Site Loader

Содержание

Составной транзистор — Википедия

Пара Дарлингтона составленная из транзисторов n-p-n типа

Составно́й транзи́стор — электрическое соединение двух (или более) биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-транзисторов, с целью улучшения их электрических характеристик. К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др.

Пара Дарлингтона

Пара Дарлингтона с резистором, который используется в качестве нагрузки транзистора VT1.

Составной транзистор (или схема) Дарлингтона (часто — пара Дарлингтона) была предложена в 1953 году инженером Bell Laboratories Сидни Дарлингтоном (Sidney Darlington

). Схема является каскадным соединением двух (редко — трех или более) биполярных[1] транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора.

Коэффициент усиления по току пары Дарлингтона очень высок и приблизительно равен произведению коэффициентов усиления по току транзисторов составляющих такую пару. У мощных транзисторов включенных по схеме пары Дарлингтона, конструктивно выпускаемой в одном корпусе (например, транзистор КТ825) гарантированный коэффициент усиления по току при нормальных условиях эксплуатации) не менее 750

[2].

У пар Дарлингтона, собранных на маломощных транзисторах этот коэффициент может достигать значения 50000.

Высокий коэффициент усиления по току обеспечивает управление малым током, поданным на управляющий вход составного транзистора, выходными токами превышающими входной на несколько порядков.

Достигнуть повышения коэффициента усиления по току можно также уменьшив толщину базы при изготовлении транзистора, такие транзисторы выпускаются промышленностью и называются «супербета транзистор», но процесс их изготовления представляет определённые технологические трудности и такие транзисторы имеют очень низкие коллекторные рабочие напряжения, не превышающие нескольких вольт. Примерами супербета транзисторов могут служить серии одиночных транзисторов КТ3102, КТ3107. Однако и такие транзисторы иногда объединяют в схеме Дарлингтона. Поэтому в относительно сильноточных и высоковольтных схемах, где требуется снизить управляющий ток, используются пары Дарлингтона или пары Шиклаи.

Иногда и схему Дарлингтона не совсем корректно называют «супербета транзистор»[3].

Составные транзисторы Дарлингтона используются в сильноточных схемах, например, в схемах линейных стабилизаторов напряжения, выходных каскадах усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс и малые входные токи.

Составной транзистор имеет три электрических вывода, которые эквивалентны выводам базы, эмиттера и коллектора обычного одиночного транзистора. Иногда в схеме для ускорения закрывания выходного транзистора и снижения влияния начального тока входного транзистора используется резистивная нагрузка эмиттера входного транзистора, как показано на рисунке.

Пару Дарлингтона электрически в целом рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого, при работе транзисторов в линейном режиме, приблизительно равен произведению коэффициентов усиления всех транзисторов, например, двух:

β D ≈ β 1 ⋅ β 2 {\displaystyle \beta _{D}\approx \beta _{1}\cdot \beta _{2}}
где β D {\displaystyle \beta _{D}}  — коэффициент усиления по току пары Дарлингтона;
β 1 , {\displaystyle \beta _{1},} β 2 {\displaystyle \beta _{2}}  — коэффициенты усиления по току транзисторов пары.

Покажем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент β {\displaystyle \beta } , значительно больший, чем у его обоих транзисторов. Анализ проведен для схемы без эмиттерного резистора R 1 {\displaystyle R_{1}} (см. рисунок).

Ток эмиттера I E {\displaystyle I_{E}} любого транзистора через базовый ток I B , {\displaystyle I_{B},} статический коэффициент передачи тока базы β {\displaystyle \beta } и из 1-го правила Кирхгофа выражается формулой:

I E = I B + I C = I B + I B ⋅ β = I B ⋅ ( 1 + β ) , {\displaystyle I_{E}=I_{B}+I_{C}=I_{B}+I_{B}\cdot \beta =I_{B}\cdot (1+\beta ),}
где I C {\displaystyle I_{C}}  — ток коллектора.

Так как ток эмиттера второго транзистора I E 2 {\displaystyle I_{E2}} , опять же из 1-го правила Кирхгофа равен:

I E 2 = I B 1 + I C 1 + I C 2 , {\displaystyle I_{E2}=I_{B1}+I_{C1}+I_{C2},}
где I B 1 {\displaystyle I_{B1}}  — базовый ток 1-го транзистора;
I C 1 , {\displaystyle I_{C1},} I C 2 {\displaystyle I_{C2}}  — коллекторные токи транзисторов.

Имеем:

β D = β 1 + β 2 + β 1 ⋅ β 2 , {\displaystyle \beta _{D}=\beta _{1}+\beta _{2}+\beta _{1}\cdot \beta _{2},}
где β 1 , {\displaystyle \beta _{1},} β 2 , {\displaystyle \beta _{2},}  — статические коэффициенты передачи тока базы на коллектор транзисторов 1 и 2.

Так как у транзисторов β >> 1 , {\displaystyle \beta >>1,} то β D ≈ β 1 ⋅ β 2 . {\displaystyle \beta _{D}\approx \beta _{1}\cdot \beta _{2}.}

Следует отметить, что коэффициенты β 1 {\displaystyle \beta _{1}} и β 2 {\displaystyle \beta _{2}} различаются даже в случае применения пары совершенно одинаковых по всем параметрам транзисторов, поскольку ток эмиттера I E 2 {\displaystyle I_{E2}} в 1 + β 2 {\displaystyle 1+\beta _{2}} раз больше тока эмиттера I E 1 {\displaystyle I_{E1}} , (это вытекает из очевидного равенства I B 2 = I E 1 , {\displaystyle I_{B2}=I_{E1},} а статический коэффициент передачи тока транзистора заметно зависит от тока коллектора и может различаться в разы при разных токах

[4].

Пара Шиклаи

{\displaystyle I_{B2}=I_{E1},} Каскад Шиклаи, эквивалентный n-p-n транзистору

Паре Дарлингтона подобно соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Sziklai pair), названное так в честь его изобретателя Джорджа К. Шиклаи, также иногда называемое комплементарным транзистором Дарлингтона[5]. В отличие от схемы Дарлингтона, состоящей из двух транзисторов одного типа проводимости, схема Шиклаи содержит транзисторы разного типа проводимости(p-n-p и n-p-n). Пара Шиклаи электрически эквивалентна n-p-n-транзистору c большим коэффициентом усиления. Входное напряжение — это напряжение между базой и эмиттером транзистора Q1, а напряжение насыщения равно по крайней мере падению напряжения на диоде[уточнить]. Между базой и эмиттером транзистора Q2 обычно включают резистор с небольшим сопротивлением. Такая схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одной проводимости.[уточнить]

Каскодная схема

{\displaystyle I_{B2}=I_{E1},}

Основная статья: Каскодный усилитель

Составной транзистор, выполненный по так называемой каскодной схеме, характеризуется тем, что транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером, а транзистор VT2 — по схеме с общей базой. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства, высокое выходное сопротивление и больший линейный диапазон, то есть меньше искажает передаваемый сигнал. Так как потенциал коллектора входного транзистора практически не изменяется, это существенно подавляет нежелательное влияние эффекта Миллера и расширяет рабочий диапазон по частоте.

Достоинства и недостатки составных транзисторов

Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.

Достоинства составных пар Дарлингтона и Шиклаи:

  • Высокий коэффициент усиления по току.
  • Схема Дарлингтона изготавливается в составе интегральных схем и при одинаковом токе площадь занимаемая парой на поверхности кристалла кремния меньше, чем у одиночного биполярного транзистора.
  • Применяются при относительно высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора:

  • Низкое быстродействие, особенно в ключевом режиме при переходе из открытого состояния в закрытое. Поэтому составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, работающих в линейном режиме. На высоких частотах их частотные параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
  • Прямое падение напряжения Uбэ составного транзистора в схеме Дарлингтона почти в два раза больше[6], чем у одиночного транзистора, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В, так как равна сумме падений напряжения на прямосмещённых p-n переходах двух транзисторов.
  • Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности, так как не может быть меньше чем падение напряжения на прямосмещённом p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе.[уточнить]

Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии (начальный ток коллектора) создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора, так как неосновные носители, накопленные в базе VT2 при его запирании из режима насыщения не только рассасываются, но и стекают через этот резистор. Обычно сопротивление R1 выбирают величиной сотни ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько килоом в маломощном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы Дарлингтона выполненной в одном корпусе со встроенным эмиттерным резистором служит мощный n-p-n транзистор Дарлингтона типа КТ825, его типовой коэффициент усиления по току около 1000 при коллекторном токе 10 А.

Примечания

  1. ↑ Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, не используются в составном включении, так как обладая высоким входным сопротивлением, управляются напряжением, а не током и такое включение нецелесообразно.
  2. ↑ Технический паспорт транзистора КТ825.
  3. ↑ Супербе́та (супер-β) транзисторами называют транзисторы со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току, полученным за счёт очень малой толщины базы, а не за счёт составного включения. При этом рабочий базовый ток одиночного транзистора можно снизить до десятков пА. Такие транзисторы применены в первом каскаде операционных усилителей со сверхмалыми входными токами, например, типов LM111 и LM316.
  4. Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — 4-е изд., перераб. и доп.. — М.: Энергия, 1977. — С. 233, 234. — 672 с.
  5. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: В 3-х томах: Пер. с. англ. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1993. — Т. 1. — С. 104, 105. — 413 с. — 50 000 экз. — ISBN 5-03-002337-2.
  6. ↑ Это не всегда (не во всех применениях) является недостатком, но всегда — особенностью, которую надо учитывать при расчёте схемы по постоянному току, и которая не позволяет напрямую заменить одиночный транзистор на составной Дарлингтона.

Составные транзисторы Дарлингтона против Шиклаи

Darlington и Sziklai составные транзисторы. Какую пару выбрать для выходного кас- када УМЗЧ, выполненного на биполярных транзисторах?


Несмотря на то, что в последнее время всё большая часть выходных каскадов промышленных УМЗЧ выполняется на мощных полевых MOSFET-ах, усилители на биполярных транзисторах никуда не подевались, мало того — на них строится и некоторое количество звуковоспроизводящей аппаратуры класса Hi-End.
Именно такой Hi-End усилитель мощности NHB-108 фирмы DarTZeel мы подробно обсудили странице  (ссылка на страницу).

Одним из важных преимуществ полевых транзисторов является почти полное отсутствие входного тока в цепи затвора, что в большинстве случаев позволяет упростить схемотехнику и, как результат, конструкцию изделия. С другой стороны — значительные величины входных ёмкостей и приличный разброс параметров мощных MOSFET-ов делают в некоторых случаях предпочтительным использование именно биполярных приборов. Для максимального упрощения задачи схемотехника были созданы транзисторы с очень высоким коэффициентом усиления (более 1000), которые называются составными и которые дают возможность проектировать схемы на биполярниках, не сильно задумываясь о входных токах.
Варианты составных транзисторов

Наиболее часто используемое включение составных транзисторов в выходных каскадах усилителей — схема Дарлингтона (Рис. 1 а и б). Составные транзисторы по схеме включения Шиклаи используются значительно реже — и зря. Почему?
А ответ на этот вопрос дал конструктор электронных устройств и большой специалист в области звукотехники — Род Эллиот в своей статье «Шиклаи соединение против пары Дарлингтона».

Приведу наиболее, на мой взгляд, важные выдержки из этой статьи:

Пары Дарлингтона и Шиклая широко используются в линейных цепях, причём пары Дарлингтона являются наиболее распространёнными. Читатели моих Аудио Страниц могут заметить, что я в своих разработках для выходных каскадов усилителя мощности почти всегда без исключения использовал пары составных транзисторов по схеме включения Шиклая. Это относительно необычный подход, но для этого выбора имеются веские причины.
Давным-давно было установлено и продемонстрировано, что составная пара Шиклая обладает большей линейностью, чем пара Дарлингтона, и, хотя эта информация, по-видимому, игнорировалась большинством людей в течение очень долгого времени, она все ещё верна.

1. Линейность составных пар.

На Рис.2 показана пара простых повторителей напряжения, один из которых использует составную пару Шиклая, а другой — Дарлингтона.

Повторители на парах Шиклая и Дарлингтона

Рис. 2 Повторители на парах Шиклая и Дарлингтона

Это довольно простые каскады, и трудно ожидать какой-либо существенной разницы между ними, учитывая то, что эти цепи охвачены 100%-ой отрицательной обратной связью.
Входной сигнал представляет собой синусоиду с пиковым напряжением 1 В (среднеквадратичное значение 707 мВ) и смещением постоянного тока 6 В, необходимым для того, чтобы установить рабочие точки выходов повторителей на уровне, близком к половине напряжения питания.

Первое, что бросается в глаза, это то, что составная пара Шиклая имеет более высокое выходное напряжение (это 99,5% от входного напряжения) по сравнению с парой Дарлингтона, которая передаёт на выход только 98,7%. Правда, это вряд ли можно назвать большой разницей, но, тем не менее, это заметно.

Более интересным параметром являются — искажения, вносимые этими двумя конфигурациями, и это продемонстрировано ниже.

