Site Loader

Содержание

Диод Зенера Википедия

Zener diode symbol ru.svg
Zener diode symbol ru 2a.svg
Условные графические обозначения обычных (вверху) и двуханодных (внизу) стабилитронов на принципиальных схемах
Zener diode symbol ru 2a.svg Стабилитрон в стеклянном корпусе с рассеиваемой мощностью 0,5 Вт

Полупроводнико́вый стабилитро́н, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя[1]. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко[1]. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей ома до сотен oм

[1]. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов[2].

Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения[1][2]. Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В[3]. Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона. Особый тип стабилитронов, высоковольтные лавинные диоды («подавители переходных импульсных помех», «супрессоры», «TVS-диоды») применяется для защиты электроаппаратуры от перенапряжений.

стабилитрон — Zener diode — qwe.wiki

Стабилитрон представляет собой особый тип диода , что, в отличие от нормального, позволяет току течь не только от его анода к катоду его, но и в обратном направлении, когда напряжение стабилитрона достигается.

Стабилитроны имеют очень легированный р — п — перехода . Обычные диоды также ломаются с обратным напряжением , но напряжение и резкость колена не так хорошо , как определено для стабилитрона. Также нормальные диоды не предназначены для работы в области пробоя, но стабилитроны могут надежно работать в этом регионе.

Аппарат был назван в честь Кларенс Melvin стабилитрона , который обнаружил эффект Зенера . Стабилитрон обратный пробой обусловлен электронами квантового туннелирования , вызванного электрическим полем высокой напряженности. Тем не менее, многие диоды , описанные как диоды Зенера «» полагаются вместо этого на лавинного пробоя . Оба типа пробоя используется в стабилитронах с эффектом Зенера преобладающего под 5.6 V и лавинные пробой выше.

Стабилитроны широко используются в электронном оборудовании всех видов и являются одним из основных строительных блоков электронных схем. Они используются для генерации малой мощности стабилизированных шин питания от более высокого напряжения и обеспечить опорные напряжения для цепей, особенно стабилизированных источники питания. Они также используются для защиты электрических цепей от перенапряжения , особенно электростатического разряда (ESD).

операция

Вольт-амперная характеристика диода Зенера с напряжением пробоя 17 вольта. Обратите внимание на изменение масштаба напряжения между передним необъективным (положительным) направлением и обратным направлением (отрицательном) направлением.
Температурный коэффициент напряжения Зенера от номинального напряжения Зенера.

Обычный твердотельный диод обеспечивает значительный ток , если это обратное смещение выше его обратного напряжения пробоя . Когда обратное напряжение пробоя смещения превышается, обычный диод подвергается воздействию высокого тока из — за лавинного пробоя . Если этот ток не ограничивается схемой, диод может быть серьезно поврежден из — за перегрев. Стабилитрон обладает практически теми же свойствами, за исключением того, что устройство специально разработано так, чтобы иметь пониженное напряжение пробоя, так называемое напряжение стабилитрона. В отличие от обычного устройства, обратный смещенным диод Зенера имеет контролируемый пробой и позволяет ток поддерживать напряжение через диод Зенера близко к напряжению пробоя стабилитрона. Так , например, диод с пробоем стабилитрона напряжением 3,2 В экспозиции падение напряжения почти 3,2 В в широком диапазоне обратных токов. Диод Зенера поэтому идеально подходит для таких применений, как генерации опорного напряжения (например , для усилителя стадии), или в качестве стабилизатора напряжения для слаботочных применений.

Другой механизм , который производит такой же эффект , это эффект лавинного как в лавинный диод . Два типа диода, на самом деле , построенный так же , как и оба эффект присутствует в диодах такого типа. В кремниевых диодах до примерно 5,6 вольт, то эффект Зенера является преобладающим эффектом и показывает заметный отрицательный температурный коэффициент . Выше 5,6 вольт, лавинный эффект становится преобладающим и имеет положительный температурный коэффициент.

В 5.6 V диода, два эффекта происходят вместе, и их температурные коэффициенты практически компенсируют друг друга, таким образом, диод 5,6 В полезен при температурах критически важных приложений. Альтернатива, которая используется для опорного напряжения, которые должны быть очень стабильным в течение длительных периодов времени, чтобы использовать стабилитрон с температурным коэффициентом (TC) от +2 мВ / ° C (напряжение пробоя 6,2-6,3 В) подключен последовательно с диодом вперед смещенным кремния (или транзистор BE-переходом), изготовленный на одном чипе. Вперед-предвзятым диод имеет температурный коэффициент -2 мВ / ° С, в результате чего ДКБ, чтобы отменить вне.

Современные технологии изготовление произвели устройство с напряжением ниже 5,6 В с коэффициентами ничтожных температур, но в качестве устройства высокого напряжения встречается, температурный коэффициент резко возрастает. A 75 V диод имеет 10 раз коэффициент 12 V диода.

Зенера и лавинные диоды, независимо от напряжения пробоя, как правило, продаются под общим термином из «стабилитрона».

Под 5,6 V, где доминирует эффект Зенера, ХВ кривой вблизи пробоя гораздо более округлыми, что требует дополнительной помощи в ориентации его условия смещающие. Кривая IV для Zeners выше 5,6 В (доминированию Avalanche), гораздо острее при пробое.

строительство

Работа стабилитрона зависит от тяжелого легирования его р — п перехода . Истощение регион формируется в диоде является очень тонким (<1 мкм) и электрическое поле, следовательно , очень высоко (около 500 кВ / м) даже при малом обратном напряжении смещения около 5 В, позволяя электроны в туннель из валентной зоны из р-типа материала в зону проводимости материала п-типа.

В атомном масштабе, это соответствует туннельному переносу электронов валентной зоны в пустые состояния зоны проводимости; в результате уменьшенного барьера между этими группами и высоких электрических полей, которые вызваны из-за относительно высоких уровней легирования с обеих сторон. Напряжение пробоя можно контролировать с достаточной точностью в процессе легирования. В то время как допуски в пределах 0,07% доступны, наиболее широко используемые допуски 5% и 10%. Напряжение пробоя для часто доступных диодов Зенера могут изменяться в широких пределах от 1,2 вольт до 200 вольт.

Для диодов, которые слаболегированные распад доминирует эффект лавинного, а не эффект Зенера. Следовательно, напряжение пробоя выше (более 5,6 В) для этих устройств.

Поверхностные Zeners

Эмиттер-база биполярного npn — транзистор ведет себя как диод Зенера с напряжением пробоя примерно 6,8 В для обычных биполярных процессов и около 10 В для слабо легированных базовых областей в BiCMOS процессах. Старые процессы с плохим контролем легирующих характеристик имели изменение Зинера напряжение до ± 1 В, более новых процессах с использованием ионной имплантации не могут достичь не более ± 0,25 структуры транзистора В. NPN может быть использован в качестве

поверхности диода Зенера , с коллектором и излучатель соединены друг с другом в качестве катода и базовой области в качестве анода. При таком подходе базовый профиль легирования , как правило , сужается по направлению к поверхности, создавая область с усилением электрического поля , где происходит лавинный пробой. Эти горячие носители , производимые ускорения в сильном поле иногда стрелять в оксидный слой над стыком и стать в ловушке там. Накопление захваченных зарядов может тогда причина «» Зенера забастовки, соответствующее изменение напряжения Зенера перехода. Тот же эффект может быть достигнуто за счет радиационного повреждения .

В стабилитроны эмиттер-база может обрабатывать только меньшие токи , как энергия рассеивается в обедненной области базы , которая очень мала. Большее количество энергии , рассеиваемой (более высокого тока для более длительного времени, или короткого очень высокого текущего шипа) вызывает тепловое повреждение перехода и / или его контакты. Частичное повреждение стыка может сместить стабилитрон напряжение. Общее разрушение Зенера — переход от перегрева ее и вызывая миграцию металлизации на переходе ( «спайковый») может быть использовано в качестве преднамеренно «Зенера зап» antifuse .

Недра Zeners

Похоронен структура стабилитрон

Подповерхностного стабилитрон, называемый также «похоронили Зенера», это устройство, похожее на поверхность Зенера, но с областью лавинного, расположенной глубже в структуре, обычно несколько микрометров ниже оксида. Горячие носители затем теряют энергию при столкновении с полупроводниковой решеткой до достижения оксидного слоя и не могут быть в ловушке там. Забастовка явление стабилитрон поэтому здесь не происходит, и погребенные Zeners имеют напряжение постоянного по всей их жизни. Большинство похоронен Zeners имеют пробивное напряжение 5-7 вольт. используют несколько различных соединительных структур.

