25°С: Iси макс.= 110 А. Вот только цифра 110 А, это лишь маркетинговый ход — это ток самого кристалла, а вот проволочка которой припаян контакт истока на кристале к выводу выдержит лишь 75 А. Это ограничение называют ограничением по максимальному току корпуса.

  • Время включения = 14 нс,
  • Время выключения = 50 нс,
  • Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В,
  • Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. = 200 Вт,
  • Крутизна характеристики S = 44,
  • Пороговое напряжение на затворе 2…4 В,
  • Ток утечки затвора < 0,1 uA,
  • Ток утечки стока (закр.) < 25uA.

IRF3205 аналоги

Сам по себе транзистор IRF3205 (судя по даташитам) выпускался с 2001 и заслужил справедливую популярность и вот в 2011 выпустили обновленную версию с индексом «Z». Причем новая серия содержит три типа в разных корпусах:

  • IRF3205Z — TO-220AB
  • IRF3205ZS — D2Pak (поверхностный монтаж)
  • IRF3205ZL — TO-262 (для пайки стока к охладителю)

IRF3205Z обладает пониженным сопротивленим канала в открытом состоянии Rси вкл. = 6,5 мОм (0,0065 Ом), улучшенными временными характеристиками.

IRF3205 и IRF3205Z можно купить на ибее, первые от 3 долларов за десяток, вторые от 6,5 долларов. Разница в цене больше чем в два раза. Покупайте электронные компоненты из Китая только у проверенных продавцов и проверяйте их перед использованием.

Транзистор HEXFET-тысячи полевых транзисторов в одном. | Электронные схемы

транзистор irf3205

транзистор irf3205

При просмотре данных-даташиты на силовые полевые MOSFET транзисторы,можно увидеть аббревиатуру»HEXFET».

hexfet mosfet irf3205

hexfet mosfet irf3205

На мосфет полевой транзистор К2038 этой надписи нет,а на транзистор кп901 и подавно.

Все эти транзисторы-полевые,МОП или МДП транзисторы с изолированным затвором.Сопротивление открытого канала-Rds у КП901 составляет около 7Ом,у К2038 1.8Ом,у транзистора irf3205-всего 8мОм.

полевые транзисторы МОП или МДП кп901 и k2038

полевые транзисторы МОП или МДП кп901 и k2038

Ток стока irf3205 составляет 110А.

Rds-сопротивление открытого канала исток-сток.От этой характеристики зависит нагрев полевого транзистора,и с нагревом сопротивление будет увеличиваться и изменяться характеристики.Чем меньше сопротивление Rds,тем меньше сопротивления будет оказывать транзистор току,тем будет меньше нагрев корпуса транзистора.

Полевые транзисторы фирмы IRF(международный выпрямитель,так называется фирма),типа irf3205 изготовлены по технологии HEXFET.Внутри этих транзисторов находятся тысячи полевых транзисторов в шестиугольнике-гексагон.Они соединены так,что сопротивление Rds уменьшено а ток стока на некоторые транзисторы достигает более ста Ампер.

Эта технология разделена на семейства.Семейство»3″-это транзисторы повышенной стойкости,больше значения dv/dt,лучше характеристики переключения,лучше безопасность работы при переходных процессах,больше рабочая температура-до 175С.Устойчивость к лавинному пробою может быть многократна.При использовании транзистора HEXFET 3 можно удалить из схемы компоненты фиксации напряжения,например из схем импульсных блоков питания,где ограничивают напряжение,возникающее при выключении,когда быстрое изменение тока вместе с индуктивностью трансформатора создают условия лавинного пробоя транзистора.

2N3819 N-канальный полевой транзистор JFET, техническое описание, пример схемы, характеристики Он работает в режиме истощения и требует обратного смещения для выключения. Он предназначен для средних и высоких частот. Кроме того, он имеет высокий коэффициент усиления для широкополосных частот и имеет важное значение в системах на основе ОВЧ/УВЧ. Это слабосигнальное устройство, способное к быстрому переключению, усилению сигнала и микшированию в приложениях с низким уровнем шума.

В этом учебном пособии будут обсуждаться его распиновка, конфигурация, функции, спецификации, примеры схем, 2D-модель и ее приложения.

Распиновка 2N3819

Ниже приведена распиновка N-канального полевого транзистора 2N3819:

Этот эпитаксиальный кремниевый транзистор имеет три контакта. Крайний левый контакт — это исток, а крайний правый с номером 3 — сток. Средний штифт служит затвором JFET.

PIN-код конфигурации

PIN-код конфигурации в таблице указано ниже:

номер
PIN-код функции
1 Source Source Pin
2 2 Gate PIN ворот
3
3 Drint Сливный штифт

Особенности и технические характеристики

  • Напряжение для слива (VDS): 25 Volts
  • Vdg): 25 В
  • Напряжение затвор-исток (Vds): 25 В
  • Рассеиваемая мощность: 350 мВт
  • Ток стока: 100 мА
  • Напряжение отсечки затвор-исток (Vds=15 В, Ig=10 нА0 Вольт
  • Напряжение пробоя затвор-исток (Vds=0 В, Ig=1,0 мкА) : 25 В
  • Нулевое напряжение затвора Ток стока (15 Вольт, Vgs=0 Вольт) : 2,0 – 20 мА
  • Частота отсечки (Vds=15 Volts,Vgs=0) : 700 MHz

Наиболее важным моментом здесь является то, что он может обеспечить ток стока только 100 мА. Следовательно, вы должны использовать его в качестве переключателя только тогда, когда требуемый ток стока меньше 100 мА.