Характеристики искажений повторителей на парах Шиклая и Дарлингтона
Рис.3 Графики нелинейных искажений повторителей на парах Шиклая и Дарлингтона

Совершенно очевидно, что составная пара Шиклая (чёрная кривая) имеет меньший уровень гармоник, расположенных выше минимального уровня шума -120 дБ, и все они находятся на более низком уровне по отношению к Дарлингтону — на 20 дБ и более!
Как можно увидеть, пара Дарлингтона имеет и в 3 раза больший суммарный уровень искажений, чем составная пара Шиклая. Хотя обе цифры превосходны и значительно ниже порога слышимости, но следует помнить, что каждая ступень системы вносит некоторые искажения, поэтому для каждого каскада важно поддерживать как можно более высокий параметр линейности.

Как я отмечал во многих статьях — THD усилителя является важным показателем не только потому, что мы слышим низкие уровни искажений, но и потому, что он является хорошим индикатором общей линейности. А любая нелинейность вызывает рост интермодуляционных искажений (IMD), считающихся наиболее нежелательными в звуковом тракте.

2. Температурная стабильность.

Для таких конструкций, как двухтактные усилители мощности, термостабильность выходного каскада имеет первостепенное значение. Коэффициент усиления транзистора зависит от температуры, при увеличении температуры — увеличивается и коэффициент усиления. Эта температурная зависимость сохраняется вплоть до температур, которые могут вызвать пробой полупроводника. Кроме того, с ростом температуры уменьшается напряжение база-эмиттер транзистора (примерно на 2 мВ/°C), поэтому определённые средства стабилизации тока смещения являются обязательными.

В составной паре Sziklai влияние температурной зависимости выходного транзистора Q2 значительно меньше, чем влияние драйвера Q1. Основным элементом, определяющим ток смещения, является именно управляющий транзистор, который рассеивает сравнительно небольшую мощность, в связи с чем — на нём гораздо проще поддерживать постоянную температуру.

Как итог — общая температурная зависимость составной пары Шиклая значительно ниже, чем у пары Дарлингтона, выходной ток которого зависит от напряжений база-эмиттер двух каскадно соединённых транзисторов, в результате чего эффект удваивается.
Это усугубляется тем фактом, что большинство усилителей, использующих выходной каскад Дарлингтона, имеют драйвер и силовой транзистор в одном корпусе, а потому оказываются установленными в одной точке радиатора.

Соберём схемы для проверки температурной зависимости транзисторных пар Шиклая и Дарлингтона

Схемы для проверки температурной зависимости Шиклая и Дарлингтона
Рис.4 Схемы для проверки температурной зависимости составных транзисторов

и проверим сказанное выше.

Температура транзистораSziklai пара Darlington пара
Q1, Q3 (Driver)Q2, Q4 (Output)Выходной токВыходной ток
  25 °C  25 °C  41 mA  41 mA
  75 °C  25 °C  123 mA  96 mA
  25 °C  75 °C  44 mA  87 mA
  75 °C  75 °C  126 mA  148 mA

В таблице приведены температурные зависимости двух цепей, изображённых на Рис.4.
Поскольку гораздо проще поддерживать постоянную температуру на драйверных транзисторах, очевидно, что будет и гораздо проще поддерживать стабильный выходной ток в составной паре Шиклаи, по сравнению с цепью, использующей пару Дарлингтона.
Это было доказано на практике. Ни один из моих проектов не имеет проблем с термостабильностью, и все биполярные конструкции используют выходной каскад, выполненный на составной паре Шиклаи.

2. Двухтактные выходные каскады.

Три типовые схемы выходных каскадов усилителей мощности показаны на Рис.5. Очевидно, что есть и другие, но они обычно базируются на той или иной комбинации из представленных на рисунке.

Схемы для проверки температурной зависимости Шиклая и Дарлингтона
Рис.5 Три основные схемы выходных каскадов усилителей мощности

Самой старой из представленных схем является первая схема (A) — каскад квазикомплементарной симметрии. Эта схема являлась основной до того момента, как появились комплементарные пары транзисторов разной проводимости.
А как только начался выпуск комплементарных транзисторов, основное распространение получила полностью симметричная конфигурация (B) с использованием пар Дарлингтона. В течение многих лет и до сих пор — этот тип выходного каскада остаётся самым распространённым.
При соответствующем выборе смещения все эти схемы имеют довольно хорошие характеристики искажений, причём пара Шиклаи является лучшей, а квазикомплементарная — худшей.
Все каскады, выполненные в соответствии со схемами, показанными на Рис.5, имеют менее 1% THD при нагрузке 8 Ом (Шиклаи — 0,05%, Дарлингтон — 0,23%, квазикомплементарный — 0,65%).

По причинам, которые я всегда находил неясными и несколько загадочными, я обнаружил, что каждый усилитель, который я проектировал с использованием конфигурации Шиклаи, имел паразитные колебания на отрицательной полуволне.
Добавление конденсатора небольшой ёмкости (обычно 220 пФ), установленного, как показано на схеме, было необходимо каждый раз и полностью устраняло эту проблему.

 

Составной транзистор — Википедия

Пара Дарлингтона составленная из транзисторов n-p-n типа

Составно́й транзи́стор — электрическое соединение двух (или более) биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-транзисторов, с целью улучшения их электрических характеристик. К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др.

Пара Дарлингтона

Пара Дарлингтона с резистором, который используется в качестве нагрузки транзистора VT1.

Составной транзистор (или схема) Дарлингтона (часто — пара Дарлингтона) была предложена в 1953 году инженером Bell Laboratories Сидни Дарлингтоном (Sidney Darlington). Схема является каскадным соединением двух (редко — трех или более) биполярных[1] транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора.

Коэффициент усиления по току пары Дарлингтона очень высок и приблизительно равен произведению коэффициентов усиления по току транзисторов составляющих такую пару. У мощных транзисторов включенных по схеме пары Дарлингтона, конструктивно выпускаемой в одном корпусе (например, транзистор КТ825) гарантированный коэффициент усиления по току при нормальных условиях эксплуатации) не менее 750[2].

У пар Дарлингтона, собранных на маломощных транзисторах этот коэффициент может достигать значения 50000.

Высокий коэффициент усиления по току обеспечивает управление малым током, поданным на управляющий вход составного транзистора, выходными токами превышающими входной на несколько порядков.

Достигнуть повышения коэффициента усиления по току можно также уменьшив толщину базы при изготовлении транзистора, такие транзисторы выпускаются промышленностью и называются «супербета транзистор», но процесс их изготовления представляет определённые технологические трудности и такие транзисторы имеют очень низкие коллекторные рабочие напряжения, не превышающие нескольких вольт. Примерами супербета транзисторов могут служить серии одиночных транзисторов КТ3102, КТ3107. Однако и такие транзисторы иногда объединяют в схеме Дарлингтона. Поэтому в относительно сильноточных и высоковольтных схемах, где требуется снизить управляющий ток, используются пары Дарлингтона или пары Шиклаи.

Иногда и схему Дарлингтона не совсем корректно называют «супербета транзистор»[3].

Составные транзисторы Дарлингтона используются в сильноточных схемах, например, в схемах линейных стабилизаторов напряжения, выходных каскадах усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс и малые входные токи.

Составной транзистор имеет три электрических вывода, которые эквивалентны выводам базы, эмиттера и коллектора обычного одиночного транзистора. Иногда в схеме для ускорения закрывания выходного транзистора и снижения влияния начального тока входного транзистора используется резистивная нагрузка эмиттера входного транзистора, как показано на рисунке.

Пару Дарлингтона электрически в целом рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого, при работе транзисторов в линейном режиме, приблизительно равен произведению коэффициентов усиления всех транзисторов, например, двух:

β D ≈ β 1 ⋅ β 2 {\displaystyle \beta _{D}\approx \beta _{1}\cdot \beta _{2}}
где β D {\displaystyle \beta _{D}}  — коэффициент усиления по току пары Дарлингтона;
β 1 , {\displaystyle \beta _{1},} β 2 {\displaystyle \beta _{2}}  — коэффициенты усиления по току транзисторов пары.

Покажем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент β {\displaystyle \beta } , значительно больший, чем у его обоих транзисторов. Анализ проведен для схемы без эмиттерного резистора R 1 {\displaystyle R_{1}} (см. рисунок).

Ток эмиттера I E {\displaystyle I_{E}} любого транзистора через базовый ток I B , {\displaystyle I_{B},} статический коэффициент передачи тока базы β {\displaystyle \beta } и из 1-го правила Кирхгофа выражается формулой:

I E = I B + I C = I B + I B ⋅ β = I B ⋅ ( 1 + β ) , {\displaystyle I_{E}=I_{B}+I_{C}=I_{B}+I_{B}\cdot \beta =I_{B}\cdot (1+\beta ),}
где I C {\displaystyle I_{C}}  — ток коллектора.

Так как ток эмиттера второго транзистора I E 2 {\displaystyle I_{E2}} , опять же из 1-го правила Кирхгофа равен:

I E 2 = I B 1 + I C 1 + I C 2 , {\displaystyle I_{E2}=I_{B1}+I_{C1}+I_{C2},}
где I B 1 {\displaystyle I_{B1}}  — базовый ток 1-го транзистора;
I C 1 , {\displaystyle I_{C1},} I C 2 {\displaystyle I_{C2}}  — коллекторные токи транзисторов.

Имеем:

β D = β 1 + β 2 + β 1 ⋅ β 2 , {\displaystyle \beta _{D}=\beta _{1}+\beta _{2}+\beta _{1}\cdot \beta _{2},}
где β 1 , {\displaystyle \beta _{1},} β 2 , {\displaystyle \beta _{2},}  — статические коэффициенты передачи тока базы на коллектор транзисторов 1 и 2.

Так как у транзисторов β >> 1 , {\displaystyle \beta >>1,} то β D ≈ β 1 ⋅ β 2 . {\displaystyle \beta _{D}\approx \beta _{1}\cdot \beta _{2}.}

Следует отметить, что коэффициенты β 1 {\displaystyle \beta _{1}} и β 2 {\displaystyle \beta _{2}} различаются даже в случае применения пары совершенно одинаковых по всем параметрам транзисторов, поскольку ток эмиттера I E 2 {\displaystyle I_{E2}} в 1 + β 2 {\displaystyle 1+\beta _{2}} раз больше тока эмиттера I E 1 {\displaystyle I_{E1}} , (это вытекает из очевидного равенства I B 2 = I E 1 , {\displaystyle I_{B2}=I_{E1},} а статический коэффициент передачи тока транзистора заметно зависит от тока коллектора и может различаться в разы при разных токах[4].

Пара Шиклаи

{\displaystyle I_{B2}=I_{E1},} Каскад Шиклаи, эквивалентный n-p-n транзистору

Паре Дарлингтона подобно соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Sziklai pair), названное так в честь его изобретателя Джорджа К. Шиклаи, также иногда называемое комплементарным транзистором Дарлингтона[5]. В отличие от схемы Дарлингтона, состоящей из двух транзисторов одного типа проводимости, схема Шиклаи содержит транзисторы разного типа проводимости(p-n-p и n-p-n). Пара Шиклаи электрически эквивалентна n-p-n-транзистору c большим коэффициентом усиления. Входное напряжение — это напряжение между базой и эмиттером транзистора Q1, а напряжение насыщения равно по крайней мере падению напряжения на диоде[уточнить]. Между базой и эмиттером транзистора Q2 обычно включают резистор с небольшим сопротивлением. Такая схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одной проводимости.[уточнить]

Каскодная схема

{\displaystyle I_{B2}=I_{E1},}

Основная статья: Каскодный усилитель

Составной транзистор, выполненный по так называемой каскодной схеме, характеризуется тем, что транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером, а транзистор VT2 — по схеме с общей базой. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства, высокое выходное сопротивление и больший линейный диапазон, то есть меньше искажает передаваемый сигнал. Так как потенциал коллектора входного транзистора практически не изменяется, это существенно подавляет нежелательное влияние эффекта Миллера и расширяет рабочий диапазон по частоте.

Достоинства и недостатки составных транзисторов

Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.

Достоинства составных пар Дарлингтона и Шиклаи:

  • Высокий коэффициент усиления по току.
  • Схема Дарлингтона изготавливается в составе интегральных схем и при одинаковом токе площадь занимаемая парой на поверхности кристалла кремния меньше, чем у одиночного биполярного транзистора.
  • Применяются при относительно высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора:

  • Низкое быстродействие, особенно в ключевом режиме при переходе из открытого состояния в закрытое. Поэтому составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, работающих в линейном режиме. На высоких частотах их частотные параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
  • Прямое падение напряжения Uбэ составного транзистора в схеме Дарлингтона почти в два раза больше[6], чем у одиночного транзистора, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В, так как равна сумме падений напряжения на прямосмещённых p-n переходах двух транзисторов.
  • Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности, так как не может быть меньше чем падение напряжения на прямосмещённом p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе.[уточнить]

Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии (начальный ток коллектора) создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора, так как неосновные носители, накопленные в базе VT2 при его запирании из режима насыщения не только рассасываются, но и стекают через этот резистор. Обычно сопротивление R1 выбирают величиной сотни ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько килоом в маломощном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы Дарлингтона выполненной в одном корпусе со встроенным эмиттерным резистором служит мощный n-p-n транзистор Дарлингтона типа КТ825, его типовой коэффициент усиления по току около 1000 при коллекторном токе 10 А.