Пользы

Стабилитрон показаны типичные пакеты. Обратный ток показан.−iZ{\displaystyle -i_{Z}}

Стабилитроны широко используются в качестве опорного напряжения и , как шунтирующие регуляторы для регулирования напряжения на малых контурах. При подключении параллельно с переменным источником напряжения , так что он смещен в обратном направлении, стабилитрон ведет , когда напряжение достигает обратное напряжение пробоя диода. С этого момента, относительно низкий импеданс диода сохраняет напряжение на диоде при этом значении.

Стабилитрон regulator.svg напряжение диода

В этой схеме, типичное опорное напряжения или регулятор, входное напряжение, U в , регулируются до стабильного выходного напряжения U из . Напряжение пробоя диода D является стабильным в широком диапазоне токов и имеет U из относительно постоянной даже при том, что входное напряжение может колебаться в довольно широком диапазоне. Из-за низкого импеданса диода при работе , как это, резистор

R используется для ограничения тока через цепь.

В случае этой простой ссылки, ток , протекающий через диод определяется с помощью закона Ома и известного падения напряжения на резистор R ;

Idiode=Uin−UoutR{\displaystyle I_{\text{diode}}={\frac {U_{\text{in}}-U_{\text{out}}}{R}}}

Значение R должно удовлетворять двум условиям:

  1. R должен быть достаточно малым , чтобы ток через D держит D в обратном пробое. Значение этого тока приведен в паспорте для D. Так , например, общий BZX79C5V6 устройство, 5,6 В 0,5 Вт стабилитрон а, имеет рекомендованный обратный ток 5  мА. Если ток недостаточен существует через D, то U из является нерегулируемым , и меньше , чем номинальное напряжение пробоя (это отличается для напряжения регулятора трубок , где выходное напряжение будет выше , чем номинальная и может подняться так высоко , как U в ). При расчете R , необходимо сделать допуск для любого тока через внешнюю нагрузку, не показано на этой диаграмме, подключена через U из .
  2. R должен быть достаточно большим, чтобы ток через D не повредить устройство. Если ток через D является я D , его пробивное напряжение V B , и его максимальная мощность рассеяния Р макс коррелируют как таковую: .IDVB<Pmax{\displaystyle I_{D}V_{B}<P_{\text{max}}}

Нагрузка может быть помещена через диод в этой цепи опорного сигнала, и до тех пор, как стабилитрон остается в обратном пробое, диод обеспечивает стабильный источник напряжения к нагрузке. Стабилитроны в этой конфигурации часто используются в качестве стабильных ссылок для более продвинутых цепей регулятора напряжения.

регуляторы шунтирующих просты, но требования, что балластный резистор быть достаточно мал, чтобы избежать чрезмерного падения напряжения во время наихудшей работы (низкий CONCURRENT входного напряжения с высоким током нагрузки), как правило, оставляет много тока, протекающими через диод большой части времени , что делает для довольно расточительного регулятора с высокой покоящейся рассеиваемой мощностью, подходит только для небольших нагрузок.

Эти устройства также встречается, как правило , в серии с базом-эмиттером, в транзисторных каскадах , где селективный выбор устройства с центром на лавинной или Зенер точках может быть использован для введения компенсирующего температурного коэффициента балансировки транзистора р-п перехода , Пример такого рода использование будет DC усилитель ошибки используется в регулируемом питании системы обратной связи контура цепи.

Стабилитроны также используются в сетевых фильтрах для ограничения переходных скачков напряжения.

Другое применение стабилитрона является использование шума , вызванного его лавинного пробоя в генератор случайных чисел .

Waveform машинки для стрижки

{\ Displaystyle I_ {D} V_ {B}, <Р _ {\ текст {макс}}} {\ Displaystyle I_ {D} V_ {B}, <Р _ {\ текст {макс}}}

Примеры формы сигнала машинки для стрижки

Два стабилитронов , обращенные друг к другу в серии будут действовать , чтобы обрезать оба половины входного сигнала. Waveform машинка для стрижки может быть использована не только для изменения формы сигнала, а также для предотвращения скачков напряжения от влияния схемы, которые подключены к источнику питанию.

Напряжение переключения

{\ Displaystyle I_ {D} V_ {B}, <Р _ {\ текст {макс}}} {\ Displaystyle I_ {D} V_ {B}, <Р _ {\ текст {макс}}}

Примеры переключения напряжения

Стабилитрон может быть применен к схеме с резистором, чтобы выступать в качестве сдвига напряжения. Эта схема понижает выходное напряжение на величину, которая равна напряжение пробоя стабилитрона в.

Регулятор напряжения

{\ Displaystyle I_ {D} V_ {B}, <Р _ {\ текст {макс}}} {\ Displaystyle I_ {D} V_ {B}, <Р _ {\ текст {макс}}}

Примеры регулятора напряжения

Стабилитрон может быть применен в регуляторе напряжения цепи для регулирования напряжения , подаваемое на нагрузку, например, в линейном регуляторе .

Смотрите также

Рекомендации

дальнейшее чтение

  • TVS / Теория и дизайн стабилитрона соображение ; ON Semiconductor; 127 страниц; 2005; HBD854 / D. (Free PDF скачать)

внешняя ссылка

Для чего нужен стабилитрон: диод зенера

4.4. Стабилитроны

Стабилитроном называется полупроводниковый диод, вольт-амперная характеристика которого имеет область резкой зависимости тока от напряжения на обратном участке вольт-амперной характеристики.

ВАХ стабилитрона имеет вид, представленный на рисунке 4.9.

Рис. 4.9. Вольт-амперная характеристика (а) и конструкция корпуса (б) стабилитрона

При достижении напряжения на стабилитроне, называемого напряжением стабилизации Uстаб, ток через стабилитрон резко возрастает. Дифференциальное сопротивление Rдиф идеального стабилитрона на этом участке ВАХ стремится к 0, в реальных приборах величина Rдиф составляет значение: Rдиф ≈ 2÷50 Ом.

Основное назначение стабилитрона — стабилизация напряжения на нагрузке, при изменяющемся напряжении во внешней цепи. В связи с этим последовательно со стабилитроном включают нагрузочное сопротивление, демпфирующее изменение внешнего напряжения. Поэтому стабилитрон называют также опорным диодом.

Напряжение стабилизации Uстаб зависит от физического механизма, обуславливающего резкую зависимость тока от напряжения. Различают два физических механизма, ответственных за такую зависимость тока от напряжения, — лавинный и туннельный пробой p-n перехода.

Для стабилитронов с туннельным механизмом пробоя напряжение стабилизации Uстаб невелико и составляет величину менее 5 вольт: Uстабстаб > 8 В.

Туннельный пробой в полупроводниках

Проанализируем более подробно механизмы туннельного и лавинного пробоя.

Рассмотрим зонную диаграмму диода с p-n переходом при обратном смещении при условии, что области эмиттера и базы диода легированы достаточно сильно (рис. 4.10).

Рис. 4.10. Зонная диаграмма диода на базе сильнолегированного p-n перехода при обратном смещении

Квантово-механическое рассмотрение туннельных переходов для электронов показывает, что в том случае, когда геометрическая ширина потенциального барьера сравнима с дебройлевской длиной волны электрона, возможны туннельные переходы электронов между заполненными и свободными состояниями, отделенными потенциальным барьером.

Форма потенциального барьера обусловлена полем p-n перехода. На рисунке 4.11 схематически изображен волновой пакет при туннелировании через потенциальный барьер треугольной формы.

Рис. 4.11. Схематическое изображение туннелирования волнового пакета через потенциальный барьер

Возьмем уравнение Шредингера Hψ = Eψ, где H — гамильтониан для свободного электрона , Е — энергия электрона.

Введем

Тогда снаружи от потенциального барьера уравнение Шредингера будет иметь вид:

Внутри потенциального барьера .

Решение для волновых функций электрона будем искать в следующем виде:

Используем условие непрерывности для волновой функции и ее производные ψ, dψ/dx на границах потенциального барьера, а также предположение об узком и глубоком потенциальном барьере (βW >> 1).