Для получения дополнительной информации о технических деталях и характеристиках слабого сигнала см. техническое описание 2N3819 .Ссылка на даташит внизу статьи.

2N3819 Альтернативные варианты

Где использовать 2N3819?

Этот N-канальный JFET можно использовать только для переключения нижнего плеча. Поскольку N-канальные полевые транзисторы используются только для управления цепями питания нижнего плеча. Но если вы хотите управлять нагрузкой верхнего плеча, вы можете использовать любой другой полевой транзистор с P-каналом. Еще один важный момент, на который следует обратить внимание, это то, что ток стока 2N3819 JFET составляет 100 мА. Следовательно, он будет использоваться для приложений, которым требуется ток стока менее 100 мА.

2N3819 Примеры схем

В этом разделе будут обсуждаться схемы на N-канальном полевом транзисторе 2N3819.

N-канальный JFET в качестве коммутатора

На следующей схеме показан пример 2N3819 JFET в качестве коммутатора. Вольтметр постоянного тока подключается между клеммой Drain и Sourcr для измерения напряжения на клемме Drain.

  • Когда на клемму затвора N-канального полевого транзистора подается нулевое напряжение, полевой транзистор работает в режиме насыщения и действует как замкнутая цепь, и на клемме стока появляется почти нулевое напряжение, как вы можете видеть на вольтметре постоянного тока.
  • Аналогичным образом, когда на клемму Gate N-канального JFET подается достаточное отрицательное напряжение, полевой транзистор работает в области отсечки и действует как разомкнутая цепь, а источник входного напряжения (+25 В) появляется на клемме Drain, как вы можете видеть. на вольтметре постоянного тока.

Схема детектора поля 2N3819

Схема детектора поля переменного тока показана выше:

 Это поясняет работу N-канального JFET 2N3819 в качестве детектора поля. Терминал истока транзистора подключен к источнику питания 6-12 Вольт для подачи напряжения на микросхему таймера 555.Микросхема дополнительно соединена со светодиодом, который загорается при включении таймера, и зуммером, который издает звук при обнаружении сигнала. Антенна подключена к затвору 2N3819 для обнаружения поля переменного тока. Всякий раз, когда антенна обнаруживает заряд или волну, она индуцирует напряжение и передает его на клемму затвора. Изменение напряжения на затворе изменяет I D и активирует микросхему таймера. В результате светодиод начинает мигать, показывая активацию микросхемы, а зуммер издает звук, указывающий на то, что антенна обнаружила заряд.

Аудиомикшер 2N3819

Аудиомикшер — это устройство, используемое для усиления и микширования аудиосигналов для получения различных звуков и улучшения качества звука. Схема аудиомикшера показана на следующем рисунке:

Транзисторный затвор соединен с двумя входными аудиоканалами, за которыми следуют разделительные конденсаторы и переменные резисторы. N-канальные JFET имеют высокий коэффициент усиления. Работа микшера аналогична работе усилителя, за исключением части переменных резисторов. При подаче входных сигналов изменяется напряжение затвора, изменяется ток стока, что, в свою очередь, изменяет падение напряжения на нагрузочном резисторе, выполняя усиление звукового сигнала.

Переменные резисторы играют роль в микшировании аудио. Изменяя сопротивления, мы можем контролировать вклад каждого входного канала в выходной смешанный и усиленный сигнал. Это приводит к различным уровням звуков. Выход соединен с конденсатором, так что результирующий сигнал является сигналом высокого качества.

Applications

  • Низкое шумовые приложения
  • Модуляция сигналов
  • широкополосных усилительных систем
  • VHF / UHF-смесители
  • системы высокоскоростных систем переключения
  • RF приема и передача

2D диаграмма

На следующем рисунке показаны 2д модель N-канального полевого транзистора 2N3819. Он показывает нам физические размеры компонентов, необходимых при разработке печатной платы.

Техническое описание

Ссылка на техническое описание приведена ниже, чтобы увидеть более подробную информацию и технические характеристики N-канального полевого транзистора 2N3819.

Связанные транзисторы:

MPF102 N Channel JFET: распиновка, техническое описание, эквивалент [видео]

MPF102 JFET — это популярный N-канальный JFET , который обычно используется в маломощных схемах усилителей . JFET больше не производится, и его может быть трудно найти. Поэтому они не рекомендуются для новых конструкций.

Начальные эксперименты с MPF102 JFET


Каталог


MPF102 Общее описание

MPF102 — это полевой транзистор JFET , который благодаря своей низкой цене использовался во многих схемах усиления. В настоящее время JFET больше не производится, но пока спрос на него не привел к появлению на рынке множества клонов. Ближайшим эквивалентом NTE457 является J113 FET .

 

Полевые транзисторы-клоны , представленные на рынке, не соответствуют техническим характеристикам. Так что будьте осторожны, какой из них используется в ваших проектах. При условии, что у вас есть подходящий полевой транзистор, его можно использовать в схеме предусилителя для достижения усиления +12 дБ или выше. Если вы не можете найти поставщика, подумайте о переходе на NTE457 , так как это немного дорого, но доступность не будет проблемой.