Примечания

  1. ↑ Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, не используются в составном включении, так как обладая высоким входным сопротивлением, управляются напряжением, а не током и такое включение нецелесообразно.
  2. ↑ Технический паспорт транзистора КТ825.
  3. ↑ Супербе́та (супер-β) транзисторами называют транзисторы со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току, полученным за счёт очень малой толщины базы, а не за счёт составного включения. При этом рабочий базовый ток одиночного транзистора можно снизить до десятков пА. Такие транзисторы применены в первом каскаде операционных усилителей со сверхмалыми входными токами, например, типов LM111 и LM316.
  4. Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — 4-е изд., перераб. и доп.. — М.: Энергия, 1977. — С. 233, 234. — 672 с.
  5. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: В 3-х томах: Пер. с. англ. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1993. — Т. 1. — С. 104, 105. — 413 с. — 50 000 экз. — ISBN 5-03-002337-2.
  6. ↑ Это не всегда (не во всех применениях) является недостатком, но всегда — особенностью, которую надо учитывать при расчёте схемы по постоянному току, и которая не позволяет напрямую заменить одиночный транзистор на составной Дарлингтона.

Составной транзистор — Википедия. Что такое Составной транзистор

Пара Дарлингтона составленная из транзисторов n-p-n типа

Составно́й транзи́стор — электрическое соединение двух (или более) биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-транзисторов, с целью улучшения их электрических характеристик. К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др.

Пара Дарлингтона

Пара Дарлингтона с резистором, который используется в качестве нагрузки транзистора VT1.

Составной транзистор (или схема) Дарлингтона (часто — пара Дарлингтона) была предложена в 1953 году инженером Bell Laboratories Сидни Дарлингтоном (Sidney Darlington). Схема является каскадным соединением двух (редко — трех или более) биполярных[1] транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора.

Коэффициент усиления по току пары Дарлингтона очень высок и приблизительно равен произведению коэффициентов усиления по току транзисторов составляющих такую пару. У мощных транзисторов включенных по схеме пары Дарлингтона, конструктивно выпускаемой в одном корпусе (например, транзистор КТ825) гарантированный коэффициент усиления по току при нормальных условиях эксплуатации) не менее 750[2].

У пар Дарлингтона, собранных на маломощных транзисторах этот коэффициент может достигать значения 50000.

Высокий коэффициент усиления по току обеспечивает управление малым током, поданным на управляющий вход составного транзистора, выходными токами превышающими входной на несколько порядков.

Достигнуть повышения коэффициента усиления по току можно также уменьшив толщину базы при изготовлении транзистора, такие транзисторы выпускаются промышленностью и называются «супербета транзистор», но процесс их изготовления представляет определённые технологические трудности и такие транзисторы имеют очень низкие коллекторные рабочие напряжения, не превышающие нескольких вольт. Примерами супербета транзисторов могут служить серии одиночных транзисторов КТ3102, КТ3107. Однако и такие транзисторы иногда объединяют в схеме Дарлингтона. Поэтому в относительно сильноточных и высоковольтных схемах, где требуется снизить управляющий ток, используются пары Дарлингтона или пары Шиклаи.

Иногда и схему Дарлингтона не совсем корректно называют «супербета транзистор»[3].

Составные транзисторы Дарлингтона используются в сильноточных схемах, например, в схемах линейных стабилизаторов напряжения, выходных каскадах усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс и малые входные токи.

Составной транзистор имеет три электрических вывода, которые эквивалентны выводам базы, эмиттера и коллектора обычного одиночного транзистора. Иногда в схеме для ускорения закрывания выходного транзистора и снижения влияния начального тока входного транзистора используется резистивная нагрузка эмиттера входного транзистора, как показано на рисунке.

Пару Дарлингтона электрически в целом рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого, при работе транзисторов в линейном режиме, приблизительно равен произведению коэффициентов усиления всех транзисторов, например, двух:

β D ≈ β 1 ⋅ β 2 {\displaystyle \beta _{D}\approx \beta _{1}\cdot \beta _{2}}
где β D {\displaystyle \beta _{D}}  — коэффициент усиления по току пары Дарлингтона;
β 1 , {\displaystyle \beta _{1},} β 2 {\displaystyle \beta _{2}}  — коэффициенты усиления по току транзисторов пары.

Покажем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент β {\displaystyle \beta } , значительно больший, чем у его обоих транзисторов. Анализ проведен для схемы без эмиттерного резистора R 1 {\displaystyle R_{1}} (см. рисунок).

Ток эмиттера I E {\displaystyle I_{E}} любого транзистора через базовый ток I B , {\displaystyle I_{B},} статический коэффициент передачи тока базы β {\displaystyle \beta } и из 1-го правила Кирхгофа выражается формулой:

I E = I B + I C = I B + I B ⋅ β = I B ⋅ ( 1 + β ) , {\displaystyle I_{E}=I_{B}+I_{C}=I_{B}+I_{B}\cdot \beta =I_{B}\cdot (1+\beta ),}
где I C {\displaystyle I_{C}}  — ток коллектора.

Так как ток эмиттера второго транзистора I E 2 {\displaystyle I_{E2}} , опять же из 1-го правила Кирхгофа равен:

I E 2 = I B 1 + I C 1 + I C 2 , {\displaystyle I_{E2}=I_{B1}+I_{C1}+I_{C2},}
где I B 1 {\displaystyle I_{B1}}  — базовый ток 1-го транзистора;
I C 1 , {\displaystyle I_{C1},} I C 2 {\displaystyle I_{C2}}  — коллекторные токи транзисторов.

Имеем:

β D = β 1 + β 2 + β 1 ⋅ β 2 , {\displaystyle \beta _{D}=\beta _{1}+\beta _{2}+\beta _{1}\cdot \beta _{2},}
где β 1 , {\displaystyle \beta _{1},} β 2 , {\displaystyle \beta _{2},}  — статические коэффициенты передачи тока базы на коллектор транзисторов 1 и 2.

Так как у транзисторов β >> 1 , {\displaystyle \beta >>1,} то β D ≈ β 1 ⋅ β 2 . {\displaystyle \beta _{D}\approx \beta _{1}\cdot \beta _{2}.}

Следует отметить, что коэффициенты β 1 {\displaystyle \beta _{1}} и β 2 {\displaystyle \beta _{2}} различаются даже в случае применения пары совершенно одинаковых по всем параметрам транзисторов, поскольку ток эмиттера I E 2 {\displaystyle I_{E2}} в 1 + β 2 {\displaystyle 1+\beta _{2}} раз больше тока эмиттера I E 1 {\displaystyle I_{E1}} , (это вытекает из очевидного равенства I B 2 = I E 1 , {\displaystyle I_{B2}=I_{E1},} а статический коэффициент передачи тока транзистора заметно зависит от тока коллектора и может различаться в разы при разных токах[4].

Пара Шиклаи

{\displaystyle I_{B2}=I_{E1},} Каскад Шиклаи, эквивалентный n-p-n транзистору

Паре Дарлингтона подобно соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Sziklai pair), названное так в честь его изобретателя Джорджа К. Шиклаи, также иногда называемое комплементарным транзистором Дарлингтона[5]. В отличие от схемы Дарлингтона, состоящей из двух транзисторов одного типа проводимости, схема Шиклаи содержит транзисторы разного типа проводимости(p-n-p и n-p-n). Пара Шиклаи электрически эквивалентна n-p-n-транзистору c большим коэффициентом усиления. Входное напряжение — это напряжение между базой и эмиттером транзистора Q1, а напряжение насыщения равно по крайней мере падению напряжения на диоде[уточнить]. Между базой и эмиттером транзистора Q2 обычно включают резистор с небольшим сопротивлением. Такая схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одной проводимости.[уточнить]

Каскодная схема

{\displaystyle I_{B2}=I_{E1},}

Основная статья: Каскодный усилитель

Составной транзистор, выполненный по так называемой каскодной схеме, характеризуется тем, что транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером, а транзистор VT2 — по схеме с общей базой. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства, высокое выходное сопротивление и больший линейный диапазон, то есть меньше искажает передаваемый сигнал. Так как потенциал коллектора входного транзистора практически не изменяется, это существенно подавляет нежелательное влияние эффекта Миллера и расширяет рабочий диапазон по частоте.

Достоинства и недостатки составных транзисторов

Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.

Достоинства составных пар Дарлингтона и Шиклаи:

  • Высокий коэффициент усиления по току.
  • Схема Дарлингтона изготавливается в составе интегральных схем и при одинаковом токе площадь занимаемая парой на поверхности кристалла кремния меньше, чем у одиночного биполярного транзистора.
  • Применяются при относительно высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора:

  • Низкое быстродействие, особенно в ключевом режиме при переходе из открытого состояния в закрытое. Поэтому составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, работающих в линейном режиме. На высоких частотах их частотные параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
  • Прямое падение напряжения Uбэ составного транзистора в схеме Дарлингтона почти в два раза больше[6], чем у одиночного транзистора, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В, так как равна сумме падений напряжения на прямосмещённых p-n переходах двух транзисторов.
  • Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности, так как не может быть меньше чем падение напряжения на прямосмещённом p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе.[уточнить]

Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии (начальный ток коллектора) создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора, так как неосновные носители, накопленные в базе VT2 при его запирании из режима насыщения не только рассасываются, но и стекают через этот резистор. Обычно сопротивление R1 выбирают величиной сотни ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько килоом в маломощном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы Дарлингтона выполненной в одном корпусе со встроенным эмиттерным резистором служит мощный n-p-n транзистор Дарлингтона типа КТ825, его типовой коэффициент усиления по току около 1000 при коллекторном токе 10 А.

Примечания

  1. ↑ Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, не используются в составном включении, так как обладая высоким входным сопротивлением, управляются напряжением, а не током и такое включение нецелесообразно.
  2. ↑ Технический паспорт транзистора КТ825.
  3. ↑ Супербе́та (супер-β) транзисторами называют транзисторы со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току, полученным за счёт очень малой толщины базы, а не за счёт составного включения. При этом рабочий базовый ток одиночного транзистора можно снизить до десятков пА. Такие транзисторы применены в первом каскаде операционных усилителей со сверхмалыми входными токами, например, типов LM111 и LM316.
  4. Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — 4-е изд., перераб. и доп.. — М.: Энергия, 1977. — С. 233, 234. — 672 с.
  5. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: В 3-х томах: Пер. с. англ. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1993. — Т. 1. — С. 104, 105. — 413 с. — 50 000 экз. — ISBN 5-03-002337-2.
  6. ↑ Это не всегда (не во всех применениях) является недостатком, но всегда — особенностью, которую надо учитывать при расчёте схемы по постоянному току, и которая не позволяет напрямую заменить одиночный транзистор на составной Дарлингтона.

Составной транзистор — Википедия. Что такое Составной транзистор

Пара Дарлингтона составленная из транзисторов n-p-n типа

Составно́й транзи́стор — электрическое соединение двух (или более) биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-транзисторов, с целью улучшения их электрических характеристик. К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др.

Пара Дарлингтона

Пара Дарлингтона с резистором, который используется в качестве нагрузки транзистора VT1.

Составной транзистор (или схема) Дарлингтона (часто — пара Дарлингтона) была предложена в 1953 году инженером Bell Laboratories Сидни Дарлингтоном (Sidney Darlington). Схема является каскадным соединением двух (редко — трех или более) биполярных[1] транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора.

Коэффициент усиления по току пары Дарлингтона очень высок и приблизительно равен произведению коэффициентов усиления по току транзисторов составляющих такую пару. У мощных транзисторов включенных по схеме пары Дарлингтона, конструктивно выпускаемой в одном корпусе (например, транзистор КТ825) гарантированный коэффициент усиления по току при нормальных условиях эксплуатации) не менее 750[2].

У пар Дарлингтона, собранных на маломощных транзисторах этот коэффициент может достигать значения 50000.

Высокий коэффициент усиления по току обеспечивает управление малым током, поданным на управляющий вход составного транзистора, выходными токами превышающими входной на несколько порядков.

Достигнуть повышения коэффициента усиления по току можно также уменьшив толщину базы при изготовлении транзистора, такие транзисторы выпускаются промышленностью и называются «супербета транзистор», но процесс их изготовления представляет определённые технологические трудности и такие транзисторы имеют очень низкие коллекторные рабочие напряжения, не превышающие нескольких вольт. Примерами супербета транзисторов могут служить серии одиночных транзисторов КТ3102, КТ3107. Однако и такие транзисторы иногда объединяют в схеме Дарлингтона. Поэтому в относительно сильноточных и высоковольтных схемах, где требуется снизить управляющий ток, используются пары Дарлингтона или пары Шиклаи.