В этом случае для вероятности туннельного перехода Т получаем:

Выражение для туннельного тока электронов из зоны проводимости на свободные места в валентной зоне будет описываться следующим соотношением:

где использованы стандартные обозначения для функции распределения и плотности квантовых состояний.

При равновесных условиях на p+-n+ переходе токи слева и справа друг друга уравновешивают: IC→V = IV→C.

При подаче напряжения туннельные токи слева и справа друг друга уже не уравновешивают:

   (4.18)

Здесь fC, fV — неравновесные функции распределения для электронов в зоне проводимости и валентной зоне.

Для барьера треугольной формы получено аналитическое выражение для зависимости туннельного тока Jтун от напряженности электрического поля Е следующего вида:

   (4.19)

За напряженность электрического поля пробоя Eпр условно принимают такое значение поля Е, когда происходит десятикратное возрастание обратного тока стабилитрона: Iтун = 10·I0.

При этом для p-n переходов из различных полупроводников величина электрического поля пробоя Eпр составляет значения: кремний Si: Eпр = 4·105 В/см; германий Ge: Eпр = 2·105 В/см. Туннельный пробой в полупроводниках называют также зинеровским пробоем.

Оценим напряжение Uz, при котором происходит туннельный пробой.

Будем считать, что величина поля пробоя Eпр определяется средним значением электрического поля в p-n переходе Eпр = Uобр/W . Поскольку ширина области пространственного заряда W зависит от напряжения по закону , то, приравнивая значения W из выражений , получаем, что напряжение туннельного пробоя будет определяться следующим соотношением [5, 2]:

   (4.20)

Рассмотрим, как зависит напряжение туннельного пробоя от удельного сопротивления базы стабилитрона. Поскольку легирующая концентрация в базе ND связана с удельным сопротивлением ρбазы соотношением ND = 1/ρμe, получаем:

   (4.21)

Из уравнения (4.21) следует, что напряжение туннельного пробоя Uz возрастает с ростом сопротивления базы ρбазы.

Эмпирические зависимости напряжения туннельного пробоя Uz для различных полупроводников имеют следующий вид:

германий (Ge): Uz = 100ρn + 50ρp;
кремний (Si): Uz = 40ρn + 8ρp,
где n, p — удельные сопротивления n- и p-слоев, выраженные в (Ом·см).

Лавинный пробой в полупроводниках

Рассмотрим случай однородного электрического поля в полупроводнике. Если двигаясь вдоль силовых линий электрического поля электрон на расстоянии, равном длине свободного пробега λ, наберет энергию, равную либо большую, чем ширина запрещенной зоны, то, неупруго рассеиваясь, этот электрон может вызвать генерацию еще одной электронно дырочной пары. Дополнительно нагенерированные свободные носители также будут участвовать в аналогичном процессе. Это явление лавинного размножения свободных носителей в условиях сильного электрического поля получило название лавинного пробоя. На рисунке 4.12 показана схема, иллюстрирующая лавинный пробой.

Размеры геометрической области полупроводника W, в которой происходит лавинное умножение, должны быть существенно больше длины свободного пробега электрона λ. Соотношения, определяющие условие лавинного пробоя, будут следующие:

   (4.22)
Рис. 4.12. Схема, иллюстрирующая лавинный пробой в однородном полупроводнике [27, 10]:
а) распределение электрического поля, доноров и акцепторов и свободных носителей; б) распределение токов; в) зонная диаграмма, иллюстрирующая лавинное умножение в ОПЗ

Одним из параметров лавинного пробоя является коэффициент лавинного умножения M, определяемый как количество актов лавинного умножения в области сильного электрического поля. Если обозначить начальный ток I0, то после лавинного умножения величина тока будет иметь вид: I = M·I0,

где Uμ — напряжение лавинного пробоя, U — напряжение, n — коэффициент, равный 3 или 5 для Ge или Si соответственно.

Для несимметричного p+-n перехода расчет дает следующее значение напряжения лавинного пробоя VB при условии, что максимальное значение поля в ОПЗ p+-n перехода можно приближенно оценить как среднее:

   (4.23)

Величина электрического поля Еm, определяемая соотношением (4.23), зависит от величины и типа легирующей концентрации ND, NA, температуры и лежит в диапазоне Еm = (4÷5)·105 В/см для кремния и Еm = (2÷3)·105 В/см для германия.

Приборные характеристики стабилитронов

Основными характеристиками стабилитрона являются ток Iст и напряжение Uст стабилизации, дифференциальное напряжение стабилитрона rст и температурная зависимость этих параметров. На рисунке 4.13 приведены дифференциальные параметры различных стабилитронов.

Рис.

Как работает стабилитрон.

4.13. Дифференциальные параметры различных стабилитронов:
а) зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока 2С108; б) зависимость изменения напряжения стабилизации от температуры для различных типономиналов стабилитрона 2С108; в) зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока 2С351

Как следует из приведенных данных, значение дифференциального сопротивления для стабилитронов обратно пропорционально току стабилизации и составляет десятки Ом при рабочих параметрах токов. Точность значения напряжения стабилизации составляет десятки милливольт в стандартном температурном диапазоне.

Диод Зенера — Википедия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Стабилитрон в стеклянном корпусе с рассеиваемой мощностью 0,5 Вт
Zener diode symbol ru.svg
Zener diode symbol ru 2a.svg
Условные графические обозначения обычных (вверху) и двуханодных (внизу) стабилитронов на принципиальных схемах

Полупроводнико́вый стабилитро́н, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя[1]. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко[1]. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей oма до сотен oм[1]. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов[2].

Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения[1][2]. Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В[3]. Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона. Особый тип стабилитронов, высоковольтные лавинные диоды («подавители переходных импульсных помех», «супрессоры», «TVS-диоды») применяется для защиты электроаппаратуры от перенапряжений.

Терминология и классификация[ | ]

В русскоязычной литературе понятие «стабилитрон» без уточняющего «полупроводниковый» применяется именно к полупроводниковым стабилитронам. Уточнение необходимо, если нужно противопоставить стабилитроны полупроводниковые — устаревшим газонаполненным стабилитронам тлеющего и коронного разряда. Катодом стабилитрона обозначается вывод, в который втекает обратный ток (n-область обратно-смещённого p-n-перехода), анодом — вывод, из которого ток пробоя вытекает (p-область p-n-перехода). Двуханодные (двусторонние) стабилитроны состоят из двух стабилитронов, включенных последовательно во встречных напр

Стабилитроны. Технические данные.