MPF102 Распиновка

 

Номер контакта Штифт Имя Описание
1 Слив Ток поступает через дренажный контакт
2 Источник Управляет смещением полевого транзистора
3 Ворота Ток вытекает через Drain, обычно соединенный с землей.

 


MPF102 Характеристики

  • N-канальный полевой транзистор общего назначения

  • Напряжение сток-исток (VDS) 25 В

  • Максимальный ток стока: 20 мА

  • Напряжение Drain-Gate (VDG) 25В

  • Напряжение затвор-исток (VGS) составляет -7,5 В

  • Ток затвора (IG) составляет 10 мА

  • Доступен в пакете To-92


MPF102 Эквиваленты

NTE457 , J113


Как использовать MPF102 JFET

Считается, что JEFT находится в состоянии по умолчанию, и даже если один затвор не предусмотрен (0 В), JFET позволит току течь от стока к истоку.Чтобы превысить JEFT, на контакт затвора должно быть подано отрицательное напряжение затвора, для MPF102 оно обычно должно быть -7,5 В.

MPF102 Схемы

На двух приведенных выше изображениях показано, как настроить нагрузку (светодиод) с использованием полевого транзистора JFET, такого как MPF102 . Когда вывод затвора заземлен, JFET позволяет току течь от стока к истоку, и светодиод включается. При использовании -7,5 В на выводе затвора JFET блокирует ток между выводами Drain и Source и выключает светодиод.


MPF102 Применение

  • Схемы усилителя

  • Приложения для предусилителей

  • Аудио шумоподавление

 


Пакет MPF102

Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, следующее изображение из MPF102   Технического описания будет полезно, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.


Спецификация компонентов


Часто задаваемые вопросы

  • Почему MPF102 JFET не производится?

Не рекомендуется для новых конструкций

 

  • Какой ближайший аналог NTE457?

ДЖ113 ФЭТ

 

  • Что нужно нанести на штифт затвора, чтобы покрыть JEFT?

Отрицательное напряжение затвора

 

  • Что позволит току течь от стока к истоку?

JFET

IRF3205 MOSFET: распиновка, эквивалент, техническое описание [видео]

IRF3205 — сильноточный N-канальный MOSFET , который может коммутировать токи до 110 А и 55 В. Его легко найти в комплекте TO-220AB. Этот чип в основном используется в потребительских приложениях полного моста, а также для динамического рейтинга dv/dt.

 

В сегодняшнем блоге мы представим вам подробное введение в IRF3205 и постараемся охватить все аспекты этого устройства, включая его распиновку, функции, параметры, эквиваленты, приложения и так далее.

В этом видео простым способом показано, как IRF3205 работает в схеме.


Каталог


IRF3205 Обзор

IRF3205 — сильноточный N-канальный полевой МОП-транзистор, способный переключать токи до 110 А и 55 В.Особенность МОП-транзистора заключается в том, что он имеет очень низкое сопротивление, всего 8,0 мОм, что делает его подходящим для коммутационных цепей, таких как инверторы, регуляторы скорости двигателя, преобразователи постоянного тока и т. д. Это также один из легкодоступных и дешевых МОП-транзисторов с низкое сопротивление во включенном состоянии.

 

Так что, если вы ищете полевой МОП-транзистор для использования в вашей схеме переключения, который работает ниже 55 В и менее 110 А, вы можете рассмотреть возможность использования IRF3205. Обратите внимание, что IRF3205 имеет высокое пороговое напряжение и, следовательно, не идеален для управления включением/выключением со встроенными контроллерами.Вы можете попробовать IRF540N для этой цели.


IRF3205 Распиновка

 

Номер контакта Название контакта Описание
1 Ворота Управляет смещением MOSFET
2 Слив Ток поступает через сток
3 Источник Ток течет через источник

IRF3205 Характеристики

  • N-канальный силовой МОП-транзистор

  • Непрерывный ток стока (ID) составляет 110 А, когда VGS составляет 10 В

  • Минимальное пороговое напряжение затвора 2 В

  • Напряжение пробоя сток-исток: 55 В

  • Низкое сопротивление включению 8. 0 мОм

  • Напряжение затвор-исток (VGS) составляет ±20 В

  • Время нарастания 101 нс

  • Обычно используется со схемами переключения питания

  • Доступен в комплектации То-220


IRF3205 Параметры

Параметры IRF3205
ID (@25°C)   макс. 110.0 А
Крепление ТГТ
Ptot   max 150,0 Вт
Упаковка К-220
Полярность Н
QG (тип. при 10 В) 97,3 нКл
Кгд 36,0 нКл
RDS (вкл) (при 10 В)   макс. 8. 0 мОм
RthJC   макс. 1,0 К/Вт
Tj   макс. 175,0 °С
VDS   макс. 55,0 В
ВГС(й)   мин  макс 3,0 В 2,0 В 4,0 В
VGS   макс. 20,0 В

IRF3205 Преимущества

  • Плоскоячеистая структура для широкой SOA

  • Оптимизирован для максимально широкой доступности от партнеров-дистрибьюторов

  • Квалификация продукта в соответствии со стандартом JEDEC

  • Кремний, оптимизированный для приложений, переключающихся ниже <100 кГц

  • Блок питания со сквозным отверстием отраслевого стандарта

  • Пакет для передачи больших токов (до 195 А, в зависимости от размера кристалла)