Иногда и схему Дарлингтона не совсем корректно называют «супербета транзистор»[3].

Составные транзисторы Дарлингтона используются в сильноточных схемах, например, в схемах линейных стабилизаторов напряжения, выходных каскадах усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс и малые входные токи.

Составной транзистор имеет три электрических вывода, которые эквивалентны выводам базы, эмиттера и коллектора обычного одиночного транзистора. Иногда в схеме для ускорения закрывания выходного транзистора и снижения влияния начального тока входного транзистора используется резистивная нагрузка эмиттера входного транзистора, как показано на рисунке.

Пару Дарлингтона электрически в целом рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого, при работе транзисторов в линейном режиме, приблизительно равен произведению коэффициентов усиления всех транзисторов, например, двух:

β D ≈ β 1 ⋅ β 2 {\displaystyle \beta _{D}\approx \beta _{1}\cdot \beta _{2}}
где β D {\displaystyle \beta _{D}}  — коэффициент усиления по току пары Дарлингтона;
β 1 , {\displaystyle \beta _{1},} β 2 {\displaystyle \beta _{2}}  — коэффициенты усиления по току транзисторов пары.

Покажем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент β {\displaystyle \beta } , значительно больший, чем у его обоих транзисторов. Анализ проведен для схемы без эмиттерного резистора R 1 {\displaystyle R_{1}} (см. рисунок).

Ток эмиттера I E {\displaystyle I_{E}} любого транзистора через базовый ток I B , {\displaystyle I_{B},} статический коэффициент передачи тока базы β {\displaystyle \beta } и из 1-го правила Кирхгофа выражается формулой:

I E = I B + I C = I B + I B ⋅ β = I B ⋅ ( 1 + β ) , {\displaystyle I_{E}=I_{B}+I_{C}=I_{B}+I_{B}\cdot \beta =I_{B}\cdot (1+\beta ),}
где I C {\displaystyle I_{C}}  — ток коллектора.

Так как ток эмиттера второго транзистора I E 2 {\displaystyle I_{E2}} , опять же из 1-го правила Кирхгофа равен:

I E 2 = I B 1 + I C 1 + I C 2 , {\displaystyle I_{E2}=I_{B1}+I_{C1}+I_{C2},}
где I B 1 {\displaystyle I_{B1}}  — базовый ток 1-го транзистора;
I C 1 , {\displaystyle I_{C1},} I C 2 {\displaystyle I_{C2}}  — коллекторные токи транзисторов.

Имеем:

β D = β 1 + β 2 + β 1 ⋅ β 2 , {\displaystyle \beta _{D}=\beta _{1}+\beta _{2}+\beta _{1}\cdot \beta _{2},}
где β 1 , {\displaystyle \beta _{1},} β 2 , {\displaystyle \beta _{2},}  — статические коэффициенты передачи тока базы на коллектор транзисторов 1 и 2.

Так как у транзисторов β >> 1 , {\displaystyle \beta >>1,} то β D ≈ β 1 ⋅ β 2 . {\displaystyle \beta _{D}\approx \beta _{1}\cdot \beta _{2}.}

Следует отметить, что коэффициенты β 1 {\displaystyle \beta _{1}} и β 2 {\displaystyle \beta _{2}} различаются даже в случае применения пары совершенно одинаковых по всем параметрам транзисторов, поскольку ток эмиттера I E 2 {\displaystyle I_{E2}} в 1 + β 2 {\displaystyle 1+\beta _{2}} раз больше тока эмиттера I E 1 {\displaystyle I_{E1}} , (это вытекает из очевидного равенства I B 2 = I E 1 , {\displaystyle I_{B2}=I_{E1},} а статический коэффициент передачи тока транзистора заметно зависит от тока коллектора и может различаться в разы при разных токах[4].

Пара Шиклаи

{\displaystyle I_{B2}=I_{E1},} Каскад Шиклаи, эквивалентный n-p-n транзистору

Паре Дарлингтона подобно соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Sziklai pair), названное так в честь его изобретателя Джорджа К. Шиклаи, также иногда называемое комплементарным транзистором Дарлингтона[5]. В отличие от схемы Дарлингтона, состоящей из двух транзисторов одного типа проводимости, схема Шиклаи содержит транзисторы разного типа проводимости(p-n-p и n-p-n). Пара Шиклаи электрически эквивалентна n-p-n-транзистору c большим коэффициентом усиления. Входное напряжение — это напряжение между базой и эмиттером транзистора Q1, а напряжение насыщения равно по крайней мере падению напряжения на диоде[уточнить]. Между базой и эмиттером транзистора Q2 обычно включают резистор с небольшим сопротивлением. Такая схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одной проводимости.[уточнить]

Каскодная схема

{\displaystyle I_{B2}=I_{E1},}

Основная статья: Каскодный усилитель

Составной транзистор, выполненный по так называемой каскодной схеме, характеризуется тем, что транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером, а транзистор VT2 — по схеме с общей базой. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства, высокое выходное сопротивление и больший линейный диапазон, то есть меньше искажает передаваемый сигнал. Так как потенциал коллектора входного транзистора практически не изменяется, это существенно подавляет нежелательное влияние эффекта Миллера и расширяет рабочий диапазон по частоте.

Достоинства и недостатки составных транзисторов

Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.

Достоинства составных пар Дарлингтона и Шиклаи:

  • Высокий коэффициент усиления по току.
  • Схема Дарлингтона изготавливается в составе интегральных схем и при одинаковом токе площадь занимаемая парой на поверхности кристалла кремния меньше, чем у одиночного биполярного транзистора.
  • Применяются при относительно высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора:

  • Низкое быстродействие, особенно в ключевом режиме при переходе из открытого состояния в закрытое. Поэтому составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, работающих в линейном режиме. На высоких частотах их частотные параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
  • Прямое падение напряжения Uбэ составного транзистора в схеме Дарлингтона почти в два раза больше[6], чем у одиночного транзистора, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В, так как равна сумме падений напряжения на прямосмещённых p-n переходах двух транзисторов.
  • Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности, так как не может быть меньше чем падение напряжения на прямосмещённом p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе.[уточнить]

Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии (начальный ток коллектора) создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора, так как неосновные носители, накопленные в базе VT2 при его запирании из режима насыщения не только рассасываются, но и стекают через этот резистор. Обычно сопротивление R1 выбирают величиной сотни ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько килоом в маломощном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы Дарлингтона выполненной в одном корпусе со встроенным эмиттерным резистором служит мощный n-p-n транзистор Дарлингтона типа КТ825, его типовой коэффициент усиления по току около 1000 при коллекторном токе 10 А.

Примечания

  1. ↑ Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, не используются в составном включении, так как обладая высоким входным сопротивлением, управляются напряжением, а не током и такое включение нецелесообразно.
  2. ↑ Технический паспорт транзистора КТ825.
  3. ↑ Супербе́та (супер-β) транзисторами называют транзисторы со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току, полученным за счёт очень малой толщины базы, а не за счёт составного включения. При этом рабочий базовый ток одиночного транзистора можно снизить до десятков пА. Такие транзисторы применены в первом каскаде операционных усилителей со сверхмалыми входными токами, например, типов LM111 и LM316.
  4. Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — 4-е изд., перераб. и доп.. — М.: Энергия, 1977. — С. 233, 234. — 672 с.
  5. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: В 3-х томах: Пер. с. англ. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1993. — Т. 1. — С. 104, 105. — 413 с. — 50 000 экз. — ISBN 5-03-002337-2.
  6. ↑ Это не всегда (не во всех применениях) является недостатком, но всегда — особенностью, которую надо учитывать при расчёте схемы по постоянному току, и которая не позволяет напрямую заменить одиночный транзистор на составной Дарлингтона.

Составной транзистор — Википедия. Что такое Составной транзистор

Пара Дарлингтона составленная из транзисторов n-p-n типа

Составно́й транзи́стор — электрическое соединение двух (или более) биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-транзисторов, с целью улучшения их электрических характеристик. К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др.

Пара Дарлингтона

Пара Дарлингтона с резистором, который используется в качестве нагрузки транзистора VT1.

Составной транзистор (или схема) Дарлингтона (часто — пара Дарлингтона) была предложена в 1953 году инженером Bell Laboratories Сидни Дарлингтоном (Sidney Darlington). Схема является каскадным соединением двух (редко — трех или более) биполярных[1] транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора.

Коэффициент усиления по току пары Дарлингтона очень высок и приблизительно равен произведению коэффициентов усиления по току транзисторов составляющих такую пару. У мощных транзисторов включенных по схеме пары Дарлингтона, конструктивно выпускаемой в одном корпусе (например, транзистор КТ825) гарантированный коэффициент усиления по току при нормальных условиях эксплуатации) не менее 750[2].

У пар Дарлингтона, собранных на маломощных транзисторах этот коэффициент может достигать значения 50000.

Высокий коэффициент усиления по току обеспечивает управление малым током, поданным на управляющий вход составного транзистора, выходными токами превышающими входной на несколько порядков.

Достигнуть повышения коэффициента усиления по току можно также уменьшив толщину базы при изготовлении транзистора, такие транзисторы выпускаются промышленностью и называются «супербета транзистор», но процесс их изготовления представляет определённые технологические трудности и такие транзисторы имеют очень низкие коллекторные рабочие напряжения, не превышающие нескольких вольт. Примерами супербета транзисторов могут служить серии одиночных транзисторов КТ3102, КТ3107. Однако и такие транзисторы иногда объединяют в схеме Дарлингтона. Поэтому в относительно сильноточных и высоковольтных схемах, где требуется снизить управляющий ток, используются пары Дарлингтона или пары Шиклаи.

Иногда и схему Дарлингтона не совсем корректно называют «супербета транзистор»[3].

Составные транзисторы Дарлингтона используются в сильноточных схемах, например, в схемах линейных стабилизаторов напряжения, выходных каскадах усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс и малые входные токи.

Составной транзистор имеет три электрических вывода, которые эквивалентны выводам базы, эмиттера и коллектора обычного одиночного транзистора. Иногда в схеме для ускорения закрывания выходного транзистора и снижения влияния начального тока входного транзистора используется резистивная нагрузка эмиттера входного транзистора, как показано на рисунке.

Пару Дарлингтона электрически в целом рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого, при работе транзисторов в линейном режиме, приблизительно равен произведению коэффициентов усиления всех транзисторов, например, двух:

β D ≈ β 1 ⋅ β 2 {\displaystyle \beta _{D}\approx \beta _{1}\cdot \beta _{2}}
где β D {\displaystyle \beta _{D}}  — коэффициент усиления по току пары Дарлингтона;
β 1 , {\displaystyle \beta _{1},} β 2 {\displaystyle \beta _{2}}  — коэффициенты усиления по току транзисторов пары.

Покажем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент β {\displaystyle \beta } , значительно больший, чем у его обоих транзисторов. Анализ проведен для схемы без эмиттерного резистора R 1 {\displaystyle R_{1}} (см. рисунок).

Ток эмиттера I E {\displaystyle I_{E}} любого транзистора через базовый ток I B , {\displaystyle I_{B},} статический коэффициент передачи тока базы β {\displaystyle \beta } и из 1-го правила Кирхгофа выражается формулой:

I E = I B + I C = I B + I B ⋅ β = I B ⋅ ( 1 + β ) , {\displaystyle I_{E}=I_{B}+I_{C}=I_{B}+I_{B}\cdot \beta =I_{B}\cdot (1+\beta ),}
где I C {\displaystyle I_{C}}  — ток коллектора.

Так как ток эмиттера второго транзистора I E 2 {\displaystyle I_{E2}} , опять же из 1-го правила Кирхгофа равен:

I E 2 = I B 1 + I C 1 + I C 2 , {\displaystyle I_{E2}=I_{B1}+I_{C1}+I_{C2},}
где I B 1 {\displaystyle I_{B1}}  — базовый ток 1-го транзистора;
I C 1 , {\displaystyle I_{C1},} I C 2 {\displaystyle I_{C2}}  — коллекторные токи транзисторов.

Имеем:

β D = β 1 + β 2 + β 1 ⋅ β 2 , {\displaystyle \beta _{D}=\beta _{1}+\beta _{2}+\beta _{1}\cdot \beta _{2},}
где β 1 , {\displaystyle \beta _{1},} β 2 , {\displaystyle \beta _{2},}  — статические коэффициенты передачи тока базы на коллектор транзисторов 1 и 2.

Так как у транзисторов β >> 1 , {\displaystyle \beta >>1,} то β D ≈ β 1 ⋅ β 2 . {\displaystyle \beta _{D}\approx \beta _{1}\cdot \beta _{2}.}

Следует отметить, что коэффициенты β 1 {\displaystyle \beta _{1}} и β 2 {\displaystyle \beta _{2}} различаются даже в случае применения пары совершенно одинаковых по всем параметрам транзисторов, поскольку ток эмиттера I E 2 {\displaystyle I_{E2}} в 1 + β 2 {\displaystyle 1+\beta _{2}} раз больше тока эмиттера I E 1 {\displaystyle I_{E1}} , (это вытекает из очевидного равенства I B 2 = I E 1 , {\displaystyle I_{B2}=I_{E1},} а статический коэффициент передачи тока транзистора заметно зависит от тока коллектора и может различаться в разы при разных токах[4].

Пара Шиклаи

{\displaystyle I_{B2}=I_{E1},} Каскад Шиклаи, эквивалентный n-p-n транзистору

Паре Дарлингтона подобно соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Sziklai pair), названное так в честь его изобретателя Джорджа К. Шиклаи, также иногда называемое комплементарным транзистором Дарлингтона[5]. В отличие от схемы Дарлингтона, состоящей из двух транзисторов одного типа проводимости, схема Шиклаи содержит транзисторы разного типа проводимости(p-n-p и n-p-n). Пара Шиклаи электрически эквивалентна n-p-n-транзистору c большим коэффициентом усиления. Входное напряжение — это напряжение между базой и эмиттером транзистора Q1, а напряжение насыщения равно по крайней мере падению напряжения на диоде[уточнить]. Между базой и эмиттером транзистора Q2 обычно включают резистор с небольшим сопротивлением. Такая схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одной проводимости.[уточнить]

Каскодная схема

{\displaystyle I_{B2}=I_{E1},}

Основная статья: Каскодный усилитель

Составной транзистор, выполненный по так называемой каскодной схеме, характеризуется тем, что транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером, а транзистор VT2 — по схеме с общей базой. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства, высокое выходное сопротивление и больший линейный диапазон, то есть меньше искажает передаваемый сигнал. Так как потенциал коллектора входного транзистора практически не изменяется, это существенно подавляет нежелательное влияние эффекта Миллера и расширяет рабочий диапазон по частоте.

Достоинства и недостатки составных транзисторов

Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.

Достоинства составных пар Дарлингтона и Шиклаи:

  • Высокий коэффициент усиления по току.
  • Схема Дарлингтона изготавливается в составе интегральных схем и при одинаковом токе площадь занимаемая парой на поверхности кристалла кремния меньше, чем у одиночного биполярного транзистора.
  • Применяются при относительно высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора:

  • Низкое быстродействие, особенно в ключевом режиме при переходе из открытого состояния в закрытое. Поэтому составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, работающих в линейном режиме. На высоких частотах их частотные параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
  • Прямое падение напряжения Uбэ составного транзистора в схеме Дарлингтона почти в два раза больше[6], чем у одиночного транзистора, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В, так как равна сумме падений напряжения на прямосмещённых p-n переходах двух транзисторов.
  • Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности, так как не может быть меньше чем падение напряжения на прямосмещённом p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе.[уточнить]

Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии (начальный ток коллектора) создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора, так как неосновные носители, накопленные в базе VT2 при его запирании из режима насыщения не только рассасываются, но и стекают через этот резистор. Обычно сопротивление R1 выбирают величиной сотни ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько килоом в маломощном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы Дарлингтона выполненной в одном корпусе со встроенным эмиттерным резистором служит мощный n-p-n транзистор Дарлингтона типа КТ825, его типовой коэффициент усиления по току около 1000 при коллекторном токе 10 А.

Примечания

  1. ↑ Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, не используются в составном включении, так как обладая высоким входным сопротивлением, управляются напряжением, а не током и такое включение нецелесообразно.
  2. ↑ Технический паспорт транзистора КТ825.
  3. ↑ Супербе́та (супер-β) транзисторами называют транзисторы со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току, полученным за счёт очень малой толщины базы, а не за счёт составного включения. При этом рабочий базовый ток одиночного транзистора можно снизить до десятков пА. Такие транзисторы применены в первом каскаде операционных усилителей со сверхмалыми входными токами, например, типов LM111 и LM316.
  4. Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — 4-е изд., перераб. и доп.. — М.: Энергия, 1977. — С. 233, 234. — 672 с.
  5. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: В 3-х томах: Пер. с. англ. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1993. — Т. 1. — С. 104, 105. — 413 с. — 50 000 экз. — ISBN 5-03-002337-2.
  6. ↑ Это не всегда (не во всех применениях) является недостатком, но всегда — особенностью, которую надо учитывать при расчёте схемы по постоянному току, и которая не позволяет напрямую заменить одиночный транзистор на составной Дарлингтона.

Составной транзистор — Википедия

Пара Дарлингтона с резистором, который используется в качестве нагрузки транзистора VT1.

Составной транзистор (или схема) Дарлингтона (часто — пара Дарлингтона) была предложена в 1953 году инженером Bell Laboratories Сидни Дарлингтоном (Sidney Darlington). Схема является каскадным соединением двух (редко — трех или более) биполярных[1] транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора.

Коэффициент усиления по току пары Дарлингтона очень высок и приблизительно равен произведению коэффициентов усиления по току транзисторов составляющих такую пару. У мощных транзисторов включенных по схеме пары Дарлингтона, конструктивно выпускаемой в одном корпусе (например, транзистор КТ825) гарантированный коэффициент усиления по току при нормальных условиях эксплуатации) не менее 750[2].

У пар Дарлингтона, собранных на маломощных транзисторах этот коэффициент может достигать значения 50000.

Высокий коэффициент усиления по току обеспечивает управление малым током, поданным на управляющий вход составного транзистора, выходными токами превышающими входной на несколько порядков.

Достигнуть повышения коэффициента усиления по току можно также уменьшив толщину базы при изготовлении транзистора, такие транзисторы выпускаются промышленностью и называются «супербета транзистор», но процесс их изготовления представляет определённые технологические трудности и такие транзисторы имеют очень низкие коллекторные рабочие напряжения, не превышающие нескольких вольт. Примерами супербета транзисторов могут служить серии одиночных транзисторов КТ3102, КТ3107. Однако и такие транзисторы иногда объединяют в схеме Дарлингтона. Поэтому в относительно сильноточных и высоковольтных схемах, где требуется снизить управляющий ток, используются пары Дарлингтона или пары Шиклаи.

Иногда и схему Дарлингтона не совсем корректно называют «супербета транзистор»[3].

Составные транзисторы Дарлингтона используются в сильноточных схемах, например, в схемах линейных стабилизаторов напряжения, выходных каскадах усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс и малые входные токи.

Составной транзистор имеет три электрических вывода, которые эквивалентны выводам базы, эмиттера и коллектора обычного одиночного транзистора. Иногда в схеме для ускорения закрывания выходного транзистора и снижения влияния начального тока входного транзистора используется резистивная нагрузка эмиттера входного транзистора, как показано на рисунке.

Пару Дарлингтона электрически в целом рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого, при работе транзисторов в линейном режиме, приблизительно равен произведению коэффициентов усиления всех транзисторов, например, двух:

β D ≈ β 1 ⋅ β 2 {\displaystyle \beta _{D}\approx \beta _{1}\cdot \beta _{2}}
где β D {\displaystyle \beta _{D}}  — коэффициент усиления по току пары Дарлингтона;
β 1 , {\displaystyle \beta _{1},} β 2 {\displaystyle \beta _{2}}  — коэффициенты усиления по току транзисторов пары.

Покажем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент β {\displaystyle \beta } , значительно больший, чем у его обоих транзисторов. Анализ проведен для схемы без эмиттерного резистора R 1 {\displaystyle R_{1}} (см. рисунок).

Ток эмиттера I E {\displaystyle I_{E}} любого транзистора через базовый ток I B , {\displaystyle I_{B},} статический коэффициент передачи тока базы β {\displaystyle \beta } и из 1-го правила Кирхгофа выражается формулой:

I E = I B + I C = I B + I B ⋅ β = I B ⋅ ( 1 + β ) , {\displaystyle I_{E}=I_{B}+I_{C}=I_{B}+I_{B}\cdot \beta =I_{B}\cdot (1+\beta ),}
где I C {\displaystyle I_{C}}  — ток коллектора.

Так как ток эмиттера второго транзистора I E 2 {\displaystyle I_{E2}} , опять же из 1-го правила Кирхгофа равен:

I E 2 = I B 1 + I C 1 + I C 2 , {\displaystyle I_{E2}=I_{B1}+I_{C1}+I_{C2},}
где I B 1 {\displaystyle I_{B1}}  — базовый ток 1-го транзистора;
I C 1 , {\displaystyle I_{C1},} I C 2 {\displaystyle I_{C2}}  — коллекторные токи транзисторов.

Имеем:

β D = β 1 + β 2 + β 1 ⋅ β 2 , {\displaystyle \beta _{D}=\beta _{1}+\beta _{2}+\beta _{1}\cdot \beta _{2},}
где β 1 , {\displaystyle \beta _{1},} β 2 , {\displaystyle \beta _{2},}  — статические коэффициенты передачи тока базы на коллектор транзисторов 1 и 2.

Так как у транзисторов β >> 1 , {\displaystyle \beta >>1,} то β D ≈ β 1 ⋅ β 2 . {\displaystyle \beta _{D}\approx \beta _{1}\cdot \beta _{2}.}

Следует отметить, что коэффициенты β 1 {\displaystyle \beta _{1}} и β 2 {\displaystyle \beta _{2}} различаются даже в случае применения пары совершенно одинаковых по всем параметрам транзисторов, поскольку ток эмиттера I E 2 {\displaystyle I_{E2}} в 1 + β 2 {\displaystyle 1+\beta _{2}} раз больше тока эмиттера I E 1 {\displaystyle I_{E1}} , (это вытекает из очевидного равенства I B 2 = I E 1 , {\displaystyle I_{B2}=I_{E1},} а статический коэффициент передачи тока транзистора заметно зависит от тока коллектора и может различаться в разы при разных токах[4].

Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.

Достоинства составных пар Дарлингтона и Шиклаи:

  • Высокий коэффициент усиления по току.
  • Схема Дарлингтона изготавливается в составе интегральных схем и при одинаковом токе площадь занимаемая парой на поверхности кристалла кремния меньше, чем у одиночного биполярного транзистора.
  • Применяются при относительно высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора:

  • Низкое быстродействие, особенно в ключевом режиме при переходе из открытого состояния в закрытое. Поэтому составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, работающих в линейном режиме. На высоких частотах их частотные параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
  • Прямое падение напряжения Uбэ составного транзистора в схеме Дарлингтона почти в два раза больше[6], чем у одиночного транзистора, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В, так как равна сумме падений напряжения на прямосмещённых p-n переходах двух транзисторов.
  • Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности, так как не может быть меньше чем падение напряжения на прямосмещённом p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе.[уточнить]

Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии (начальный ток коллектора) создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора, так как неосновные носители, накопленные в базе VT2 при его запирании из режима насыщения не только рассасываются, но и стекают через этот резистор. Обычно сопротивление R1 выбирают величиной сотни ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько килоом в маломощном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы Дарлингтона выполненной в одном корпусе со встроенным эмиттерным резистором служит мощный n-p-n транзистор Дарлингтона типа КТ825, его типовой коэффициент усиления по току около 1000 при коллекторном токе 10 А.

Схема транзистора «Классификация» | Основы электроники

Классифицируется по форме.

Размер и форма транзистора определяются потребляемой мощностью и способом монтажа. Транзисторы можно разделить на выводы с выводами и на поверхность.

Типовые формы транзисторов

(На рисунках показаны виды в разрезе)

Миниатюрный транзистор поверхностного монтажа Транзистор вставного типа

Классификация по конструкции

Транзисторы

обычно делятся на два основных типа в зависимости от их конструкции.Эти два типа представляют собой транзисторы с биполярным переходом (BJT) и полевые транзисторы (FET).

Биполярные транзисторы

Слово «биполярный» состоит из двух корневых слов. Би (что означает «два») и полярный (что означает «противоположности»). Биполярный транзистор — это транзистор, в котором ток через транзистор передается через отверстия (положительная полярность) и электроны (отрицательная полярность). Транзисторы с биполярным переходом были первым типом транзисторов, которые начали массово производиться в 1947 году в виде транзисторов с точечным контактом (Bell Labs).Они представляют собой комбинацию двух переходных диодов и образованы либо из тонкого слоя полупроводника p-типа, зажатого между двумя полупроводниками n-типа (транзистор n – p – n), либо из тонкого слоя полупроводника n-типа, зажатого между два полупроводника p-типа (ap – n – p транзистор).

полевых транзисторов

Полевые транзисторы (полевые транзисторы) можно разделить на три различных типа; полевые транзисторы переходного типа, полевые транзисторы типа MOS (металл-оксид-полупроводник) и полевые транзисторы типа MES (металл-полупроводник). Полевые транзисторы переходного типа в основном используются в аналоговых схемах, например, в звуковом оборудовании, а полевые транзисторы типа МОП используются в основном в цифровых ИС, например, в микрокомпьютерах.Полевые транзисторы типа MES используются для усиления микроволн, например, в приемопередатчиках спутникового вещания.

Классификация по допустимой мощности

Существует две широких классификации транзисторов в зависимости от их допустимой мощности: малосигнальные транзисторы и силовые транзисторы. Эти классификации основаны, прежде всего, на максимальной мощности рассеиваемой мощности коллектора Pc.