1N2804	6.8V	50W   | 1N2805	7.5V	50W
1N2806	8.2V	50W   | 1N2807	9.1V	50W
1N2808	10V	50W   | 1N2809	11V	50W
1N2810	12V	50W   | 1N2811	13V	50W
1N2812	14V	50W   | 1N2813	15V	50W
1N2814	16V	50W   | 1N2815	17V	50W
1N2816	18V	50W   | 1N2817	19V	50W
1N2818	20V	50W   | 1N2819	22V	50W
1N2820	24V	50W   | 1N2821	25V	50W
1N2822	27V	50W   | 1N2823	30V	50W
1N2824	33V	50W   | 1N2825	36V	50W
1N2826	39V	50W   | 1N2827	43V	50W
1N2828	45V	50W   | 1N2829	47V	50W
1N2830	50V	50W   | 1N2831	51V	50W
1N2832	56V	50W   | 1N2833	62V	50W
1N2834	68V	50W   | 1N2835	75V	50W
1N2836	82V	50W   | 1N2837	91V	50W
1N2838	100V	50W   | 1N2839	105V	50W
1N2840	110V	50W   | 1N2841	120V	50W
1N2842	130V	50W   | 1N2843	150V	50W
1N2844	160V	50W   | 1N2845	180V	50W
1N2846	200V	50W
1N2970	6.8V	10W   | 1N2971	7.5V	10W
1N2972	8.2V	10W   | 1N2973	9.1V	10W
1N2974	10V	10W   | 1N2975	11V	10W
1N2976	12V	10W   | 1N2977	13V	10W
1N2978	14V	10W   | 1N2979	15V	10W
1N2980	16V	10W   | 1N2981	17V	10W
1N2982	18V	10W   | 1N2983	19V	10W
1N2984	20V	10W   | 1N2985	22V	10W
1N2986	24V	10W   | 1N2987	25V	10W
1N2988	27V	10W   | 1N2989	30V	10W
1N2990	33V	10W   | 1N2991	36V	10W
1N2992	39V	10W   | 1N2993	43V	10W
1N2994	45V	10W   | 1N2995	47V	10W
1N2996	50V	10W   | 1N2997	51V	10W
1N2998	52V	10W   | 1N3000	62V	10W
1N3001	68V	10W   | 1N3002	75V	10W
1N3003	82V	10W   | 1N3004	91V	10W
1N3005	100V	10W   | 1N3006	105V	10W
1N3007	110V	10W   | 1N3008	120V	10W
1N3009	130V	10W   | 1N3010	140V	10W
1N3011	150V	10W   | 1N3012	160V	10W
1N3013	175V	10W   | 1N3014	180V	10W
1N3015	200V	10W
1N3016	6.8V	1W    | 1N3017	7.5V	1W
1N3018	8.2V	1W    | 1N3019	9.1V	1W
1N3020	10V	1W    | 1N3021	11V	1W
1N3022	12V	1W    | 1N3023	13V	1W
1N3024	15V	1W    | 1N3025	16V	1W
1N3026	18V	1W    | 1N3027	20V	1W
1N3028	22V	1W    | 1N3029	24V	1W
1N3030	27V	1W    | 1N3031	30V	1W
1N3032	33V	1W    | 1N3033	36V	1W
1N3034	39V	1W    | 1N3035	43V	1W
1N3036	47V	1W    | 1N3037	51V	1W
1N3038	56V	1W    | 1N3039	62V	1W
1N3040	68V	1W    | 1N3041	75V	1W
1N3042	82V	1W    | 1N3043	91V	1W
1N3044	100V	1W    | 1N3045	110V	1W
1N3046	120V	1W    | 1N3047	130V	1W
1N3048	150V	1W    | 1N3049	160V	1W
1N3050	180V	1W    | 1N3051	200V	1W
1N3098   110V  1W     | 1N3099   130V  1W
1N3100   160V  1W     | 1N3101   200V  1W
1N3102   110V  10W    | 1N3103   130V  10W
1N3104   160V  10W    | 1N3105   200V  10W
    Temperature Compensated Zener Diodes:
1N3154  8V  0.5W  -55/+100°C  0.01 %/°C
1N3154A 8V  0.5W  -55/+150°C  0.01 %/°C
1N3155  8V  0.5W  -55/+100°C  0.005 %/°C
1N3155A 8V  0.5W  -55/+150°C  0.005 %/°C
1N3156  8V  0.5W  -55/+100°C  0.002 %/°C
1N3156A 8V  0.5W  -55/+150°C  0.002 %/°C
1N3157  8V  0.5W  -55/+100°C  0.001 %/°C
1N3157A 8V  0.5W  -55/+150°C  0.001 %/°C
1N3305	6.8V	50W   | 1N3306	7.5V	50W
1N3307	8.2V	50W   | 1N3308	9.1V	50W
1N3309	10.0V	50W   | 1N3310	11.0V	50W 
1N3311	12.0V	50W   | 1N3312	13.0V	50W
1N3313	14.0V	50W   | 1N3314	15.0V	50W
1N3315	16.0V	50W   | 1N3316	17.0V	50W
1N3317	18.0V	50W   | 1N3318	19.0V	50W
1N3319	20.0V	50W   | 1N3320	22.0V	50W
1N3321	24.0V	50W   | 1N3322	25.0V	50W
1N3323	27.0V	50W   | 1N3324	30.0V	50W
1N3325	33.0V	50W   | 1N3326	36.0V	50W
1N3327	39.0V	50W   | 1N3328	43.0V	50W
1N3329	45.0V	50W   | 1N3330	47.0V	50W
1N3331	50.0V	50W   | 1N3332	51.0V	50W
1N3333	52.0V	50W   | 1N3334	56.0V	50W
1N3335	62.0V	50W   | 1N3336	68.0V	50W
1N3337	75.0V	50W   | 1N3338	82.0V	50W
1N3339	91.0V	50W   | 1N3340	100V	50W
1N3341	105V	50W   | 1N3342	110V	50W
1N3343	120V	50W   | 1N3344	130V	50W
1N3345	140V	50W   | 1N3346	150V	50W
1N3347	160V	50W   | 1N3348	175V	50W 
1N3349	180V	50W   | 1N3350	200V	50W
1N3678	9.1V	0.75W | 1N3679	10V	0.75W
1N3680	11V	0.75W | 1N3681	12V	0.75W
1N3682	13V	0.75W | 1N3683	15V	0.75W
1N3684	16V	0.75W | 1N3685	18V	0.75W
1N3686	20V	0.75W | 1N3687	22V	0.75W
1N3688	24V	0.75W | 1N3689	27V	0.75W
1N3690	30V	0.75W | 1N3691	33V	0.75W
1N3692	36V	0.75W | 1N3693	39V	0.75W
1N3694	43V	0.75W | 1N3695	47V	0.75W
1N3696	51V	0.75W | 1N3697	56V	0.75W
1N3698	62V	0.75W | 1N3699	68V	0.75W
1N3700	75V	0.75W | 1N3701	82V	0.75W
1N3702	91V	0.75W | 1N3703	100V	0.75W
1N3704	110V	0.75W | 1N3705	120V	0.75W
1N3706	130V	0.75W | 1N3707	150V	0.75W
1N3708	160V	0.75W | 1N3709	180V	0.75W
1N3710	200V	0.75W

1N3732	5.1V	1W    | 1N3763	20V	1.5W
1N3776	10V	6W

    Temperature Compensated Zener Diodes:
1N3779	6.5V	0.4W  -55/+100°C  0.015 %/°C
1N3780	6.5V	0.4W  -55/+100°C  0.01 %/°C
1N3781	6.5V	0.4W  -55/+100°C  0.005 %/°C
1N3782	6.5V	0.4W  -55/+100°C  0.002 %/°C
1N3783	6.5V	0.4W  -55/+100°C  0.001 %/°C
1N3784	6.5V	0.4W  -55/+100°C  0.0005 %/°C
Temperature compensated 1N3779-1N3784.pdf

1N3785	6.8V	1.5W  | 1N3786	7.5V	1.5W  
1N3787	8.2V	1.5W  | 1N3788	9.1V	1.5W
1N3789	10V	1.5W  | 1N3790	11V	1.5W
1N3791	12V	1.5W  | 1N3792	13V	1.5W
1N3793	15V	1.5W  | 1N3794	16V	1.5W
1N3795	18V	1.5W  | 1N3796	20V	1.5W
1N3797	22V	1.5W  | 1N3798	24V	1.5W
1N3799	27V	1.5W  | 1N3800	30V	1.5W
1N3801	33V	1.5W  | 1N3802	36V	1.5W
1N3803	39V	1.5W  | 1N3804	43V	1.5W
1N3805	47V	1.5W  | 1N3806	51V	1.5W
1N3807	56V	1.5W  | 1N3808	62V	1.5W
1N3809	68V	1.5W  | 1N3810	75V	1.5W
1N3811	82V	1.5W  | 1N3812	91V	1.5W
1N3813	100V	1.5W  | 1N3814	110V	1.5W
1N3815	120V	1.5W  | 1N3816	130V	1.5W
1N3817	150V	1.5W  | 1N3818	160V	1.5W
1N3819	180V	1.5W  | 1N3820	200V	1.5W
1N3821	3.3V	1W    | 1N3822	3.6V	1W
1N3823	3.9V	1W    | 1N3824	4.3V	1W 
1N3825	4.7V	1W    | 1N3826	5.1V	1W
1N3827	5.6V	1W    | 1N3828	6.2V	1W
1N3829	6.8V	1W    | 1N3830	7.5V	1W
1N3949	20V	10W
1N3950	20V	1.5W  |1N3951	25V	1.5W

1N3984	5.5V	10W   | 1N3985	6V	10W
1N3986	6.2V	10W   | 1N3993	3.9V	10W
1N3994	4.3V	10W   | 1N3995	4.7V	10W
1N3996	5.1V	10W   | 1N3997	5.6V	10W
1N3998	6.2V	10W   | 1N3999	6.8V	10W
1N4000	7.5V	10W