  • Возможность пайки волной припоя


IRF3205 Альтернативы

Альтернативы IRF3205 : IRF1405, IRF1407, IRF3305, IRFZ44N, IRFB3077, IRFB4110

Другие N-канальные МОП-транзисторы: IRF540N, 2N7000, FDV301N


IRF3205 Эквиваленты

Номер детали Описание Производитель

СТП80НЕ06-10

ТРАНЗИСТОРЫ

80А, 60В, 0. 01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN STMicroelectronics

HUF75344P3

ТРАНЗИСТОРЫ

N-Channel UltraFET® Power MOSFET 55 В, 75 А, 8 мОм, TO-220, ЛИТОЙ, 3 ВЫВОДА, JEDEC VARIATION AB, 800/RAIL Корпорация Fairchild Semiconductor

HUF75339P3

ТРАНЗИСТОРЫ

Мощный полевой транзистор, 70А I(D), 55В, 0.012 Ом, 1-элементный, N-канальный, кремниевый, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB Харрис Полупроводник

IRF3205

ТРАНЗИСТОРЫ

Мощный полевой транзистор, 75 А I(D), 55 В, 0,008 Ом, 1-элементный, N-канальный, кремниевый, металлооксидно-полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB, TO-220AB, 3 контакта Международный выпрямитель

МТР75Н05ХД

ТРАНЗИСТОРЫ

Мощный полевой транзистор, 75А I(D), 50В, 0. 0095 Ом, 1-элементный, N-канальный, кремниевый, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB, Продукция Motorola Semiconductor

ФКП70Н10

ТРАНЗИСТОРЫ

Силовой МОП-транзистор, N-канальный, QFET®, 100 В, 57 А, 23 мОм, TO-220, 1000-TUBE ПО Полупроводник

МТР75Н06ХД

ТРАНЗИСТОРЫ

Мощный полевой транзистор, 75А I(D), 60В, 0.01 Ом, 1-элементный, N-канальный, кремниевый, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB, Продукция Motorola Semiconductor

HUF75344P3_NL

ТРАНЗИСТОРЫ

75 А, 55 В, 0,008 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN ООО «Рочестер Электроникс»

IRF3205PBF

ТРАНЗИСТОРЫ

Мощный полевой транзистор, 75А I(D), 55В, 0. 008 Ом, 1-элементный, N-канальный, кремниевый, металлооксидно-полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB, БЕССВИНЦОВЫЙ, В ПЛАСТИКОВОМ УПАКОВКЕ-3 Международный выпрямитель

IRF3205Z

ТРАНЗИСТОРЫ

Мощный полевой транзистор, 75 А I(D), 55 В, 0,0065 Ом, 1-элементный, N-канальный, кремниевый, металлооксидно-полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB, TO-220AB, 3 контакта Международный выпрямитель

IRF3205 Приложения

  • Переключение приложений

  • Повышающие преобразователи

  • Измельчители

  • Солнечные инверторы

  • Контроль скорости


IRF3205 Пакет


Спецификация компонента


Часто задаваемые вопросы

IRF3205 — N-канальный HEXFET. HEXFET — это мощный полевой МОП-транзистор, который легко найти в корпусе TO-220AB. Диапазон рабочего напряжения этого пакета составляет 55 вольт и 110 вольт. Этот чип в основном используется в потребительских приложениях полного моста, а также для динамического рейтинга dv/dt.

В общем, MOSFET работает как переключатель, MOSFET регулирует напряжение и ток между истоком и стоком. Работа MOSFET зависит от МОП-конденсатора, который представляет собой полупроводниковую поверхность под оксидными слоями между выводами истока и стока.

  • Как проверить МОП-транзистор?

1) Держите MosFet за корпус или выступ, но не прикасайтесь к металлическим частям тестовых щупов любыми другими клеммами MosFet до тех пор, пока это не понадобится. 2) Сначала прикоснитесь положительным проводом измерителя к «Gate» MosFet . 3) Теперь переместите положительный щуп на «Слив». Вы должны получить «низкое» чтение.

  • Чем мосфет лучше транзистора?

Это связано с тем, что MOSFET работает быстрее, потому что в нем используется оксид металла независимо от бита, основанного на комбинации электронных отверстий. mosfet потребляет гораздо меньше энергии при переключении на высокой частоте из-за более высокой скорости переключения.

 