Малосигнальные транзисторы

Это транзисторы, у которых максимальный ток коллектора (IC (max)) составляет около 500 мА или меньше, а максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc (max)) меньше 1 Вт.Эти транзисторы называются транзисторами с малым сигналом, чтобы отличать их от силовых транзисторов, и имеют особенность, заключающуюся в том, что они, как правило, изготовлены из эпоксидной смолы.

Силовые транзисторы

Если транзистор имеет Pc 1 Вт или более, его обычно классифицируют как силовой транзистор. По сравнению с малосигнальными транзисторами силовые транзисторы имеют больший максимальный ток коллектора, максимальную рассеиваемую мощность коллектора, а также имеют больший размер для удовлетворения тепловыделения. Обычно они экранированы металлом или имеют конструкцию с теплоизлучающими ребрами.

В Японии транзистор называют «камнем». Слово «транзистор» — это комбинация передачи и резистора. Поскольку транзистор сделан из кремния, который является основным элементом всех горных пород и камней на Земле, многие японские дизайнеры называют транзистор камнем.

Классификация по типу интеграции

Помимо транзисторов дискретного типа, ROHM также производит композитные транзисторы. Они объединяют несколько транзисторов вместе, чтобы удовлетворить различные потребности пользователей.К ним относятся цифровые транзисторы со встроенными резисторами, массивы транзисторов, состоящие из нескольких транзисторов в одном корпусе, и транзисторные блоки со встроенными простыми схемами.

Дискретные транзисторы

Это транзисторы в индивидуальной упаковке. Они становятся все менее распространенными, поскольку подавляющее большинство транзисторов в настоящее время производится в интегральных схемах вместе с диодами, резисторами, конденсаторами и другими электронными компонентами для создания законченных электронных схем.

Транзисторы композитные

Составной транзистор (иногда известный как транзистор Дарлингтона) представляет собой комбинацию двух или более транзисторов (обычно транзисторов с биполярным переходом) с целью увеличения коэффициента усиления по току.

* Цифровые транзисторы

Цифровой транзистор — это биполярный транзистор со встроенными резисторами. Это стандартные транзисторы, которые используются в схемотехнике.

Транзистор ,

Страница не найдена — Industrial Devices & Solutions

Home
  • Политика в отношении файлов cookie
  • Потребитель
  • Бизнес
  • Продукты
  • Руководства по применению
  • Скачать
  • Поддержка дизайна
  • Новости
  • Свяжитесь с нами
близко
  • Конденсаторы
  • Резисторы
  • Катушки индуктивности
  • Решения для управления температурным режимом
  • Компоненты ЭМС, защита цепей
  • Датчики
  • Устройства ввода
  • Полупроводники
  • Реле, разъемы
  • FA Датчики и компоненты
  • Моторы, компрессоры
  • Промышленные устройства, носители информации
  • Пользовательские и модульные устройства
  • Завод автоматики, сварочные аппараты
  • Промышленные аккумуляторы
  • Электронные материалы
  • Материалы
  • Конденсаторы электролитические с проводящим полимером
  • Алюминиевые электролитические конденсаторы
  • Электрические двухслойные конденсаторы (золотой конденсатор)
  • Пленочные конденсаторы
  • Чип резисторы
  • Другие резисторы
  • Силовые индукторы для автомобильной промышленности
  • Силовые индукторы для потребителей
  • Силовые индукторы многослойного типа
  • Катушки повышения напряжения
  • Лист термозащиты (Графитовый лист (PGS) / прикладные продукты PGS / NASBIS)
  • Термистор NTC (чип)
  • Вентилятор охлаждения с уникальным гидродинамическим подшипником
  • Материалы печатных плат
  • Компоненты ЭМС
  • Защита цепей (электростатические разряды, скачки напряжения, предохранители и т. Д.)
  • Датчики
  • Встроенные датчики
  • Датчики для автоматизации производства
  • Коммутаторы
  • Емкостное чувствительное устройство
  • Энкодеры, потенциометры
  • Микрокомпьютеры
  • Аудио и видео
  • Тег NFC и защищенная микросхема
  • ИС драйвера светодиодов
  • ИС драйвера двигателя
  • МОП-транзисторы
  • Лазерные диоды
  • Датчики изображения
  • Радиочастотные устройства
  • Силовые устройства
  • Реле
  • Разъемы
  • Датчики для автоматизации производства
  • Устройства FA
  • Двигатели для FA и промышленного применения
  • Двигатели для предприятий / бытовой техники и автомобилей
  • Компрессоры
  • Насосы постоянного тока
  • Носители записи
  • Оптические компоненты
  • Пользовательские устройства
  • Модульные устройства
  • FA
  • Сварочные аппараты, промышленные роботы
  • Устройства FA
  • Вторичные батареи (аккумуляторные батареи)
  • Первичные батареи
  • Материалы печатных плат
  • Полупроводниковые герметизирующие материалы, клеи
  • Пластиковая формовочная смесь
  • Продвинутые фильмы
  • Монокристалл оксида цинка Pana-Tetra
  • Смола Pana-Tetra Compound
  • Пленка для предотвращения электрификации Pana-Tetra
  • «AMTECLEAN A» Чистящее средство для литьевых машин
  • «AMTECLEAN Z» Неорганическое противомикробное средство
  • Алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером (SP-Cap)
  • Твердотельные конденсаторы из токопроводящего полимера и тантала (POSCAP)
  • Проводящие полимерные алюминиевые твердотельные конденсаторы (OS-CON)
  • Гибридные алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером
  • Проводящие полимерные алюминиевые твердотельные конденсаторы (OS-CON)
  • Гибридные алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером
  • Алюминиевые электролитические конденсаторы (поверхностного монтажа)
  • Алюминиевые электролитические конденсаторы (с радиальными выводами)
  • Электрические двухслойные конденсаторы (намотанного типа)
  • Пленочные конденсаторы (для электронного оборудования)
  • Пленочные конденсаторы (для двигателей переменного тока)
  • Пленочные конденсаторы (автомобильные, промышленные и инфраструктурные)
  • Прецизионные чип-резисторы
  • Чувствительные по току резисторы
  • Микросхемы малой и большой мощности
  • Антисульфированные чип-резисторы
  • Чип-резисторы общего назначения
  • Сетевой резистор
  • Резисторы с выводами
  • Аттенюатор
  • Силовые индукторы для автомобильной промышленности
  • Силовые индукторы для потребителей
  • Силовые индукторы многослойного типа
  • Катушки повышения напряжения
  • Лист термозащиты (Графитовый лист (PGS) / прикладные продукты PGS / NASBIS)
  • Термистор NTC (чип)
  • Вентилятор охлаждения с уникальным гидродинамическим подшипником
  • Материалы плат для светодиодных светильников / силовых модулей «ECOOL» серии
  • Фильтры синфазных помех
  • Пленка для защиты от электромагнитных волн
  • Подавитель ЭСР
  • Варистор микросхемы
  • Поглотители перенапряжения
  • Предохранители
  • Датчик MR
  • Инерционный датчик 6DoF для автомобилей (датчик 6в1)
  • Гироскопические датчики
  • Датчики температуры (автомобильные)
  • Датчики положения
  • Датчик движения MA
  • Инфракрасный датчик Grid-EYE
  • Датчики давления PS-A (встроенная схема усиления и температурной компенсации)
  • Датчики давления PS
  • Датчики давления PF
  • Датчик пыли (PM)
  • Камера TOF
  • Датчик движения PIR PaPIRs
  • Волоконно-оптические датчики
  • Световые завесы, компоненты безопасности
  • Датчики площади
  • Фотоэлектрические датчики / лазерные датчики
  • Микро-фотоэлектрические датчики
  • Индуктивные датчики приближения
  • Датчики давления / датчики расхода
  • Датчики измерения
  • Датчики особого назначения
  • Опции датчика
  • Системы сохранения проволоки
  • Детекторные переключатели
  • Кнопочные переключатели
  • Тактильные переключатели (переключатели Light Touch)
  • Кулисные переключатели питания
  • Переключатели с уплотнением
  • Выключатели без уплотнения
  • Сенсорные панели
  • Концевые выключатели
  • Переключатели мгновенного действия
  • Выключатели обнаружения падения
  • Выключатели блокировки
  • Емкостное чувствительное устройство
  • Энкодеры
  • Автомобильные кодеры
  • Потенциометры поворотные
  • Автомобильные поворотные потенциометры
  • 32-битное управление инвертором MN103H
  • 32-битное управление инвертором MN103S
  • 32-битная система с низким энергопотреблением MN103L
  • 8 бит с низким энергопотреблением MN101E
  • 8 бит с низким энергопотреблением MN101C
  • 8-битное сверхнизкое энергопотребление MN101L
  • MCU Arm® Cortex®-M7 MN1M7
  • Arm® Cortex®-M0 + MCU MN1M0
  • БИС отображения интерфейса человек-машина
  • Аудио интегрированные БИС
  • БИС тегов NFC
  • Модули тегов NFC
  • Защищенная IC
  • ИС драйвера светодиодов для освещения
  • ИС драйвера светодиодов для развлечений
  • ИС драйвера светодиодов для освещения
  • ИС драйвера шагового двигателя
  • ИС драйвера трехфазного бесщеточного двигателя постоянного тока
  • ИС драйвера однофазного бесщеточного двигателя постоянного тока
  • ИС драйвера двигателя постоянного тока с щеткой
  • Микросхемы драйвера объектива для видеокамеры и камеры
  • МОП-транзисторы для защиты литий-ионных батарей
  • МОП-транзисторы общего назначения
  • МОП-транзисторы для балансировки автомобильных ячеек
  • МОП-транзисторы для автомобильной схемы переключения
  • Другие полевые МОП-транзисторы
  • Красные и инфракрасные (ИК) двухволновые лазерные диоды
  • Красные лазерные диоды
  • Инфракрасные (ИК) лазерные диоды
  • Датчики изображения для безопасности, промышленности и медицины
  • Датчики изображения для вещания и цифровые фотоаппараты
  • Малошумящие усилители (МШУ)
  • Устройства питания GaN
  • Преобразователь переменного тока в постоянный / ИС источника питания (IPD)
  • Регулятор DC-DC для автомобилей, AV и промышленности
  • ИС контроля батарей
  • PhotoMOS
  • Силовые реле (более 2 А)
  • Реле безопасности
  • Твердотельные реле (SSR)
  • Сигнальные реле (2 А или меньше)
  • СВЧ-устройства (СВЧ реле / ​​коаксиальные переключатели)
  • Автомобильные реле
  • Реле отключения постоянного тока большой емкости
  • Устройство сопряжения PhotoIC
  • Интерфейсный терминал
  • Серия разъемов с узким шагом для платы к FPC
  • Серия разъемов с узким шагом между платами
  • Соединитель для стекирования высокого тока
  • Серия разъемов FPC и FFC
  • Активный оптический разъем серии
  • Решения MID (MIPTEC)
  • Волоконно-оптические датчики
  • Световые завесы, компоненты безопасности
  • Датчики площади
  • Фотоэлектрические датчики / лазерные датчики
  • Микро-фотоэлектрические датчики
  • Индуктивные датчики приближения
  • Датчики давления / датчики расхода
  • Датчики измерения
  • Датчики особого назначения
  • Опции датчика
  • Системы сохранения проволоки
  • Устройства статического управления
  • Компоненты визуализации энергопотребления
  • Программируемые контроллеры
  • Человеко-машинный интерфейс
  • Системы машинного зрения
  • Системы УФ-отверждения
  • Лазерные маркеры и считыватели 2D-кода
  • Таймеры, счетчики, компоненты FA
  • Серводвигатели переменного тока
  • Бесщеточные двигатели
  • Компактные мотор-редукторы переменного тока
  • Сервоприводы переменного тока
  • Бесщеточный усилитель
  • Компактные редукторные регуляторы скорости переменного тока
  • Опции
  • Головка шестерни
  • Двигатели для кондиционирования воздуха
  • Двигатели для пылесосов
  • Двигатели для холодильников
  • Двигатели автомобильные
  • Поршневые компрессоры (фиксированная скорость)
  • Поршневые компрессоры (регулируемая скорость)
  • Роторные компрессоры (фиксированная скорость)
  • Роторные компрессоры (с переменной скоростью)
  • Спиральные компрессоры
  • Насосы постоянного тока
  • Карты памяти SD
  • Blu-ray Disc ™
  • Асферические стеклянные линзы
  • Чип-кольцо
  • Ультразвуковой датчик расхода газа
  • Системы, связанные с установкой электронных компонентов
  • элементов решения
  • Системы, связанные с устройствами
  • Системы, связанные с дисплеем
  • измерительная система
  • Окончательная сборка, испытание и упаковка
  • Аппараты для дуговой сварки
  • Промышленные роботы
  • Устройства статического управления
  • Решения для управления энергопотреблением
  • Программируемые контроллеры
  • / интерфейсный терминал
  • Человеко-машинный интерфейс
  • Системы машинного зрения
  • Системы УФ-отверждения
  • Лазерные маркеры / считыватели 2D-кода
  • Таймеры / счетчики / компоненты FA
  • Литий-ионные батареи
.

Страница не найдена — Industrial Devices & Solutions

Home
  • Политика в отношении файлов cookie
  • Потребитель
  • Бизнес
  • Продукты
  • Руководства по применению
  • Скачать
  • Поддержка дизайна
  • Новости
  • Свяжитесь с нами
близко
  • Конденсаторы
  • Резисторы
  • Катушки индуктивности
  • Решения для управления температурным режимом
  • Компоненты ЭМС, защита цепей
  • Датчики
  • Устройства ввода
  • Полупроводники
  • Реле, разъемы
  • FA Датчики и компоненты
  • Моторы, компрессоры
  • Промышленные устройства, носители информации
  • Пользовательские и модульные устройства
  • Завод автоматики, сварочные аппараты
  • Промышленные аккумуляторы
  • Электронные материалы
  • Материалы
  • Конденсаторы электролитические с проводящим полимером
  • Алюминиевые электролитические конденсаторы
  • Электрические двухслойные конденсаторы (золотой конденсатор)
  • Пленочные конденсаторы
  • Чип резисторы
  • Другие резисторы
  • Силовые индукторы для автомобильной промышленности
  • Силовые индукторы для потребителей
  • Силовые индукторы многослойного типа
  • Катушки повышения напряжения
  • Лист термозащиты (Графитовый лист (PGS) / прикладные продукты PGS / NASBIS)
  • Термистор NTC (чип)
  • Вентилятор охлаждения с уникальным гидродинамическим подшипником
  • Материалы печатных плат
  • Компоненты ЭМС
  • Защита цепей (электростатические разряды, скачки напряжения, предохранители и т. Д.)
  • Датчики
  • Встроенные датчики
  • Датчики для автоматизации производства
  • Коммутаторы
  • Емкостное чувствительное устройство
  • Энкодеры, потенциометры
  • Микрокомпьютеры
  • Аудио и видео
  • Тег NFC и защищенная микросхема
  • ИС драйвера светодиодов
  • ИС драйвера двигателя
  • МОП-транзисторы
  • Лазерные диоды
  • Датчики изображения
  • Радиочастотные устройства
  • Силовые устройства
  • Реле
  • Разъемы
  • Датчики для автоматизации производства
  • Устройства FA
  • Двигатели для FA и промышленного применения
  • Двигатели для предприятий / бытовой техники и автомобилей
  • Компрессоры
  • Насосы постоянного тока
  • Носители записи
  • Оптические компоненты
  • Пользовательские устройства
  • Модульные устройства
  • FA
  • Сварочные аппараты, промышленные роботы
  • Устройства FA
  • Вторичные батареи (аккумуляторные батареи)
  • Первичные батареи
  • Материалы печатных плат
  • Полупроводниковые герметизирующие материалы, клеи
  • Пластиковая формовочная смесь
  • Продвинутые фильмы
  • Монокристалл оксида цинка Pana-Tetra
  • Смола Pana-Tetra Compound
  • Пленка для предотвращения электрификации Pana-Tetra
  • «AMTECLEAN A» Чистящее средство для литьевых машин
  • «AMTECLEAN Z» Неорганическое противомикробное средство
  • Алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером (SP-Cap)
  • Твердотельные конденсаторы из токопроводящего полимера и тантала (POSCAP)
  • Проводящие полимерные алюминиевые твердотельные конденсаторы (OS-CON)
  • Гибридные алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером
  • Проводящие полимерные алюминиевые твердотельные конденсаторы (OS-CON)
  • Гибридные алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером
  • Алюминиевые электролитические конденсаторы (поверхностного монтажа)
  • Алюминиевые электролитические конденсаторы (с радиальными выводами)
  • Электрические двухслойные конденсаторы (намотанного типа)
  • Пленочные конденсаторы (для электронного оборудования)
  • Пленочные конденсаторы (для двигателей переменного тока)
  • Пленочные конденсаторы (автомобильные, промышленные и инфраструктурные)
  • Прецизионные чип-резисторы
  • Чувствительные по току резисторы
  • Микросхемы малой и большой мощности
  • Антисульфированные чип-резисторы
  • Чип-резисторы общего назначения
  • Сетевой резистор
  • Резисторы с выводами
  • Аттенюатор
  • Силовые индукторы для автомобильной промышленности
  • Силовые индукторы для потребителей
  • Силовые индукторы многослойного типа
  • Катушки повышения напряжения
  • Лист термозащиты (Графитовый лист (PGS) / прикладные продукты PGS / NASBIS)
  • Термистор NTC (чип)
  • Вентилятор охлаждения с уникальным гидродинамическим подшипником
  • Материалы плат для светодиодных светильников / силовых модулей «ECOOL» серии
  • Фильтры синфазных помех
  • Пленка для защиты от электромагнитных волн
  • Подавитель ЭСР
  • Варистор микросхемы
  • Поглотители перенапряжения
  • Предохранители
  • Датчик MR
  • Инерционный датчик 6DoF для автомобилей (датчик 6в1)
  • Гироскопические датчики
  • Датчики температуры (автомобильные)
  • Датчики положения
  • Датчик движения MA
  • Инфракрасный датчик Grid-EYE
  • Датчики давления PS-A (встроенная схема усиления и температурной компенсации)
  • Датчики давления PS
  • Датчики давления PF
  • Датчик пыли (PM)
  • Камера TOF
  • Датчик движения PIR PaPIRs
  • Волоконно-оптические датчики
  • Световые завесы, компоненты безопасности
  • Датчики площади
  • Фотоэлектрические датчики / лазерные датчики
  • Микро-фотоэлектрические датчики
  • Индуктивные датчики приближения
  • Датчики давления / датчики расхода
  • Датчики измерения
  • Датчики особого назначения
  • Опции датчика
  • Системы сохранения проволоки
  • Детекторные переключатели
  • Кнопочные переключатели
  • Тактильные переключатели (переключатели Light Touch)
  • Кулисные переключатели питания
  • Переключатели с уплотнением
  • Выключатели без уплотнения
  • Сенсорные панели
  • Концевые выключатели
  • Переключатели мгновенного действия
  • Выключатели обнаружения падения
  • Выключатели блокировки
  • Емкостное чувствительное устройство
  • Энкодеры
  • Автомобильные кодеры
  • Потенциометры поворотные
  • Автомобильные поворотные потенциометры
  • 32-битное управление инвертором MN103H
  • 32-битное управление инвертором MN103S
  • 32-битная система с низким энергопотреблением MN103L
  • 8 бит с низким энергопотреблением MN101E
  • 8 бит с низким энергопотреблением MN101C
  • 8-битное сверхнизкое энергопотребление MN101L
  • MCU Arm® Cortex®-M7 MN1M7
  • Arm® Cortex®-M0 + MCU MN1M0
  • БИС отображения интерфейса человек-машина
  • Аудио интегрированные БИС
  • БИС тегов NFC
  • Модули тегов NFC
  • Защищенная IC
  • ИС драйвера светодиодов для освещения
  • ИС драйвера светодиодов для развлечений
  • ИС драйвера светодиодов для освещения
  • ИС драйвера шагового двигателя
  • ИС драйвера трехфазного бесщеточного двигателя постоянного тока
  • ИС драйвера однофазного бесщеточного двигателя постоянного тока
  • ИС драйвера двигателя постоянного тока с щеткой
  • Микросхемы драйвера объектива для видеокамеры и камеры
  • МОП-транзисторы для защиты литий-ионных батарей
  • МОП-транзисторы общего назначения
  • МОП-транзисторы для балансировки автомобильных ячеек
  • МОП-транзисторы для автомобильной схемы переключения
  • Другие полевые МОП-транзисторы
  • Красные и инфракрасные (ИК) двухволновые лазерные диоды
  • Красные лазерные диоды
  • Инфракрасные (ИК) лазерные диоды
  • Датчики изображения для безопасности, промышленности и медицины
  • Датчики изображения для вещания и цифровые фотоаппараты
  • Малошумящие усилители (МШУ)
  • Устройства питания GaN
  • Преобразователь переменного тока в постоянный / ИС источника питания (IPD)
  • Регулятор DC-DC для автомобилей, AV и промышленности
  • ИС контроля батарей
  • PhotoMOS
  • Силовые реле (более 2 А)
  • Реле безопасности
  • Твердотельные реле (SSR)
  • Сигнальные реле (2 А или меньше)
  • СВЧ-устройства (СВЧ реле / ​​коаксиальные переключатели)
  • Автомобильные реле
  • Реле отключения постоянного тока большой емкости
  • Устройство сопряжения PhotoIC
  • Интерфейсный терминал
  • Серия разъемов с узким шагом для платы к FPC
  • Серия разъемов с узким шагом между платами
  • Соединитель для стекирования высокого тока
  • Серия разъемов FPC и FFC
  • Активный оптический разъем серии
  • Решения MID (MIPTEC)
  • Волоконно-оптические датчики
  • Световые завесы, компоненты безопасности
  • Датчики площади
  • Фотоэлектрические датчики / лазерные датчики
  • Микро-фотоэлектрические датчики
  • Индуктивные датчики приближения
  • Датчики давления / датчики расхода
  • Датчики измерения
  • Датчики особого назначения
  • Опции датчика
  • Системы сохранения проволоки
  • Устройства статического управления
  • Компоненты визуализации энергопотребления
  • Программируемые контроллеры
  • Человеко-машинный интерфейс
  • Системы машинного зрения
  • Системы УФ-отверждения
  • Лазерные маркеры и считыватели 2D-кода
  • Таймеры, счетчики, компоненты FA
  • Серводвигатели переменного тока
  • Бесщеточные двигатели
  • Компактные мотор-редукторы переменного тока
  • Сервоприводы переменного тока
  • Бесщеточный усилитель
  • Компактные редукторные регуляторы скорости переменного тока
  • Опции
  • Головка шестерни
  • Двигатели для кондиционирования воздуха
  • Двигатели для пылесосов
  • Двигатели для холодильников
  • Двигатели автомобильные
  • Поршневые компрессоры (фиксированная скорость)
  • Поршневые компрессоры (регулируемая скорость)
  • Роторные компрессоры (фиксированная скорость)
  • Роторные компрессоры (с переменной скоростью)
  • Спиральные компрессоры
  • Насосы постоянного тока
  • Карты памяти SD
  • Blu-ray Disc ™
  • Асферические стеклянные линзы
  • Чип-кольцо
  • Ультразвуковой датчик расхода газа
  • Системы, связанные с установкой электронных компонентов
  • элементов решения
  • Системы, связанные с устройствами
  • Системы, связанные с дисплеем
  • измерительная система
  • Окончательная сборка, испытание и упаковка
  • Аппараты для дуговой сварки
  • Промышленные роботы
  • Устройства статического управления
  • Решения для управления энергопотреблением
  • Программируемые контроллеры
  • / интерфейсный терминал
  • Человеко-машинный интерфейс
  • Системы машинного зрения
  • Системы УФ-отверждения
  • Лазерные маркеры / считыватели 2D-кода
  • Таймеры / счетчики / компоненты FA
  • Литий-ионные батареи
  • Никель-металлогидридные батареи
  • Ni-Cd батареи (Cadnica)
  • Литиевые аккумуляторные батареи в форме монет
  • Литий-ионные батареи со штырьками
  • Свинцово-кислотные батареи с клапаном регулирования
  • Аккумулятор VRLA для EV
  • Литиевые батареи
  • Цинк-угольные и щелочные батареи
  • Материалы подложки ИС «MEGTRON GX» серии
  • Материалы многослойных плат для оборудования ИКТ-инфраструктуры «МЕГТРОН» серии
  • Материалы монтажных плат для оборудования беспроводной / радиосвязи
  • Материалы многослойных печатных плат для автомобильных компонентов «HIPER» серии
  • Материалы плат для светодиодных светильников «ECOOL» серии
  • Материалы гибких печатных плат для мобильных устройств «FELIOS» серии
  • Безгалогенные стеклянные эпоксидные многослойные материалы для печатных плат «Безгалогенные» серия
  • Стекло-эпоксидные многослойные материалы для печатных плат
  • Массовые ламинаты (Щитовые плиты) «PreMulti»
  • Материалы стеклянных композитных плат
  • Бумага, фенольные материалы для печатных плат
  • Герметизирующие материалы для полупроводниковой упаковки для усовершенствованного пакета
  • Полупроводниковые герметизирующие материалы для автомобильного / промышленного оборудования
  • Жидкие материалы для заполнения на уровне доски, клеи
  • Пластиковая формовочная смесь для светодиодов серии «FULL BRIGHT»
.

Страница не найдена — Industrial Devices & Solutions

Home
  • Политика в отношении файлов cookie
  • Потребитель
  • Бизнес
  • Продукты
  • Руководства по применению
  • Скачать
  • Поддержка дизайна
  • Новости
  • Свяжитесь с нами
близко
  • Конденсаторы
  • Резисторы
  • Катушки индуктивности
  • Решения для управления температурным режимом
  • Компоненты ЭМС, защита цепей
  • Датчики
  • Устройства ввода
  • Полупроводники
  • Реле, разъемы
  • FA Датчики и компоненты
  • Моторы, компрессоры
  • Промышленные устройства, носители информации
  • Пользовательские и модульные устройства
  • Завод автоматики, сварочные аппараты
  • Промышленные аккумуляторы
  • Электронные материалы
  • Материалы
  • Конденсаторы электролитические с проводящим полимером
  • Алюминиевые электролитические конденсаторы
  • Электрические двухслойные конденсаторы (золотой конденсатор)
  • Пленочные конденсаторы
  • Чип резисторы
  • Другие резисторы
  • Силовые индукторы для автомобильной промышленности
  • Силовые индукторы для потребителей
  • Силовые индукторы многослойного типа
  • Катушки повышения напряжения
  • Лист термозащиты (Графитовый лист (PGS) / прикладные продукты PGS / NASBIS)
  • Термистор NTC (чип)
  • Вентилятор охлаждения с уникальным гидродинамическим подшипником
  • Материалы печатных плат
  • Компоненты ЭМС
  • Защита цепей (электростатические разряды, скачки напряжения, предохранители и т. Д.)
  • Датчики
  • Встроенные датчики
  • Датчики для автоматизации производства
  • Коммутаторы
  • Емкостное чувствительное устройство
  • Энкодеры, потенциометры
  • Микрокомпьютеры
  • Аудио и видео
  • Тег NFC и защищенная микросхема
  • ИС драйвера светодиодов
  • ИС драйвера двигателя
  • МОП-транзисторы
  • Лазерные диоды
  • Датчики изображения
  • Радиочастотные устройства
  • Силовые устройства
  • Реле
  • Разъемы
  • Датчики для автоматизации производства
  • Устройства FA
  • Двигатели для FA и промышленного применения
  • Двигатели для предприятий / бытовой техники и автомобилей
  • Компрессоры
  • Насосы постоянного тока
  • Носители записи
  • Оптические компоненты
  • Пользовательские устройства
  • Модульные устройства
  • FA
  • Сварочные аппараты, промышленные роботы
  • Устройства FA
  • Вторичные батареи (аккумуляторные батареи)
  • Первичные батареи
  • Материалы печатных плат
  • Полупроводниковые герметизирующие материалы, клеи
  • Пластиковая формовочная смесь
  • Продвинутые фильмы
  • Монокристалл оксида цинка Pana-Tetra
  • Смола Pana-Tetra Compound
  • Пленка для предотвращения электрификации Pana-Tetra
  • «AMTECLEAN A» Чистящее средство для литьевых машин
  • «AMTECLEAN Z» Неорганическое противомикробное средство
  • Алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером (SP-Cap)
  • Твердотельные конденсаторы из токопроводящего полимера и тантала (POSCAP)
  • Проводящие полимерные алюминиевые твердотельные конденсаторы (OS-CON)
  • Гибридные алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером
  • Проводящие полимерные алюминиевые твердотельные конденсаторы (OS-CON)
  • Гибридные алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером
  • Алюминиевые электролитические конденсаторы (поверхностного монтажа)
  • Алюминиевые электролитические конденсаторы (с радиальными выводами)
  • Электрические двухслойные конденсаторы (намотанного типа)
  • Пленочные конденсаторы (для электронного оборудования)
  • Пленочные конденсаторы (для двигателей переменного тока)
  • Пленочные конденсаторы (автомобильные, промышленные и инфраструктурные)
  • Прецизионные чип-резисторы
  • Чувствительные по току резисторы
  • Микросхемы малой и большой мощности
  • Антисульфированные чип-резисторы
  • Чип-резисторы общего назначения
  • Сетевой резистор
  • Резисторы с выводами
  • Аттенюатор
  • Силовые индукторы для автомобильной промышленности
  • Силовые индукторы для потребителей
  • Силовые индукторы многослойного типа
  • Катушки повышения напряжения
  • Лист термозащиты (Графитовый лист (PGS) / прикладные продукты PGS / NASBIS)
  • Термистор NTC (чип)
  • Вентилятор охлаждения с уникальным гидродинамическим подшипником
  • Материалы плат для светодиодных светильников / силовых модулей «ECOOL» серии
  • Фильтры синфазных помех
  • Пленка для защиты от электромагнитных волн
  • Подавитель ЭСР
  • Варистор микросхемы
  • Поглотители перенапряжения
  • Предохранители
  • Датчик MR
  • Инерционный датчик 6DoF для автомобилей (датчик 6в1)
  • Гироскопические датчики
  • Датчики температуры (автомобильные)
  • Датчики положения
  • Датчик движения MA
  • Инфракрасный датчик Grid-EYE
  • Датчики давления PS-A (встроенная схема усиления и температурной компенсации)
  • Датчики давления PS
  • Датчики давления PF
  • Датчик пыли (PM)
  • Камера TOF
  • Датчик движения PIR PaPIRs
  • Волоконно-оптические датчики
  • Световые завесы, компоненты безопасности
  • Датчики площади
  • Фотоэлектрические датчики / лазерные датчики
  • Микро-фотоэлектрические датчики
  • Индуктивные датчики приближения
  • Датчики давления / датчики расхода
  • Датчики измерения
  • Датчики особого назначения
  • Опции датчика
  • Системы сохранения проволоки
  • Детекторные переключатели
  • Кнопочные переключатели
  • Тактильные переключатели (переключатели Light Touch)
  • Кулисные переключатели питания
  • Переключатели с уплотнением
  • Выключатели без уплотнения
  • Сенсорные панели
  • Концевые выключатели
  • Переключатели мгновенного действия
  • Выключатели обнаружения падения
  • Выключатели блокировки
  • Емкостное чувствительное устройство
  • Энкодеры
  • Автомобильные кодеры
  • Потенциометры поворотные
  • Автомобильные поворотные потенциометры
  • 32-битное управление инвертором MN103H
  • 32-битное управление инвертором MN103S
  • 32-битная система с низким энергопотреблением MN103L
  • 8 бит с низким энергопотреблением MN101E
  • 8 бит с низким энергопотреблением MN101C
  • 8-битное сверхнизкое энергопотребление MN101L
  • MCU Arm® Cortex®-M7 MN1M7
  • Arm® Cortex®-M0 + MCU MN1M0
  • БИС отображения интерфейса человек-машина
  • Аудио интегрированные БИС
  • БИС тегов NFC
  • Модули тегов NFC
  • Защищенная IC
  • ИС драйвера светодиодов для освещения
  • ИС драйвера светодиодов для развлечений
  • ИС драйвера светодиодов для освещения
  • ИС драйвера шагового двигателя
  • ИС драйвера трехфазного бесщеточного двигателя постоянного тока
  • ИС драйвера однофазного бесщеточного двигателя постоянного тока
  • ИС драйвера двигателя постоянного тока с щеткой
  • Микросхемы драйвера объектива для видеокамеры и камеры
  • МОП-транзисторы для защиты литий-ионных батарей
  • МОП-транзисторы общего назначения
  • МОП-транзисторы для балансировки автомобильных ячеек
  • МОП-транзисторы для автомобильной схемы переключения
  • Другие полевые МОП-транзисторы
  • Красные и инфракрасные (ИК) двухволновые лазерные диоды
  • Красные лазерные диоды
  • Инфракрасные (ИК) лазерные диоды
  • Датчики изображения для безопасности, промышленности и медицины
  • Датчики изображения для вещания и цифровые фотоаппараты
  • Малошумящие усилители (МШУ)
  • Устройства питания GaN
  • Преобразователь переменного тока в постоянный / ИС источника питания (IPD)
  • Регулятор DC-DC для автомобилей, AV и промышленности
  • ИС контроля батарей
  • PhotoMOS
  • Силовые реле (более 2 А)
  • Реле безопасности
  • Твердотельные реле (SSR)
  • Сигнальные реле (2 А или меньше)
  • СВЧ-устройства (СВЧ реле / ​​коаксиальные переключатели)
  • Автомобильные реле
  • Реле отключения постоянного тока большой емкости
  • Устройство сопряжения PhotoIC
  • Интерфейсный терминал
  • Серия разъемов с узким шагом для платы к FPC
  • Серия разъемов с узким шагом между платами
  • Соединитель для стекирования высокого тока
  • Серия разъемов FPC и FFC
  • Активный оптический разъем серии
  • Решения MID (MIPTEC)
  • Волоконно-оптические датчики
  • Световые завесы, компоненты безопасности
  • Датчики площади
  • Фотоэлектрические датчики / лазерные датчики
  • Микро-фотоэлектрические датчики
  • Индуктивные датчики приближения
  • Датчики давления / датчики расхода
  • Датчики измерения
  • Датчики особого назначения
  • Опции датчика
  • Системы сохранения проволоки
  • Устройства статического управления
  • Компоненты визуализации энергопотребления
  • Программируемые контроллеры
  • Человеко-машинный интерфейс
  • Системы машинного зрения
  • Системы УФ-отверждения
  • Лазерные маркеры и считыватели 2D-кода
  • Таймеры, счетчики, компоненты FA
  • Серводвигатели переменного тока
  • Бесщеточные двигатели
  • Компактные мотор-редукторы переменного тока
  • Сервоприводы переменного тока
  • Бесщеточный усилитель
  • Компактные редукторные регуляторы скорости переменного тока
  • Опции
  • Головка шестерни
  • Двигатели для кондиционирования воздуха
  • Двигатели для пылесосов
  • Двигатели для холодильников
  • Двигатели автомобильные
  • Поршневые компрессоры (фиксированная скорость)
  • Поршневые компрессоры (регулируемая скорость)
  • Роторные компрессоры (фиксированная скорость)
  • Роторные компрессоры (с переменной скоростью)
  • Спиральные компрессоры
  • Насосы постоянного тока
  • Карты памяти SD
  • Blu-ray Disc ™
  • Асферические стеклянные линзы
  • Чип-кольцо
  • Ультразвуковой датчик расхода газа
  • Системы, связанные с установкой электронных компонентов
  • элементов решения
  • Системы, связанные с устройствами
  • Системы, связанные с дисплеем
  • измерительная система
  • Окончательная сборка, испытание и упаковка
  • Аппараты для дуговой сварки
  • Промышленные роботы
  • Устройства статического управления
  • Решения для управления энергопотреблением
  • Программируемые контроллеры
  • / интерфейсный терминал
  • Человеко-машинный интерфейс
  • Системы машинного зрения
  • Системы УФ-отверждения
  • Лазерные маркеры / считыватели 2D-кода
  • Таймеры / счетчики / компоненты FA
  • Литий-ионные батареи
  • Никель-металлогидридные батареи
  • Ni-Cd батареи (Cadnica)
  • Литиевые аккумуляторные батареи в форме монет
  • Литий-ионные батареи со штырьками
  • Свинцово-кислотные батареи с клапаном регулирования
  • Аккумулятор VRLA для EV
  • Литиевые батареи
  • Цинк-угольные и щелочные батареи
  • Материалы подложки ИС «MEGTRON GX» серии
  • Материалы многослойных плат для оборудования ИКТ-инфраструктуры «МЕГТРОН» серии
  • Материалы монтажных плат для оборудования беспроводной / радиосвязи
  • Материалы многослойных печатных плат для автомобильных компонентов «HIPER» серии
  • Материалы плат для светодиодных светильников «ECOOL» серии
  • Материалы гибких печатных плат для мобильных устройств «FELIOS» серии
  • Безгалогенные стеклянные эпоксидные многослойные материалы для печатных плат «Безгалогенные» серия
  • Стекло-эпоксидные многослойные материалы для печатных плат
  • Массовые ламинаты (Щитовые плиты) «PreMulti»
  • Материалы стеклянных композитных плат
  • Бумага, фенольные материалы для печатных плат
  • Герметизирующие материалы для полупроводниковой упаковки для усовершенствованного пакета
  • Полупроводниковые герметизирующие материалы для автомобильного / промышленного оборудования
  • Жидкие материалы для заполнения на уровне доски, клеи
  • Пластиковая формовочная смесь для светодиодов серии «FULL BRIGHT»
  • Формовочная смесь из фенола с высокой термостойкостью для автомобильных компонентов
  • Формовочная смесь на основе смолы LCP с высокой текучестью для мобильных устройств
  • Формовочная смесь из ненасыщенной полиэфирной смолы с высоким тепловыделением для автомобильных компонентов
  • Долговременная и надежная формовочная смесь из ПБТ для автомобильных компонентов
  • Формовочные смеси карбамида
  • Компаунды формовочные меламиновые
  • Пленки оптические «Fine Tiara» серии
  • Сенсорные пленки для сенсорной панели с большим экраном
  • Двусторонние пленки ПЭТ из медного ламината для сенсорной панели с большим экраном
  • Монокристалл оксида цинка Pana-Tetra
  • Смола Pana-Tetra Compound
  • Пленка для предотвращения электрификации Pana-Tetra
  • «AMTECLEAN A» Чистящее средство для литьевых машин
  • «AMTECLEAN Z» Неорганическое противомикробное средство
близко
  • Automotive
  • Industrials
  • Модули решений
  • Умное общество
  • Home a
.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.