1N4010	6.2V	0.4W

1N4016	8.2V	5W   | 1N4017	9.1V	5W
1N4018	10V	5W   | 1N4019	11V	5W
1N4020	12V	5W   | 1N4021	13V	5W
1N4022	15V	5W   | 1N4023	16V	5W
1N4024	18V	5W   | 1N4025	20V	5W
1N4026	22V	5W   | 1N4027	24V	5W
1N4099	6.8V	0.25W | 1N4100	7.5V	0.25W
1N4101	8.2V	0.25W | 1N4102	8.7V	0.25W
1N4103	9.1V	0.25W | 1N4104	10V	0.25W
1N4105	11V	0.25W | 1N4106	12V	0.25W
1N4107	13V	0.25W | 1N4108	14V	0.25W
1N4109	15V	0.25W | 1N4110	16V	0.25W
1N4111	17V	0.25W | 1N4112	18V	0.25W
1N4113	19V	0.25W | 1N4114	20V	0.25W
1N4115	22V	0.25W | 1N4116	24V	0.25W
1N4117	25V	0.25W | 1N4118	27V	0.25W
1N4119	28V	0.25W | 1N4120	30V	0.25W
1N4121	33V	0.25W | 1N4122	36V	0.25W
1N4123	39V	0.25W | 1N4124	43V	0.25W
1N4125	47V	0.25W | 1N4126	51V	0.25W
1N4127	56V	0.25W | 1N4128	60V	0.25W
1N4129	62V	0.25W | 1N4130	68V	0.25W
1N4131	75V	0.25W | 1N4132	82V	0.25W
1N4133	87V	0.25W | 1N4134	91V	0.25W
1N4135	100V	0.25W
1N4370	2.4V	0.5W  | 1N4371	2.7V	0.5W
1N4372	3.0V	0.5W
1N4549	3.9V	50W   | 1N4550	4.3V	50W
1N4551	4.7V	50W   | 1N4552	5.1V	50W
1N4553	5.6V	50W   | 1N4554	6.2V	50W
1N4555	6.8V	50W   | 1N4556	7.5V	50W
1N4557	3.9V	50W   | 1N4558	4.3V	50W
1N4559	4.7V	50W   | 1N4560	5.1V	50W
1N4561	5.6V	50W   | 1N4562	6.2V	50W
1N4563	6.8V	50W   | 1N4564	7.5V	50W
    Temperature Compensated Zener Diodes:
1N4565  6.4V 0.5W   0/+75°C  0.01%/°C   200Ω
1N4565A 6.4V 0.5W -55/+100°C 0.01%/°C   200Ω
1N4566	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.005%/°C  200Ω
1N4566A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.005%/°C  200Ω
1N4567	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.002%/°C  200Ω
1N4567A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.002%/°C  200Ω
1N4568	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.001%/°C  200Ω
1N4568A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.001%/°C  200Ω
1N4569	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.0005%/°C 200Ω
1N4569A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.0005%/°C 200Ω
1N4570	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.01%/°C   100Ω
1N4570A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.01%/°C   100Ω
1N4571	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.005%/°C  100Ω
1N4571A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.005%/°C  100Ω
1N4572	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.002%/°C  100Ω
1N4572A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.002%/°C  100Ω
1N4573	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.001%/°C  100Ω
1N4573A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.001%/°C  100Ω
1N4574	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.0005%/°C 100Ω
1N4574A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.0005%/°C 100Ω
1N4575	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.01%/°C   50Ω
1N4575A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.01%/°C   50Ω
1N4576	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.005%/°C  50Ω
1N4576A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.005%/°C  50Ω
1N4577	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.002%/°C  50Ω
1N4577A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.002%/°C  50Ω
1N4578	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.001%/°C  50Ω
1N4578A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.001%/°C  50Ω
1N4579	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.0005%/°C 50Ω
1N4579A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.0005%/°C 50Ω
1N4580	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.01%/°C   25Ω
1N4580A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.01%/°C   25Ω
1N4581	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.005%/°C  25Ω
1N4581A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.005%/°C  25Ω
1N4582	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.002%/°C  25Ω
1N4582A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.002%/°C  25Ω
1N4583	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.001%/°C  25Ω
1N4583A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.001%/°C  25Ω
1N4584	6.4V 0.5W   0/+75°C  0.0005%/°C 25Ω
1N4584A	6.4V 0.5W -55/+100°C 0.0005%/°C 25Ω
1N4614	1.8V	0.5W   | 1N4615	2.0V	0.5W
1N4616	2.2V	0.5W   | 1N4617	2.4V	0.5W
1N4618	2.7V	0.5W   | 1N4619	3.0V	0.5W
1N4620	3.3V	0.5W   | 1N4621	3.6V	0.5W
1N4622	3.9V	0.5W   | 1N4623	4.3V	0.5W
1N4624	4.7V	0.5W   | 1N4625	5.1V	0.5W
1N4626	5.6V	0.5W   | 1N4627	6.2V	0.5W
1N4678	1.8V	0.5W   | 1N4679	2.0V	0.5W
1N4680	2.2V	0.5W   | 1N4681	2.4V	0.5W
1N4682	2.7V	0.5W   | 1N4683	3.0V	0.5W
1N4684	3.3V	0.5W   | 1N4685	3.6V	0.5W
1N4686	3.9V	0.5W   | 1N4687	4.3V	0.5W
1N4688	4.7V	0.5W   | 1N4689	5.1V	0.5W
1N4690	5.6V	0.5W   | 1N4691	6.2V	0.5W
1N4692	6.8V	0.5W   | 1N4693	7.5V	0.5W
1N4694	8.2V	0.5W   | 1N4695	8.7V	0.5W
1N4696	9.1V	0.5W   | 1N4697	10V	0.5W
1N4698	11V	0.5W   | 1N4699	12V	0.5W
1N4700	13V	0.5W   | 1N4701	14V	0.5W
1N4702	15V	0.5W   | 1N4703	16V	0.5W
1N4704	17V	0.5W   | 1N4705	18V	0.5W
1N4706	19V	0.5W   | 1N4707	20V	0.5W
1N4708	22V	0.5W   | 1N4709	24V	0.5W
1N4710	25V	0.5W   | 1N4711	27V	0.5W
1N4712	28V	0.5W   | 1N4713	30V	0.5W
1N4714	33V	0.5W   | 1N4715	36V	0.5W
1N4716	39V	0.5W   | 1N4717	43V	0.5W
1N4728	3.3V	1W    | 1N4729	3.6V	1W
1N4730	3.9V	1W    | 1N4731	4.3V	1W
1N4732	4.7V	1W    | 1N4733	5.1V	1W
1N4734	5.6V	1W    | 1N4735	6.2V	1W
1N4736	6.8V	1W    | 1N4737	7.5V	1W
1N4738	8.2V	1W    | 1N4739	9.1V	1W
1N4740	10V	1W    | 1N4741	11V	1W
1N4742	12V	1W    | 1N4743	13V	1W
1N4744	15V	1W    | 1N4745	16V	1W
1N4746	18V	1W    | 1N4747	20V	1W
1N4748	22V	1W    | 1N4749	24V	1W