Заказ и качество

Фото Произв. Деталь № Компания Описание Пакет ПДФ Кол-во Цены
(долл. США)
АУИРФ3205 Компания:Infineon Technologies Пакет:ТО-220-3
Спецификация
В наличии:Под заказ
Купить
Цена:
1+: 2 доллара. 81000
10+: 2,52900 $
25+: 2,38560 $
100+: 1,86070 $
500+: 1,57444 $
1000+: 1,33588 $
2500+: 1,31680 $
5000+: 1 доллар.22138
9000+: 1,17367 $
Купить
АУИРФ3205З Компания:Infineon Technologies Пакет:ТО-220-3
Спецификация
В наличии:Под заказ
Купить
Цена:
1+: 2 доллара. 38000
10+: 2,13500 $
25+: 2,01400 $
100+: 1,57090 $
500+: 1,32924 $
1000+: 1,12784 $
2500+: 1,11173 $
5000+: 1 доллар.03117
9000+: $0,99089
Купить
АУИРФ3205ЗС Компания: International Rectifier Упаковка: TO-263-3, D²Pak (2 отвода + вкладка), TO-263AB
Спецификация
В наличии:Под заказ
Купить
Цена: Купить
АУИРФ3205ЗС Компания:Infineon Technologies Упаковка: TO-263-3, D²Pak (2 отвода + вкладка), TO-263AB
Спецификация
В наличии:Под заказ
Запрос
Цена: Расследование
АУИРФ3205ЗСТРЛ Компания:Infineon Technologies Упаковка: TO-263-3, D²Pak (2 отвода + вкладка), TO-263AB
Спецификация
В наличии:Под заказ
Купить
Цена:
800+: 1 доллар. 60380
1600+: 1,36080 $
2400+: 1,34136 $
5600+: 1,24416 $
20000+: 1,19556 $
1+: 2,87000 $
10+: 2,57600 $
25+: 2 доллара.43000
100+: 1,89540 $
Купить
ИРФ3205Л Компания:Infineon Technologies Комплект: длинные выводы TO-262-3, I²Pak, TO-262AA
Спецификация
В наличии:Под заказ
Купить
Цена: Купить
ИРФ3205ЛПБФ Компания:Infineon Technologies Пакет:ТО-262
Спецификация
В наличии:1941
Запрос
Цена:
1+: 1 доллар. 25000
10+: 1,11500 $
25+: 1,05840 $
100+: 0,79380 $
500+: $0,67284
1000+: 0,54810 $
2500+: 0,54054 $
5000+: $0.49140
9000+: $0,46872
Расследование
ИРФ3205ПБФ Компания:Infineon Technologies Пакет:TO-220AB
Спецификация
В наличии:Под заказ
Запрос
Цена:
1+: 1 доллар. 21000
10+: 1,07900 $
25+: 1,02440 $
100+: $0,76840
500+: $0,65130
1000+: $0,53056
2500+: $0,52324
5000+: $0.47567
9000+: 0,45372 $
Расследование
ИРФ3205СПБФ Компания:Infineon Technologies Упаковка: TO-263-3, D²Pak (2 отвода + вкладка), TO-263AB
Спецификация
В наличии:Под заказ
Купить
Цена: Купить
ИРФ3205STRLPBF Компания:Infineon Technologies Пакет:D2PAK
Спецификация
В наличии:Под заказ
Запрос
Цена:
800+: $0. 82500
1600+: 0,70000 $
2400+: $0,69000
5600+: $0,64000
20000+: $0,61500
Расследование

IRF730 N-Channel MOSFET Спецификация, схема выводов, характеристики, аналоги и области применения

Привет друзья! Надеюсь, ты сегодня в порядке.Я приветствую вас на борту. Сегодня в этом посте я расскажу вам о введении в IRF730.

IRF730 представляет собой n-канальный МОП-транзистор, в котором основными носителями заряда являются электроны, а проводимость в транзисторе осуществляется за счет движения этих электронов. Он поставляется в корпусе TO-220, где напряжение пробоя сток-исток составляет 400 В, а рассеиваемая мощность — 100 Вт.

Я предлагаю вам прочитать этот пост до конца, так как я буду обсуждать полное введение в IRF730, включая техническое описание, распиновку, функции, номинальную мощность, эквиваленты и приложения.

Давайте сразу приступим.

Знакомство с IRF730
  • IRF730 — это n-канальный полевой МОП-транзистор, который в основном используется для переключения и усиления в электрических цепях.
  • MOSFET расшифровывается как полевой транзистор на основе оксида металла и кремния, также известный как полевой транзистор с изолированным затвором IGFET, который создается путем контролируемого окисления полупроводникового материала, такого как кремний.
  • МОП-транзистор IRF730 представляет собой трехвыводное устройство, состоящее из затвора (G), стока (D) и истока (S).Ток между двумя выводами стока и истока регулируется напряжением, приложенным к выводу затвора. Штифт затвора действует как регулирующий клапан, через который контролируется проводимость тока между двумя терминалами.
  • IRF730 — это n-канальный MOSFET, в котором основными носителями заряда являются электроны, а проводимость тока обусловлена ​​движением этих электронов, в отличие от p-канального MOSFET, в котором проводимость осуществляется за счет движения дырок.
  • Основной строительный элемент современной электроники, полевой МОП-транзистор представлен в 1959 году в Bell Labs Мохемедом М. Аталлой и Дон Канг.МОП-транзисторы созданы для преодоления ограничений полевых транзисторов, таких как умеренное входное сопротивление, высокое сопротивление стока и более медленная работа.
  • Этот N-канальный полевой МОП-транзистор является устройством, управляемым напряжением, в отличие от BJT (транзистора с биполярным переходом), которые являются устройствами, управляемыми током.
  • В MOSFET ток начинает течь между выводами стока и истока, когда мы подаем напряжение на контакт затвора.
  • N-канальные МОП-транзисторы обычно называют NMOS. И символ для n-канального МОП-транзистора приведен ниже.

  • МОП-транзисторы сравниваются с биполярными транзисторами с точки зрения малых потерь и высокой скорости работы.
  • Они делятся на два типа в зависимости от полярности, т. е. n-типа и p-типа, и далее делятся на два типа, т. е. тип расширения, нормально выключенный, когда напряжение на клемме затвора равен нулю, и тип истощения, когда нормально включен.
  • Тип усиления популярен и обычно предпочтительнее полевого МОП-транзистора типа истощения.

IRF730 Спецификация

Прежде чем использовать этот компонент в своем электрическом проекте, просмотрите спецификацию устройства, в которой подробно описаны основные характеристики компонента.Вы можете скачать техническое описание IRF730, нажав на ссылку ниже.

Распиновка IRF730

IRF730 представляет собой N-канальный полевой МОП-транзистор с тремя выводами, названными

1: затвор

2: сток

3: исток

  • Ток управляется истоком и стоком

    3 клемма затвора, когда мы подаем напряжение на клемму затвора.

  • На следующем рисунке показана схема выводов IRF730 MOSFET.
    • Как правило, полевой МОП-транзистор представляет собой четырехконтактный компонент с истоком (S), затвором (G), стоком (D) и корпусом (B)/подложкой.Область корпуса всегда присоединена к клемме истока, поэтому полевой МОП-транзистор работает как трехконтактное устройство.

    Характеристики IRF730
    • Тип: n-канальный МОП-транзистор
    • Максимальная температура перехода = 150°C
    • Максимальное напряжение затвор-исток = 20 В
    • Напряжение пробоя сток-исток = 400 В
    • Рассеиваемая мощность = 100 Вт
    • Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии = 1,0 Ом
    • Общий заряд затвора = 18 нКл
    • Емкость сток-исток = 800 пФ
    • Максимальный ток стока = 5.5 А
    • Пакет = TO-220AB

    Эквивалент IRF730

    Следующие варианты эквивалентны IRF730.

    • IRF730A
    • IRF740
    • ИРФ730Б
    • ИРФ740А
    • IRF740LC
    • ИРФ740Б
    • IRF840
    • IRF840LC
    • ИРФ840А
    • ИРФБ17Н50Л
    • ИРФБ9Н65А
    • ИРФБ13Н50А
    • IRFB9N60A

    При работе с альтернативами обязательно перепроверяйте распиновку альтернатив.Распиновка альтернатив может отличаться от распиновки IRF730.

    IRF730 Приложения
    • Используются в коммутационных и усилительных приложениях.
    • Используется в высокоэффективных преобразователях постоянного тока.
    • Используется для управления двигателем и ИБП.

    Это было все о введении в IRF730. Если у вас есть какие-либо вопросы, вы можете задать их мне в разделе ниже, я буду рад помочь вам в соответствии со своим опытом. Не стесняйтесь держать нас в курсе ваших ценных отзывов и предложений и помочь улучшить качество нашего контента.Спасибо за прочтение статьи.

    IRFP250 N-Channel Advanced Power Mosfet — техническое описание и распиновка

    Усовершенствованный силовой полевой транзистор IRFP250 обеспечивает наилучшее сочетание низкого сопротивления, надежной конструкции устройства, экономичности и быстрого переключения. Мощный полевой транзистор IRFP250 n-channel используется для питания нагрузок, работающих при напряжении менее 60 В и токе 200 мА.

    Мосфеты

    — это силовые электронные переключатели, такие как транзисторы.Но они имеют более высокое напряжение и номинальный ток. Этот мосфет выпускается в корпусе ТО-92 с порогом 3В. Это лучше для вас, если вы ищете крошечный MOSFET для переключения нагрузки.

    IRFP250 техпаспорт

    Согласно техническому описанию, некоторые из основных характеристик MOSFET :

    • Простые требования к диску
    • быстрое переключение
    • Repetitive Avalanche рейтинг
    • Dynamic DV / DT Рейтинг
    • Изолированные центральное монтажное отверстие
    • Легкость параллельно
    • Соответствует директиве RoHS 2002/95 / EC I

    основные области применения MOSFET:

    • Светодиодные мигалки или диммеры
    • Аналоговые инверторы или преобразователи малой мощности
    • Коммутация слабого сигнала
    • Коммутация высоковольтных нагрузок

    Распиновка IRFP250

    IRFP250 имеет три контакта; исток, ворота и сток. Источник — это контакт 1, и оттуда течет ток. Контакт 2 — это контакт затвора, и именно он управляет смещением MOSFET. Он действует как переключатель для включения и выключения MOSFET. Если земля подключена к затвору, мосфет будет выключен, а соединение будет разомкнуто, но если затвор подключен к земле, то мосфет будет включен. Третий штырь — сливной, через него проходит ток при входе.

    Посмотрите на схему выводов IRFP250 ниже.

    IRFP250 Эквиваленты и сменные детали

    IRFP250 — это n-канальный мощный полевой МОП-транзистор. Эквивалентами IRFP250 являются irfZ44, irf9Z34N, 2n7000 и bs170. Диммеры света и регулировка скорости двигателей хорошо сочетаются с моделями equals или IRFP250, поскольку они имеют хорошие характеристики переключения.

    Распиновка транзистора

    : подробное руководство

    О распиновке транзисторов, Электрическая цепь представляет собой комбинацию различных электрических устройств.Одним из таких электрических устройств является транзистор.

    Транзистор является неотъемлемой частью электрической цепи. Его функция заключается в преобразовании слабого сигнала из цепи с низким сопротивлением в цепь с высоким сопротивлением. Выводы — это компоненты транзистора, и в этой статье мы попытаемся обсудить, как они помогают транзистору выполнять свои функции.

     

    Определение выводов транзистора

     

    Транзистор состоит из трех компонентов.И они включают Базу, Коллектор и Излучатель. Эти три компонента представляют собой распиновку транзистора, а эмиттер является первой распиновкой и отвечает за выход транзистора.

    Далее идет База, которая является центральным компонентом транзистора. А База отвечает за контроль стоимости, а также получает подключение к подаче. Последняя часть — коллектор. Это самый большой компонент транзистора. Из-за своего размера он имеет наибольшее количество носителей в транзисторе.

     

    Идентификация выводов транзистора

     

    Силовые транзисторы

     

    Примером наиболее распространенных проблем, с которыми сталкиваются профессионалы при проектировании схемы, является определение контактов контактов во многих устройствах. К таким устройствам относятся транзисторы, TRIAC, SCR и многие другие устройства. Многим техническим специалистам приходится полагаться на такие источники, как таблицы данных, чтобы найти правильные соединения контактов и улучшить соединение в цепи.

    В этом разделе основное внимание уделяется руководству по идентификации контактов транзисторов;

     

    Биполярный переходной транзистор (BJT)

     

    Транзисторы

    обычно бывают двух типов: NPN или PNP. Эти два типа транзисторов обычно доступны в пластиковом или металлическом корпусе. При пластиковом корпусе транзистор имеет плоскую лицевую сторону, а расположение выводов последовательное. Идентифицируя штифты, поверните плоскую сторону к себе и начните считать штифты.

    Чаще всего у транзисторов NPN первый вывод является коллектором, второй вывод — базой, а третий вывод — эмиттером. Таким образом, конфигурация CBE.

     

    Биполярный соединительный транзистор

     

    Однако с PNP-транзисторами дело обстоит наоборот. Первый контакт — эмиттер, второй — база, а последний — коллектор.

    Когда транзистор имеет металлический корпус, расположение контактов круглое.Чтобы определить контакты в этой ситуации, найдите язычок на ободе транзистора. Для NPN-транзисторов ближайший к вкладке контакт — это эмиттер. Штифт напротив эмиттера — это коллектор, а тот, что посередине — это база.

    С транзистором PNP дело обстоит наоборот. Ближайший к вкладке пин — это Коллектор, а тот, что напротив него, — это Излучатель, а пин посередине — это База.

    Примечание. В некоторых случаях возможны изменения. Однако в большинстве случаев это именно та конфигурация, которую вы найдете.

    Полевой транзистор (FET)

     

    Полевой транзистор

     

    Полевой транзистор обычно имеет изогнутую сторону. Пытаясь идентифицировать штифты, убедитесь, что изогнутая сторона обращена к вам. Затем начните считать булавки в обратном направлении. Первый контакт считается истоком, следующий — гейтом, а последний — стоком.

     

    Полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника (MOSFET)

     

    Как и полевой транзистор, полевой МОП-транзистор использует компоновку G, D и S, что означает затвор, сток и исток.Чтобы определить контакты в MOSFET, убедитесь, что лицевая сторона обращена к вам, начните считать контакты с левой стороны на правую. Вы обнаружите, что расположение штырьков — Источник, Слив и Ворота.

     

    Металлооксидный полевой транзистор

     

    Однако такое расположение также не является неприкосновенным, поэтому рекомендуется свериться со спецификацией MOSFET, чтобы подтвердить идентификацию.

     

    Выводы транзистора — биполярный транзистор с изолированным затвором — IGBT

     

    Биполярный транзистор с изолированным затвором

     

    Чтобы идентифицировать выводы на этом типе транзистора, вам нужно получить практичный IGBT, такой как GN2470. Теперь вам нужно держать приподнятую часть к себе. В этом положении катодом является средний, который обычно короче. Штифт справа — это Излучатель, а слева — Врата.

     

    Выводы транзистора — фототранзистор

     

    С практичным фототранзистором, таким как L14G2, вам нужно держать транзистор, позволяя поверхности с кривизной быть обращенной к вам, и начинать счет. Первый штырек с этого направления — коллектор, второй — излучатель, а последний — база.

     

    Выводы транзистора — подключение транзистора к цепи

     

    A Принципиальная схема, включая транзистор

     

    Вне зависимости от типа транзистора способ подключения одинаков. Компоненты, необходимые для подключения, включают транзистор 2N3906, резистор на 330 Ом, светодиод, разомкнутый переключатель и двойной источник питания постоянного тока или 5 батареек типа АА.

    Соединение начинается с эмиттера, с соединением +3В. Затем вы подключаете открытый переключатель к базе транзистора и подключаете светодиод к базе транзистора. Открытый переключатель управляет транзистором, который, в свою очередь, управляет светодиодом.

     

    Резюме

     

    Идентификация контактов в транзисторе — простой процесс. Однако этот процесс отличается для каждого типа установки транзистора. Если у вас есть дополнительные вопросы, посетите наш веб-сайт.

     

    Знакомство с силовым N-канальным МОП-транзистором IRLZ34N

    Здравствуйте, читатели приветствуют новый пост.В этом посте мы узнаем Введение в IRLZ34N N-Channel Power MOSFET. MOSFET обозначает полевой транзистор типа полевого транзистора на основе оксида металла и полупроводника, такой как JFET. Как мы знаем, в JFET pn-переход выходит, а в MOSFET — нет. Вместо затвора MOSFET он отделен от канала слоем диоксида кремния. Существует 2 основных типа MOSFET: первое усиление и второе уменьшение, описанные как D.

    .

    Этот компонент полевого МОП-транзистора используется в таких приложениях, где требуются высокая скорость и мощность, поскольку он обеспечивает эти функции и имеет небольшое сопротивление.Это семейство N канала MOSFET. Поскольку это N-канал, поток тока или текущего процесса осуществляется свободными электронами. Вот очень важный факт, который я должен обсудить, это то, что для создания различных проектов, связанных с электроникой, если вы студент или новичок, вы можете связаться с различными компаниями, связанными с электронной инженерией, которые помогут вам в создании таких продуктов, а также предоставят некоторые компоненты на приемлемая для вас цена за создание проекта. В этом мире работает множество компаний, которые предоставляют услуги, связанные с электроникой, но я предлагаю PCBWAY.Услугами этой компании я тоже пользовалась, рекомендую и вам. Его наиболее распространенными услугами являются печатные платы, печатные платы и прототипирование печатных плат. Они предоставляют 30 долларов США для заказов SMT и три гибких варианта: «под ключ», «комплект» и «комбо». Вы можете выбрать эти параметры во время получения компонентов от них.

    PCBWay стремится удовлетворить требования своих клиентов из различных отраслей с точки зрения совершенства, доставки, экономической эффективности и других требований спроса. Как один из самых опытных производителей печатных плат в Китае.PCBWAY гордится тем, что является вашим лучшим деловым партнером и лучшей сетью во всех характеристиках ваших требований к печатным платам

    Итак, приступим.

    Знакомство с силовым N-канальным МОП-транзистором IRLZ34N

    • Высокопрочные полевые МОП-транзисторы N (металлооксидно-полупроводниковые полевые транзисторы) известны тем, что управляют высокими уровнями напряжения и тока от микроконтроллера.
    • Имеют очень низкое сопротивление во включенном состоянии (тридцать пять мОм), поэтому потребляют меньше тепла и обычно не нуждаются в радиаторе
    • Семейство силовых полевых МОП-транзисторов IR MOSFET Power используется различными устройствами для поддержки различных приложений, таких как двигатели постоянного тока, инверторы, импульсные источники питания, лампы, зарядные переключатели и устройства с питанием от аккумуляторов.
    • Этот электронный компонент широко используется в электрических схемах, и с 1960 по 2018 год было создано примерно (1,3 × 1022) МОП-транзисторов.
    • Он также широко используется в цифровых схемах, аналогах и электроинструментах.
    • Основное преимущество MOSFET заключается в том, что нет необходимости устанавливать ток для управления токовой нагрузкой, необходимой для BJT.
    • Источник питания, подаваемый на затвор E-MOSFET, может увеличить проводимость состояния.
    • В то время как напряжение D-MOSFET, подаваемое на затвор, может снизить проводимость состояния.
    • Скорость перехода этой фазы высока, их размер мал, потребляя меньше энергии.

    IRLZ34N MOSFET Распиновка
    • Здесь перечислены три основные распиновки
    • Источник: Эта распиновка используется для получения тока от устройства
    • Слив: ток идет от внешнего источника к модулю
    • Ворота: работают как терминал управления, как база в BJT
    • .

    Рабочий МОП-транзистор IRLZ34N
    • Этот режим работы является расширенным режимом MOSFET и используется в качестве переключающего модуля в различных проектах.
    • Внешнее питание подается на клемму затвора и работает, когда ток переключателя течет от стока к истоку
    • Считается механическим переключателем, так как отсутствует подвижный компонент
    • Существует такое устройство, что затвор имеет изоляцию от стока и истока, и эти выводы работают как пластины конденсатора, и на затворе имеется положительный заряд, а у истока отрицательный, и таким образом он работает
    • Если значение вольта около GS равно 0, то он сбивается и снимается с режима коммутации
    Особенности полевого МОП-транзистора IRLZ34N
    • Основные характеристики перечислены здесь
    • Его высота и длина равны 15.65 и 10 мм
    • Ширина 4,4 миллиметра
    • Время нарастания использовалось около ста наносекунд
    • Время спада для этого устройства составляет двадцать девять наносекунд
    • Доступен в упаковке T0-220
    • Значение рассеиваемой мощности составляет шестьдесят восемь ватт.
    • значение вольт о VDS равно пятидесяти вольтам
    • Вольт о ВГС плюс шестнадцать и минус шестнадцать

    Применение IRLZ34N

    • Основные области применения перечислены здесь
    • Это основная часть схемы, используемой для преобразования постоянного тока в постоянный и постоянного в переменный
    • Используется в устройствах EPS
    • Работает как драйвер реле
    • Используется в батарее
    • Драйверы двигателей состоят из этого устройства
    • Используется в регуляторах, является основным компонентом
    • Также используется в различных типах ИБП
    Автор: Генри
    //www.theengineeringknowledge.com

    Я профессиональный инженер, выпускник известного инженерного университета, также имею опыт работы инженером в различных известных отраслях. Я также являюсь автором технического контента, мое хобби — исследовать новые вещи и делиться ими с миром. Через эту платформу я также делюсь своими профессиональными и техническими знаниями со студентами инженерных специальностей.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.