1N4750	27V	1W    | 1N4751	30V	1W
1N4752	33V	1W    | 1N4753	36V	1W
1N4754	39V	1W    | 1N4755	43V	1W   
1N4756	47V	1W    | 1N4757	51V	1W
1N4758	56V	1W    | 1N4759	62V	1W
1N4760	68V	1W    | 1N4761	75V	1W
1N4762	82V	1W    | 1N4763	91V	1W
1N4764	100V	1W
    Temperature Compensated Zener Diodes:
1N4775	8.5V 0.25W   0/+75°C  0.01%/°C   200Ω
1N4775A	8.5V 0.25W -55/+100°C 0.01%/°C   200Ω
1N4776	8.5V 0.25W   0/+75°C  0.005%/°C  200Ω
1N4776A	8.5V 0.25W -55/+100°C 0.005%/°C  200Ω
1N4777	8.5V 0.25W   0/+75°C  0.002%/°C  200Ω
1N4777A	8.5V 0.25W -55/+100°C 0.002%/°C  200Ω
1N4778	8.5V 0.25W   0/+75°C  0.001%/°C  200Ω
1N4778A	8.5V 0.25W -55/+100°C 0.001%/°C  200Ω
1N4779	8.5V 0.25W   0/+75°C  0.0005%/°C 200Ω
1N4779A	8.5V 0.25W -55/+100°C 0.0005%/°C 200Ω
1N4780	8.5V 0.25W   0/+75°C  0.01%/°C   100Ω
1N4780A	8.5V 0.25W -55/+100°C 0.01%/°C   100Ω
1N4781	8.5V 0.25W   0/+75°C  0.005%/°C  100Ω
1N4781A	8.5V 0.25W -55/+100°C 0.005%/°C  100Ω
1N4782	8.5V 0.25W   0/+75°C  0.002%/°C  100Ω
1N4782A	8.5V 0.25W -55/+100°C 0.002%/°C  100Ω
1N4783	8.5V 0.25W   0/+75°C  0.001%/°C  100Ω
1N4783A	8.5V 0.25W -55/+100°C 0.001%/°C  100Ω
1N4784	8.5V 0.25W   0/+75°C  0.0005%/°C 100Ω
1N4784A	8.5V 0.25W -55/+100°C 0.0005%/°C 100Ω
1N5221	2.4V	0.5W  | 1N5222	2.5V	0.5W
1N5223	2.7V	0.5W  | 1N5224	2.8V	0.5W
1N5225	3V	0.5W  | 1N5226	3.3V	0.5W
1N5227	3.6V	0.5W  | 1N5228	3.9V	0.5W
1N5229	4.3V	0.5W  | 1N5230	4.7V	0.5W
1N5231	5.1V	0.5W  | 1N5232	5.6V	0.5W
1N5233	6V	0.5W  | 1N5234	6.2V	0.5W
1N5235	6.8V	0.5W  | 1N5236	7.5V	0.5W
1N5237	8.2V	0.5W  | 1N5238	8.7V	0.5W
1N5239	9.1V	0.5W  | 1N5240	10V	0.5W
1N5241	11V	0.5W  | 1N5242	12V	0.5W
1N5243	13V	0.5W  | 1N5244	14V	0.5W
1N5245	15V	0.5W  | 1N5246	16V	0.5W
1N5247	17V	0.5W  | 1N5248	18V	0.5W
1N5249	19V	0.5W  | 1N5250	20V	0.5W
1N5251	22V	0.5W  | 1N5252	24V	0.5W
1N5253	25V	0.5W  | 1N5254	27V	0.5W
1N5255	28V	0.5W  | 1N5256	30V	0.5W
1N5257	33V	0.5W  | 1N5258	36V	0.5W
1N5259	39V	0.5W  | 1N5260	43V	0.5W
1N5261	47V	0.5W  | 1N5262	51V	0.5W
1N5263	56V	0.5W  | 1N5264	60V	0.5W
1N5265	62V	0.5W  | 1N5266	68V	0.5W
1N5267	75V	0.5W  | 1N5268	82V	0.5W
1N5269	87V	0.5W  | 1N5270	91V	0.5W
1N5271	100V	0.5W  | 1N5272	110V	0.5W
1N5273	120V	0.5W  | 1N5274	130V	0.5W
1N5275	140V	0.5W  | 1N5276	150V	0.5W
1N5277	160V	0.5W  | 1N5278	170V	0.5W
1N5279	180V	0.5W  | 1N5280	190V	0.5W
1N5281	200V	0.5W
1N5333	3.3V	5W    | 1N5334	3.6V	5W
1N5335	3.9V	5W    | 1N5336	4.3V	5W
1N5337	4.7V	5W    | 1N5338	5.1V	5W
1N5339	5.6V	5W    | 1N5340	6.0V	5W
1N5341	6.2V	5W    | 1N5342	6.8V	5W
1N5343	7.5V	5W    | 1N5344	8.2V	5W
1N5345	8.7V	5W    | 1N5346	9.1	5W
1N5347	10V	5W    | 1N5348	11V	5W
1N5349	12V	5W    | 1N5350	13V	5W
1N5351	14V	5W    | 1N5352	15V	5W
1N5353	16V	5W    | 1N5354	17V	5W
1N5355	18V	5W    | 1N5356	19V	5W
1N5357	20V	5W    | 1N5358	22V	5W
1N5359	24V	5W    | 1N5360	25V	5W
1N5361	27V	5W    | 1N5362	28V	5W
1N5363	30V	5W    | 1N5364	33V	5W
1N5365	36V	5W    | 1N5366	39V	5W
1N5367	43V	5W    | 1N5368	47V	5W
1N5369	51V	5W    | 1N5370	56V	5W
1N5371	60V	5W    | 1N5372	62V	5W
1N5373	68V	5W    | 1N5374	75V	5W
1N5375	82V	5W    | 1N5376	87V	5W
1N5377	91V	5W    | 1N5378	100V	5W
1N5379	110V	5W    | 1N5380	120V	5W
1N5381	130V	5W    | 1N5382	140V	5W
1N5383	150V	5W    | 1N5384	160V	5W
1N5385	170V	5W    | 1N5386	180V	5W
1N5387	190V	5W    | 1N5388	200V	5W
1N5518	3.3V	0.5W  | 1N5519	3.6V	0.5W
1N5520	3.9V	0.5W  | 1N5521	4.3V	0.5W
1N5522	4.7V	0.5W  | 1N5523	5.1V	0.5W
1N5524	5.6V	0.5W  | 1N5525	6.2V	0.5W
1N5526	6.8V	0.5W  | 1N5527	7.5V	0.5W
1N5528	8.2V	0.5W  | 1N5529	9.1V	0.5W
1N5530	10V	0.5W  | 1N5531	11V	0.5W
1N5532	12V	0.5W  | 1N5533	13V	0.5W
1N5534	14V	0.5W  | 1N5535	15V	0.5W
1N5536	16V	0.5W  | 1N5537	17V	0.5W
1N5538	18V	0.5W  | 1N5539	19V	0.5W
1N5540	20V	0.5W  | 1N5541	22V	0.5W
1N5542	24V	0.5W  | 1N5543	25V	0.5W
1N5544	28V	0.5W  | 1N5545	30V	0.5W
1N5546	33V	0.5W
1N5728	4.7V	0.4W  | 1N5729	5.1V	0.4W
1N5730	5.6V	0.4W  | 1N5731	6.2V	0.4W
1N5732	6.8V	0.4W  | 1N5733	7.5V	0.4W
1N5734	8.2V	0.4W  | 1N5735	9.1V	0.4W
1N5736	10V	0.4W  | 1N5737	11V	0.4W
1N5738	12V	0.4W  | 1N5739	13V	0.4W
1N5740	15V	0.4W  | 1N5741	16V	0.4W
1N5742	18V	0.4W  | 1N5743	20V	0.4W
1N5744	22V	0.4W  | 1N5745	24V	0.4W
1N5746	27V	0.4W  | 1N5747	30V	0.4W
1N5748	33V	0.4W  | 1N5749	36V	0.4W
1N5750	39V	0.4W  | 1N5751	43V	0.4W
1N5752	47V	0.4W  | 1N5753	51V	0.4W
1N5754	56V	0.4W  | 1N5755	62V	0.4W
1N5756	68V	0.4W  | 1N5757	75V	0.4W
1N5837	2.4V	0.5W  | 1N5838	2.5V	0.5W
1N5839	2.7V	0.5W  | 1N5840	2.8V	0.5W
1N5841	3.0V	0.5W  | 1N5842	3.3V	0.5W
1N5843	3.6V	0.5W  | 1N5844	3.9V	0.5W
1N5845	4.3V	0.5W  | 1N5846	4.7V	0.5W
1N5847	5.1V	0.5W  | 1N5848	5.6V	0.5W
1N5849	6.0V	0.5W  | 1N5850	6.2V	0.5W
1N5851	6.8V	0.5W  | 1N5852	7.5V	0.5W
1N5853	8.5V	0.5W  | 1N5854	8.7V	0.5W
1N5855	9.1V	0.5W  | 1N5856	10V	0.5W
1N5857	11V	0.5W  | 1N5858	12V	0.5W
1N5859	13V	0.5W  | 1N5860	14V	0.5W
1N5861	15V	0.5W  | 1N5862	16V	0.5W
1N5863	17V	0.5W  | 1N5864	18V	0.5W
1N5865	19V	0.5W  | 1N5866	20V	0.5W
1N5867	22V	0.5W  | 1N5868	24V	0.5W
1N5869	25V	0.5W  | 1N5870	27V	0.5W
1N5871	28V	0.5W  | 1N5872	30V	0.5W
1N5873	33V	0.5W  | 1N5874	36V	0.5W
1N5875	39V	0.5W  | 1N5876	43V	0.5W
1N5877	47V	0.5W  | 1N5878	51V	0.5W
1N5879	56V	0.5W  | 1N5880	60V	0.5W
1N5881	62V	0.5W
1N5913	3.3V	1.5W  | 1N5914	3.6V	1.5W
1N5915	3.9V	1.5W  | 1N5917	4.7V	1.5W
1N5918	5.1V	1.5W  | 1N5919	5.6V	1.5W
1N5920	6.2V	1.5W  | 1N5921	6.8V	1.5W
1N5922	7.5V	1.5W  | 1N5923	8.2V	1.5W
1N5924	9.1V	1.5W  | 1N5925	10V	1.5W
1N5926	11V	1.5W  | 1N5927	12V	1.5W
1N5928	13V	1.5W  | 1N5929	15V	1.5W
1N5930	16V	1.5W  | 1N5931	18V	1.5W
1N5932	20V	1.5W  | 1N5933	22V	1.5W
1N5934	24V	1.5W  | 1N5935	27V	1.5W
1N5936	30V	1.5W  | 1N5937	33V	1.5W
1N5938	36V	1.5W  | 1N5939	39V	1.5W
1N5940	43V	1.5W  | 1N5941	47V	1.5W
1N5942	51V	1.5W  | 1N5943	56V	1.5W
1N5944	62V	1.5W  | 1N5945	68V	1.5W
1N5946	75V	1.5W  | 1N5947	82V	1.5W
1N5948	91V	1.5W  | 1N5949	100V	1.5W
1N5950	110V	1.5W  | 1N5951	120V	1.5W
1N5952	130V	1.5W  | 1N5953	150V	1.5W
1N5954	160V	1.5W  | 1N5955	180V	1.5W
1N5956	200V	1.5W
1N5985	2.4V	0.5W  | 1N5986	2.7V	0.5W
1N5987	3.0V	0.5W  | 1N5988	3.3V	0.5W
1N5989	3.6V	0.5W  | 1N5990	3.9V	0.5W
1N5991	4.3V	0.5W  | 1N5992	4.7V	0.5W
1N5993	5.1V	0.5W  | 1N5994	5.6V	0.5W
1N5995	6.2V	0.5W  | 1N5996	6.8V	0.5W
1N5997	7.5V	0.5W  | 1N5998	8.2V	0.5W
1N5999	9.1V	0.5W  | 1N6000	10V	0.5W
1N6001	11V	0.5W  | 1N6002	12V	0.5W
1N6003	13V	0.5W  | 1N6004	15V	0.5W
1N6005	16V	0.5W  | 1N6006	18V	0.5W
1N6007	20V	0.5W  | 1N6008	22V	0.5W
1N6009	24V	0.5W  | 1N6010	27V	0.5W
1N6011	30V	0.5W  | 1N6012	33V	0.5W
1N6013	36V	0.5W  | 1N6014	39V	0.5W
1N6015	43V	0.5W  | 1N6016	47V	0.5W
1N6017	51V	0.5W  | 1N6018	56V	0.5W
1N6019	62V	0.5W  | 1N6020	68V	0.5W
1N6021	75V	0.5W  | 1N6022	82V	0.5W
1N6023	91V	0.5W  | 1N6024	100V	0.5W
1N6025	110V	0.5W  | 1N6026	120V	0.5W
1N6027	130V	0.5W  | 1N6028	150V	0.5W
1N6029	160V	0.5W  | 1N6030	180V	0.5W
1N6031	200V	0.5W
1N702	2.6V	0.4W  | 1N702A	2.7V	0.25W
1N703	3.45V	0.4W  | 1N703A	3.6V	0.25W
1N704	4.1V	0.4W  | 1N704A	4.3V	0.25W
1N705	4.85V	0.4W  | 1N705A	5.1V	0.25W
1N706	5.8V	0.4W  | 1N706A	6.0V	0.25W
1N707	7.1V	0.4W  | 1N707A	7.1V	0.25W
1N708	5.6V	0.25W | 1N708A	5.6V	0.25W
1N709	6.2V	0.25W | 1N709A	6.2V	0.25W
1N710	6.8V	0.25W | 1N710A	6.8V	0.25W
1N711	7.5V	0.25W | 1N711A	7.5V	0.25W
1N712	8.2V	0.25W | 1N712A	8.2V	0.25W
1N713	9.1V	0.25W | 1N713A	9.1V	0.25W
1N714	10V	0.25W | 1N714A	10V	0.25W
1N715	11V	0.25W | 1N715A	11V	0.25W
1N716	12V	0.25W | 1N716A	12V	0.25W
1N717	13V	0.25W | 1N717A	13V	0.25W
1N718	15V	0.25W | 1N718A	15V	0.25W
1N719	16V	0.25W | 1N719A	16V	0.25W
1N720	18V	0.25W | 1N720A	18V	0.25W
1N721	20V	0.25W | 1N721A	20V	0.25W
1N722	22V	0.25W | 1N722A	22V	0.25W
1N723	24V	0.25W | 1N723A	24V	0.25W
1N724	27V	0.25W | 1N724A	27V	0.25W
1N725	30V	0.25W | 1N725A	30V	0.25W
1N726	33V	0.25W | 1N726A	33V	0.25W
1N727	36V	0.25W | 1N727A	36V	0.25W
1N728	39V	0.25W | 1N728A	39V	0.25W
1N729	43V	0.25W | 1N729A	43V	0.25W
1N730	47V	0.25W | 1N730A	47V	0.25W
1N731	51V	0.25W | 1N731A	51V	0.25W
1N732	56V	0.25W | 1N732A	56V	0.25W
1N733	62V	0.25W | 1N733A	62V	0.25W
1N734	68V	0.25W | 1N734A	68V	0.25W
1N735	75V	0.25W | 1N735A	75V	0.25W
1N736	82V	0.25W | 1N736A	82V	0.25W
1N737	91V	0.25W | 1N737A	91V	0.25W
1N738	100V	0.25W | 1N738A	100V	0.25W
1N739	110V	0.25W | 1N739A	110V	0.25W
1N740	120V	0.25W | 1N740A	120V	0.25W
1N741	130V	0.25W | 1N741A	130V	0.25W
1N742	150V	0.25W | 1N742A	150V	0.25W
1N743	160V	0.25W | 1N743A	160V	0.25W
1N744	180V	0.25W | 1N744A	180V	0.25W
1N745	200V	0.25W | 1N745A	200V	0.25W
1N746	3.3V	0.5W  | 1N747	3.6V	0.5W
1N748	3.9V	0.5W  | 1N749	4.3V	0.5W
1N750	4.7V	0.5W  | 1N751	5.1V	0.5W
1N752	5.6V	0.5W  | 1N753	6.2V	0.5W
1N754	6.8V	0.5W  | 1N755	7.5V	0.5W
1N756	8.2V	0.5W  | 1N757	9.1V	0.5W
1N758	10.0V	0.5W  | 1N759	12.0V	0.5W
    Temperature Compensated Zener Diodes:
1N821	6.2V 0.5W -55/+100°C 0.01%/°C   15Ω
1N821A	6.2V 0.5W -55/+100°C 0.01%/°C   10Ω
1N822	6.2V 0.5W -55/+100°C 0.01%/°C   15Ω
1N823	6.2V 0.5W -55/+100°C 0.005%/°C  15Ω
1N823A	6.2V 0.5W -55/+100°C 0.005%/°C  10Ω
1N824	6.2V 0.5W -55/+100°C 0.005%/°C  15Ω
1N825	6.2V 0.5W -55/+100°C 0.002%/°C  15Ω
1N825A	6.2V 0.5W -55/+100°C 0.002%/°C  10Ω
1N826	6.2V 0.5W -55/+100°C 0.002%/°C  15Ω
1N827	6.2V 0.5W -55/+100°C 0.001%/°C  15Ω
1N827A	6.2V 0.5W -55/+100°C 0.001%/°C  10Ω
1N828	6.2V 0.5W -55/+100°C 0.001%/°C  15Ω
1N829	6.2V 0.5W -55/+100°C 0.0005%/°C 15Ω
1N829A	6.2V 0.5W -55/+100°C 0.0005%/°C 10Ω
    Temperature Compensated Zener Diodes:
1N935	9V 0.5W   0/+75°C  0.01%/°C   20Ω
1N935A	9V 0.5W -55/+100°C 0.01%/°C   20Ω
1N935B	9V 0.5W -55/+150°C 0.01%/°C   20Ω
1N936	9V 0.5W   0/+75°C  0.005%/°C  20Ω
1N936A	9V 0.5W -55/+100°C 0.005%/°C  20Ω
1N936B	9V 0.5W -55/+150°C 0.005%/°C  20Ω
1N937	9V 0.5W   0/+75°C  0.002%/°C  20Ω
1N937A	9V 0.5W -55/+100°C 0.002%/°C  20Ω
1N937B	9V 0.5W -55/+150°C 0.002%/°C  20Ω
1N938	9V 0.5W   0/+75°C  0.001%/°C  20Ω
1N938A	9V 0.5W -55/+100°C 0.001%/°C  20Ω
1N938B	9V 0.5W -55/+150°C 0.001%/°C  20Ω
    Temperature Compensated Zener Diodes:
1N941	11.7V 0.5W   0/+75°C  0.01%/°C   30Ω
1N941A	11.7V 0.5W -55/+100°C 0.01%/°C   30Ω
1N941B	11.7V 0.5W -55/+150°C 0.01%/°C   30Ω
1N942	11.7V 0.5W   0/+75°C  0.005%/°C  30Ω
1N942A	11.7V 0.5W -55/+100°C 0.005%/°C  30Ω
1N942B	11.7V 0.5W -55/+150°C 0.005%/°C  30Ω
1N943	11.7V 0.5W   0/+75°C  0.002%/°C  30Ω
1N943A	11.7V 0.5W -55/+100°C 0.002%/°C  30Ω
1N943B	11.7V 0.5W -55/+150°C 0.002%/°C  30Ω
1N944	11.7V 0.5W   0/+75°C  0.001%/°C  30Ω
1N944A	11.7V 0.5W -55/+100°C 0.001%/°C  30Ω
1N944B	11.7V 0.5W -55/+150°C 0.001%/°C  30Ω
1N945	11.7V 0.5W   0/+75°C  0.0005%/°C 30Ω
1N945A	11.7V 0.5W -55/+100°C 0.0005%/°C 30Ω
1N945B	11.7V 0.5W -55/+150°C 0.0005%/°C 30Ω
1N957	6.8V	0.5W  | 1N958	7.5V	0.5W
1N959	8.2V	0.5W  | 1N960	9.1V	0.5W
1N961	10V	0.5W  | 1N962	11V	0.5W
1N963	12V	0.5W  | 1N964	13V	0.5W
1N965	15V	0.5W  | 1N966	16V	0.5W
1N967	18V	0.5W  | 1N968	20V	0.5W
1N969	22V	0.5W  | 1N970	24V	0.5W
1N971	27V	0.5W  | 1N972	30V	0.5W
1N973	33V	0.5W  | 1N974	36V	0.5W
1N975	39V	0.5W  | 1N976	43V	0.5W
1N977	47V	0.5W  | 1N978	51V	0.5W
1N979	56V	0.5W  | 1N980	62V	0.5W
1N981	68V	0.5W  | 1N982	75V	0.5W
1N983	82V	0.5W  | 1N984	91V	0.5W
1N985	100V	0.5W  | 1N986	110V	0.5W
1N987	120V	0.5W  | 1N988	130V	0.5W
1N989	150V	0.5W  | 1N990	160V	0.5W
1N991	180V	0.5W  | 1N992	200V	0.5W

zener diode — с английского на русский

  • zener diode — ☆ zener diode [zē′nər ] n. [after Clarence Zener (1905 93), U.S. physicist] a semiconductor diode usually used as a voltage regulator because its resistance breaks down at a precise, predetermined voltage level (zener voltage), at which time it… …   English World dictionary

  • Zener Diode —  Zener Diode  Диод Зенера   Полупроводниковое, двухполюсное устройство с обратным смещением в область пробоя.   Устройство имеет высокий импеданс при приложении напряжения ниже, чем напряжение пробоя. Ток увеличивается существенно при приложении… …   Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. — М.

  • Zener diode — A Zener diode is a type of diode that permits current in the forward direction like a normal diode, but also in the reverse direction if the voltage is larger than the breakdown voltage known as Zener knee voltage or Zener voltage . The device… …   Wikipedia

  • Zener-Diode — Eine Zener Diode, oder auch Z Diode, ist eine besonders dotierte Silicium Diode mit geringer Sperrschichtdicke, die nach dem amerikanischen Physiker Clarence Melvin Zener, dem Entdecker des Zener Effekts, benannt ist. Die Charakteristik von Z… …   Deutsch Wikipedia

  • Zener diode — Zinerio diodas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. Zener diode vok. Zener Diode, f rus. диод Зинера, m pranc. diode à effet Zener, f; diode de Zener, f; diode Zener, f …   Fizikos terminų žodynas

  • Zener-Diode — Zinerio diodas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. Zener diode vok. Zener Diode, f rus. диод Зинера, m pranc. diode à effet Zener, f; diode de Zener, f; diode Zener, f …   Fizikos terminų žodynas

  • zener diode — ˈzēnə(r) , ˈzen noun Usage: often capitalized Z Etymology: after Clarence Melvin Zener died 1993 American physicist : a silicon semiconductor device used especially as a voltage regulator * * * /zee neuhr/, Electronics. a semiconductor diode… …   Useful english dictionary

  • Zener-Diode — Zenerdiode; Z Diode * * * Ze|ner|di|o|de auch: Ze|ner Di|o|de 〈[zi:nə(r) ] f. 19〉 ein Halbleiterbauelement, das bei Übersteigen einer bestimmten Spannung einen sehr starken Stromabfall zeigt, verwendet in Regelstrecken u. zur Konstanthaltung von… …   Universal-Lexikon

  • zener diode — /zee neuhr/, Electronics. a semiconductor diode across which the reverse voltage remains almost constant over a wide range of currents, used esp. to regulate voltage. Also, Zener diode. [1955 60; after U.S. physicist Clarence Melvin Zener (born… …   Universalium

  • Zener diode — A semiconductor used on British motorcycles for many years as a voltage regulator. When the voltage across the Zener diode reached a certain point, the element would begin to conduct current, routing it to ground, thus preventing the battery from …   Dictionary of automotive terms

  • Zener diode — /zɛnə ˈdaɪoʊd/ (say zenuh duyohd) noun a diode which has a stable Zener voltage which is used for a reference. {named after Clarence Melvin Zener, 1905–93, US physicist} …   Australian English dictionary

  • P-N Диод переключения и стабилитрон 2020

    Диод — самый простой полупроводниковый элемент, который имеет одно PN-соединение и два терминала. Это пассивный элемент, потому что ток течет в одном направлении. Зенеровский диод, наоборот, позволяет протекать обратный ток.

    Что такое Зенеровский диод?

    Через не проницаемое поляризованное p-n-соединение протекает небольшой обратный ток постоянного насыщения. Однако в реальном диоде, когда напряжение непроницаемой поляризации превышает определенное значение, возникает внезапная утечка тока, так что ток в конечном итоге увеличивается практически без какого-либо дальнейшего увеличения напряжения.

    Значение напряжения, при котором возникает внезапная утечка тока, называется пробой или напряжением Зенера. Физически две причины приводят к разрушению барьера p-n. В очень узких барьерах, которые образуются при очень высоком загрязнении полупроводников типа p и n, валентные электроны могут туннелироваться через барьер. Это явление объясняется волновой природой электрона.

    По словам исследователя, который впервые объяснил это, разбивка этого типа называется разбитием Зинера. В более широких барьерах неосновные носители, свободно пересекающие барьер, могут получить достаточную скорость при высоких напряженности поля, чтобы разрушить валентные связи внутри барьера. Таким образом создаются дополнительные пары электронных дырок, которые способствуют увеличению тока.

    Вольт-амперная характеристика диода Зенера для области поляризации полосы пропускания не отличается от характеристик общего выпрямительного полупроводникового диода. В области непроницаемой поляризации проникновение диодов Зенера обычно имеет более низкие значения, чем проникающие напряжения обычных полупроводниковых диодов, и о

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *