Site Loader

Содержание

3. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов

В технической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730–73 «Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые». В табл. П.8 приведены графические обозначения основных полупроводниковых приборов.

Таблица П.8 -Графические обозначения полупроводниковых приборов

Наименование прибора

Обозначение

Диод выпрямительный

Диод Шоттки

Стабилитрон

Стабилитрон двуханодный

Диод туннельный

Обращенный диод

Варикап

Наименование прибора

Обозначение

Биполярный транзистор pnp-типа

Биполярный транзистор npn-типа

Полевой транзистор с управляющим переходом с каналом n-типа

Полевой транзистор с управляющим переходом с каналом р-типа

Полевой транзистор с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа

Наименование прибора

Обозначение

Полевой транзистор с изолированным затвором с индуцированным каналом р-типа

Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа

Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа

Диодный тиристор

Диодный симметричный тиристор

Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении с управлением по аноду

Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении с управлением по катоду

Наименование прибора

Обозначение

Триодный симметричный тиристор

Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, выключаемый с управлением по аноду

Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, выключаемый с управлением по катоду

Излучающий диод

Фоторезистор

Фотодиод

Фототранзистор p-n-p-типа

Наименование прибора

Обозначение

Фототиристор

Оптрон диодный

Оптрон тиристорный

Оптрон резисторный

Оптрон транзисторный

4. Условные буквенные обозначения полупроводниковых приборов в электрических схемах.

Элементы, входящие в состав изделия, на электрической принципиальной схеме должны иметь буквенно-цифровые обозначения.

Типы условных буквенно-цифровых обозначений и правила их построения устанавливает ГОСТ2.710–81.

Позиционное обозначение элемента в общем случае состоит из трех частей, указывающих вид, номер и функцию элемента и записывается без разделительных знаков и пробелов. Вид и номер являются обязательной частью

условного буквенно-цифрового обозначения и присваивается всем элементам схемы.

Буквенные коды некоторых полупроводниковых элементов приведены в табл. П.9.

Таблица П.9 — Буквенные коды полупроводниковых приборов

Первая буква кода

(обязательная)

Полупроводниковый прибор

Двухбуквенный код

B

Фотоэлемент

BL

D

Схема интегральная аналоговая

Схема интегральная цифровая

DA

DD

V

Диод, стабилитрон

Транзистор

Тиристор

VD

VT

VS

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ

ГОСТ 2.730-73

ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ

Москва

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Единая система конструкторской документации

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ
В СХЕМАХ.
ПРИБОРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Unified system for design documentation.
Graphical symbols in diagrams.

Semiconductor devices

ГОСТ
2.730-73

Дата введения 1974-07-01

1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.

(Измененная редакция, Изм. № 3).

2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.

Таблица 1

Наименование

Обозначение

1. (Исключен, Изм. № 2).

 

2. Электроды:

 

база с одним выводом

база с двумя выводами

Р-эмиттер с N-областью

N-эмиттер с Р-областью

несколько Р-эмиттеров с N -областью

несколько N -эмиттеров с Р-областью

коллектор с базой

несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе

3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот

область собственной электропроводности (I-область):

l) между областями с электропроводностью разного типа  PIN или NIP

2) между областями с электропроводностью одного типа  PIP или NIN

3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью  PIN или NIP

4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа  PIP или NIN

4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа

обедненного типа

5. Переход PN

6. Переход NP

7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип

8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип

9. Затвор изолированный

10. Исток и сток

Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например:

11. Выводы полупроводниковых приборов:

 

электрически, не соединенные с корпусом

электрически соединенные с корпусом

12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку

(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).

3, 4. (Исключены, Изм. № 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.

Таблица 4

Наименование

Обозначение

1. Эффект туннельный

 

а) прямой

б) обращенный

2. Эффект лавинного пробоя:

а) односторонний

б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2).

9. Эффект Шоттки

6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.

Таблица 5

Наименование

Обозначение

1. Диод

 

Общее обозначение

2. Диод туннельный

3. Диод обращенный

4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)

 

а) односторонний

б) двухсторонний

5. Диод теплоэлектрический

6. Варикап (диод емкостный)

7. Диод двунаправленный

8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами

8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами

9. Диод Шотки

10. Диод светоизлучающий

7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.

Таблица 6

Наименование

Обозначение

1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении

2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении

3. Тиристор диодный симметричный

4. Тиристор триодный. Общее обозначение

5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду

по катоду

6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение

запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду

запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду

7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении:

 

общее обозначение

с управлением по аноду

с управлением по катоду

8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак

9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении

Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.

Таблица 7

Наименование

Обозначение

1. Транзистор

а) типа PNP

б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана

2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом

3. Транзистор лавинный типа NPN

4. Транзистор однопереходный с N-базой

5. Транзистор однопереходный с Р-базой

6. Транзистор двухбазовый типа NPN

7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области

8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области

9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN

Примечание. При выполнении схем допускается:

а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,

б) изображать корпус транзистора.

Таблица 8

Наименование

Обозначение

1. Транзистор полевой с каналом типа N

2. Транзистор полевой с каналом типа Р

3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки:

 

а) обогащенного типа с Р-каналом

б) обогащенного типа с N-каналом

в) обедненного типа с Р-каналом

г) обедненного типа с N-каналом

4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки

5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом

6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки

7. Транзистор полевой с затвором Шоттки

8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки

Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.

Таблица 9

Наименование

Обозначение

1. Фоторезистор:

а) общее обозначение

б) дифференциальный

2. Фотодиод

З. Фототиристор

4. Фототранзистор:

 

а) типа PNP

б) типа NPN

5. Фотоэлемент

6. Фотобатарея

Таблица 10

Наименование

Обозначение

1. Оптрон диодный

2. Оптрон тиристорный

3. Оптрон резисторный

4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем:

 

а) совмещенно

б) разнесенно

5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором:

а) с выводом от базы

б) без вывода от базы

Примечания:

1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,

например:

2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:

12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.

Таблица 11

Наименование

Обозначение

1. Датчик Холла

Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника

 

2. Резистор магниточувствительный

3. Магнитный разветвитель

13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.

Таблица 12

Наименование

Обозначение

1. Однофазная мостовая выпрямительная схема:

а) развернутое изображение

б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение)

Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения.

Пример применения условного графического обозначения на схеме

2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема

3. Диодная матрица (фрагмент)

Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов

14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.

Таблица 13

Наименование

Обозначение

Отпечатанное обозначение

1. Диод

2. Транзистор типа PNР

3. Транзистор типа NPN

4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области

5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN

Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.

15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.

(Измененная редакция, Изм. № 4).

Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).

Наименование

Обозначение

1. Диод

2.. Тиристор диодный

3. Тиристор триодный

4. Транзистор

5. Транзистор полевой

6. Транзистор полевой с изолированным затвором

(Введено дополнительно, Изм. № 3).

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР

РАЗРАБОТЧИКИ

В. Р. Верченко, Ю. И. Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова

2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002

3 Соответствует СТ СЭВ 661-88

4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы

5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)

Условно-графические обозначения полупроводниковых приборов

 

На электрических и радиоэлектронных схемах полупроводниковые диоды обозначаются символом, напоминающим кристаллический детектор с парой кристалл – металлическое острие, использовавшийся в 20-е годы. Вместо ост­рия на схеме рисуется треугольник (анод), вершина, которого упирается в чер­ту, под которой подразумевается плоскость кристалла полупроводника (ка­тод). Эта вершина указывает направление наибольшей проводимости. Этот сим­вол обозначения полупроводникового диода лежит в основе и для обозначения диодов разного назначения.

В таблице 5.12 даны некоторые обозначения различных видов диодов.

 

Таблица 5.12 – Обозначения некоторых видов диодов

 

Некоторые обозначения тиристоров приведены в таблице 5.13

 

Таблица 5.13 – Обозначения некоторых видов тиристоров

Наименование Обозначение
Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении
Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении
Тиристор диодный симметричный
Тиристор триодный

 

Условное графическое обозначение биполярных транзисторов содержит обозначение базы, эмиттера и коллектора. Базу транзистора обозначают короткой черточкой, эмиттер — наклонной линией со стрелкой. Для транзистора структуры p-n-р стрелка направлена к изображению базы, а для транзистора структуры n-p-п — от базы. Кружок на схеме символизирует корпус транзистора. Если транзистор без корпуса или входит в состав интегральной микросхемы, то кружок не ставится. В изображении лавинного транзистора используется дополнительный знак — изображение пря­мого угла между эмиттером и коллектором. Особенностью изображения однопереходного транзистора является то, что символ эмиттера направлен под углом к середине изображения базы, а два вывода от базы смещены к ее краям.

В таблице 5.14 даны некоторые обозначения некоторых видов биполярных транзисторов.

 

Таблица 5.14 – Обозначения некоторых видов биполярных транзисторов

 

При выполнении схем допускается выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, так, как показано на рисунке 5.12.

 

Рисунок 5.12 – Пример обозначения транзисторов в зеркальном изображении

 

Полевые транзисторы изображают несколько иначе. Они имеют только общее изображение корпуса в виде кружка. У полевых транзисторов с р-п переходом канал изображают в виде черточки, как базу у биполярных транзисторов. Две параллельные линии справа символизируют сток и исток полевого транзистора. Линия, продолжающая исток в противоположном направлении, представляет затвор. Соединение затвора с каналом, управляющим p-n переходом, изображается стрелкой, указывающей электропроводность канала. Стрелка, направленная к общей вертикальной черте, — полевой транзистор с каналом n-типа стрелка, идущая от общей вертикальной черты — с каналом p-типа.

Примеры построения обозначений некоторых полевых транзисторов приведены в таблице 5.15.

 

Таблица 5.15 – Обозначения некоторых видов полевых транзисторов

Наименование Обозначение
Транзистор полевой с каналом типа N
Транзистор полевой с каналом типа Р
Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: обогащенного типа с Р-каналом
обедненного типа с N-каналом

 

Размеры условных графических обозначений полупроводниковых приборов (в модульной сетке) приведены в таблице 5.18.

 

Таблица 5.18 – Размеры условных графических обозначений полупроводниковых приборов

Наименование Обозначение
Диод  
Тиристор диодный
Транзистор биполярный  
Транзистор полевой

 

Радио для всех — Условные обозначения диодов

junradio.com|jradio.ucoz.ru|junradio.com

 

 

Как известно, основное свойство p-n перехода — односторонняя проводимость: от области р (анод) к области n (катод). Это наглядно передает и условное графическое обозначение полупроводникового диода: треугольник (символ анода) вместе с пересекающей его линией электрической связи образуют подобие стрелки, указывающей направление проводимости. Перпендикулярная этой стрелке черточка символизирует катод. Буквенный код диодов — VD. Этим кодом обозначают не только отдельные диоды, но и целые группы, например, выпрямительные    столбы. Исключение составляет однофазный выпрямительный мост, изображаемый в виде квадрата с соответствующим числом выводов и символом диода внутри. Полярность выпрямленного мостом напряжения на схемах не указывают, так как ее однозначно определяет символ диода. Однофазные мосты, конструктивно объединенные в одном корпусе, изображают отдельно, показывая принадлежность к одному изделию в позиционном обозначении.

 

Обозначение                                                                    Реальный вид

 

 

Чтобы показать на схеме стабилитрон, катод дополняют коротким штрихом, направленным в сторону символа анода. Расположение штриха относительно символа анода должно быть неизменным независимо от положения УГО стабилитрона на схеме. Аналогично построены условные графические обозначения туннельных диодов, обращенных и диодов Шотки — полупроводниковых приборов, используемых для обработки сигналов в области СВЧ. В символе туннельного диода катод дополнен двумя штрихами, направленными в одну сторону (к аноду), в УГО диода Шотки — в разные стороны.

Обозначение                                                                    Реальный вид

 

У варикапа две параллельные линии воспринимаются как символ конденсатора. Как и конденсаторы переменной ёмкости (для удобства) варикапы часто изготовляют в виде блоков (их называют матрицами) с общим катодом и раздельными анодами.

 

Обозначение                                                                    Реальный вид

 

 

Базовый символ диода использован и в УГО тиристоров.  Буквенный код этих приборов — VS.

Динистор обозначают символом диода, перечеркнутым отрезком линии, параллельной катоду. Такой же прием использован и при построении УГО симметричного динистора. Управление по катоду в тринисторах показывают ломаной линией, присоединенной к символу катода, по аноду — линией, продолжающей одну из сторон треугольника, символизирующего анод. Графическое обозначение симметричного (двунаправленного) тринистора получают из символа симметричного динистора добавлением третьего вывода.

 

Из диодов, изменяющих свои параметры под действием внешних факторов, наиболее широко применяют фотодиоды. Для обозначения фотодиодов, базовый символ диода помещают в кружок, а рядом с ним (слева вверху) помещают знак — две наклонные параллельные стрелки, направленные в сторону символа.Аналогично строятся условные графические обозначения светоизлучающих диодов, но стрелки, обозначающие оптическое излучение, помещают справа вверху, независимо от положения условно-графического обозначения и направляют в противоположную сторону.

 

  Обозначение                                                                    Реальный вид

 

На схемах оптроны обозначают буквой U. Оптическую связь излучателя (светодиода) и фотоприёмника показывают в этом случае двумя стрелками, перпендикулярными к линиям электрической связи — выводам оптрона. Фотоприемником в оптроне могут быть фотодиод, фототиристор, фоторезистор и т. д. Взаимная ориентация символов излучателя и фотоприемника не регламентируется. При необходимости составные части оптрона можно изображать раздельно, но в этом случае знак оптической связи следует заменять знаками оптического излучения и фотоэффекта, а принадлежность частей к одному изделию показывать в позиционном обозначении.

 

Обычно светодиоды, излучающие видимый свет, применяют в качестве индикаторов, на схемах их обозначают латинскими буквами HL (HG- для знаковых). Условные графические обозначения подобных устройств в ГОСТе и стандарте формально не предусмотрены. Сегменты подобных индикаторов обозначаются строчными буквами латинского алфавита по часовой стрелке, начиная с верхнего. Этот символ наглядно отражает практически реальное расположение светоизлучающих элементов (сегментов) в индикаторе, хотя и не лишен недостатка; он не несет информации о полярности включения в электрическую цепь (поскольку подобные индикаторы выпускают как с общим анодом, так и с общим катодом, то схемы включения будут различаться). Однако особых затруднений это не вызывает, поскольку подключение общего вывода индикаторов обычно указывают на схеме. Стандартный буквенный код D используют только для инфракрасных (ИК) светодиодов.

 

  Обозначение                                                                    Реальный вид

 

Светодиодные матрицы, светодиоды нового поколения, в которых применяются светодиодные кристаллы. Отображают небольшую сетку пикселей, значения которых определяются текущими значениями на входах. Сетка может иметь до 32 строк и 32 столбцов. Обозначение и подключение как у обычных светодиодов.

 

 

 

8. Транзисторы — Условные графические обозначения на электрических схемах — Компоненты — Инструкции


Транзистор (от английских слов tran(sfer) — переносить и (re)sistor — сопротивление) — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Наиболее распространены так называемые биполярные транзисторы. Электропроводность эмиттера и коллектора всегда одинаковая (р или n), базы — противоположная (n или р). Иными словами, биполярный транзистор содержит два р-n-перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой — с коллектором (коллекторный переход).

 

 Буквенный код транзисторов — латинские буквы VT. На схемах эти полупроводниковые приборы обозначают, как показано на рис. 8.1 [5]. Здесь короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Об электропроводности базы судят по символу эмиттера: если его стрелка направлена к базе (см. рис. 8.1, VT1), то это означает, что эмиттер имеет электропроводность типа р, а база— типа n; если же стрелка направлена в противоположную сторону (VT2), электропроводность эмиттера и базы обратная.

 
 Знать электропроводность эмиттера базы и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключить транзистор к источнику питания. В справочниках эту информацию приводят в виде структурной формулы. Транзистор, база которого имеет электропроводимость типа n, обозначают формулой р-п-р, а транзистор с базой, имеющей электропроводность типа р, обозначают формулой n-р-n. В первом случае на базу и коллектор следует подавать отрицательное по отношению к эмиттеру напряжение, во втором — положительное.    

 
 Для наглядности условное графическое обозначение дискретного транзистора обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Иногда металлический корпус соединяют с одним из выводов транзистора. На схемах это показывается точкой в месте пересечения соответствующего вывода с символом корпуса. Если же корпус снабжен отдельным выводом, линию-вывод допускается присоединять к кружку без точки (VT3 на рис. 8.1). В целях повышения информативности схем рядом с позиционным обозначением транзистора допускается указывать его тип.

 

 Линии электрической связи, идущие от эмиттера и коллектора проводят в одном из двух направлений: перпендикулярно или параллельно выводу базы (VT3—VT5). Излом вывода базы допускается лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (VT4).

 
 Транзистор может иметь несколько эмиттерных областей (эмиттеров). В этом случае символы эмиттеров обычно изображают с одной стороны символа базы, а окружность обозначения корпуса заменяют овалом (рис. 8.1, VT6).

 
 Стандарт допускает изображать транзисторы и без символа корпуса, например, при изображении бескорпусных транзисторов или когда на схеме необходимо показать транзисторы, входящие в состав сборки транзисторов или интегральной схемы.

 

 Поскольку буквенный код VT предусмотрен для обозначения транзисторов, выполненных в виде самостоятельного прибора, транзисторы сборок обозначают одним из следующих способов: либо используют код VT и присваивают им порядковые номера наряду с другими транзисторами (В этом случае на поле схемы помещают такую, например, запись: VT1-VT4 К159НТ1), либо используют код аналоговых микросхем (DA) и указывают принадлежность транзисторов в сборке в позиционном обозначении (рис. 8.2, DA1.1, DA1.2). У выводов таких транзисторов, как правило, приводят условную нумерацию, присвоенную выводам корпуса, в котором выполнена матрица.

 
 Без символа корпуса изображают на схемах и транзисторы аналоговых и цифровых микросхем (для примера на рис. 8.2 показаны транзисторы структуры п-р-п с тремя и четырьмя эмиттерами).

 

 Условные графические обозначения некоторых разновидностей биполярных транзисторов получают введением в основной символ специальных знаков. Так, чтобы изобразить лавинный транзистор, между символами эмиттера и коллектора помещают знак эффекта лавинного пробоя (см. рис. 8.3, VT1, VT2). При повороте УГО положение этого знака должно оставаться неизменным.

 
 Иначе построено УГО однопереходного транзистора: у него один р-п-переход, но два вывода базы. Символ эмиттера в УГО этого транзистора проводят к середине символа базы (рис. 8.3, VT3, VT4). Об электропроводности последней судят по символу эмиттера (направлению стрелки).

 
 На символ однопереходного транзистора похоже УГО большой группы транзисторов с p-n-переходом, получивших название полевых. Основа такого транзистора — созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью п или р-типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод — затвор. Канал изображают так же, как и базу биполярного транзистора, но помещает в середине кружка-корпуса (рис. 8.4, VT1), символы истока и стока присоединяют к нему с одной стороны, затвора — с другой стороны на продолжении линии истока. Электропроводность канала указывают стрелкой на символе затвора (на рис. 8.4 условное графическое обозначение VT1 символизирует транзистор с каналом п-типа, VT1 — с каналом p-типа).

 

 В условном графическом обозначении полевых транзисторов с изолированным затвором (его изображают черточкой, параллельной символу канала с выводом на продолжении линии истока) электропроводность канала показывают стрелкой, помещенной между символами истока и стока. Если стрелка направлена к каналу, то это значит, что изображен транзистор с каналом n-типа, а если в противоположную сторону (см. рис. 8.4, VT3) —  с каналом p-типа. Аналогично поступают при наличии вывода от подложки (VT4), а также при изображении полевого транзистора с так называемым индуцированным каналом, символ которого — три коротких штриха (см. рис. 8.4, VT5, VT6). Если подложка соединена с одним из электродов (обычно с истоком), это показывают внутри УГО без точки (VT1, VT8).

 
 В полевом транзисторе может быть несколько затворов. Изображают их более короткими черточками, причем линию-вывод первого затвора обязательно помещают на продолжении линии истока (VT9).

 
 Линии-выводы полевого транзистора допускается изг[цензура] лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (см. рис. 8.4, VT2). В некоторых типах полевых транзисторов корпус может быть соединен с одним из электродов или иметь самостоятельный вывод (например, транзисторы типа КПЗ03).

 
 Из транзисторов, управляемых внешними факторами, широкое применение находят фототранзисторы. В качестве примера на рис. 8.5 показаны условные графические обозначения фототранзисторов с выводом базы (FT1, VT2) и без него (К73). Наряду с другими полупроводниковыми приборами, действие которых основано на фотоэлектрическом эффекте, фототранзисторы могут входить в состав оптронов. УГО фототранзистора в этом случае вместе с УГО излучателя (обычно светодиода) заключают в объединяющий их символ корпуса, а знак фотоэффекта — две наклонные стрелки заменяют стрелками, перпендикулярными символу базы.

 

 

 

 Для примера на рис. 8.5 изображена одна из оптопар сдвоенного оптрона (об этом говорит позиционное обозначение U1.1), Аналогично строится У ГО оптрона с составным транзистором (U2).

 

Радиоэлементы и их графическое обозначение — презентация на Slide-Share.ru 🎓

1

Первый слайд презентации: Радиоэлементы и их графическое обозначение

Тамбов 2020 Осторожно! Очень удобная презентация

Изображение слайда

2

Слайд 2

Чтоб научиться читать и писать, необходимо изучить азбуку – буквы алфавита. В радиоэлектронике своя азбука – условные обозначения деталей, из которых составляют схемы различных устройств

Изображение слайда

3

Слайд 3

Как же вы думаете, что изображено на рисунке справа? Правильно! Это изображена принципиальная электрическая схема электронного прибора. А для того, чтобы собрать какую-нибудь радиоэлектронную конструкцию по имеющейся схеме, необходимо уметь ее читать и также знать обозначения радиодеталей в ней. Итак, начнём с изучения условно-графических основных радиодеталей и также познакомимся с некоторыми из них.

Изображение слайда

4

Слайд 4: Резисторы

Главная задача резистора — это преграда на пути тока. Называется он даже так — resist, сопротивление. Разные элементы аппаратуры требуют разного количества энергии, грубо говоря. Поэтому входящий поток разделяется на множество других и к каждому внутреннему элементу электрического прибора подается определенное количество тока из каждого потока. А чтобы не подалось больше, он глушится резисторами, иногда требуется настолько точно заглушить поток, что на пути стоит до десятков резисторов разного сопротивления. Условно графическое обозначение:

Изображение слайда

5

Слайд 5

Существуют постоянные резисторы, переменные и подстроечные. Наглядное условное графическое обозначение можно наблюдать на рисунке:

Изображение слайда

6

Слайд 6: Внешний вид постоянных резисторов различных марок и мощностей

Изображение слайда

7

Слайд 7: Внешний вид подстроечных и переменных резисторов различных марок

Изображение слайда

8

Слайд 8: Конденсаторы

Конденсатор это по факту микро батарейка с очень быстрым зарядом и разрядом. Он запасает в себе небольшое количество энергии. Все дело в том что за один такт работы процессора ему может понадобиться больше энергии, чем пропускают дорожки. И тогда на помощь приходит конденсатор и разряжается. А на следующий такт работы процессора конденсатор успевает зарядиться. То же самое возникает и с микросхемами. Только микросхемы обычно не такие прожорливые как центральный процессор.

Изображение слайда

9

Слайд 9: Возле условно-графического изображения конденсатора ставят его позиционное положение и номинальную ёмкость

В радиоэлектронике используются также специальные конденсаторы как варикапы, проходные и опорные

Изображение слайда

10

Слайд 10: Внешний вид некоторых конденсаторов постоянной ёмкости

Изображение слайда

11

Слайд 11: Внешний вид некоторых электролитических конденсаторов

Изображение слайда

12

Слайд 12: Внешний вид некоторых конденсаторов переменной ёмкости

Изображение слайда

13

Слайд 13: Полупроводниковые приборы «диоды»

На электрических и радиоэлектронных схемах полупроводниковые диоды обозначаются символом, напоминающим кристаллический детектор с парой кристалл-металлическое острие. Вместо острия на схеме рисуется треугольник (анод), вершина которого упирается в черту, под которой подразумевается плоскость кристалла полупроводника (катод)

Изображение слайда

14

Слайд 14: Условно-графическое обозначение диодов

Изображение слайда

15

Слайд 15: Внешний вид полупроводниковых элементов (диоды)

Изображение слайда

16

Слайд 16: Полупроводниковые приборы «Транзисторы»

Условно-графическое обозначение биполярных транзисторов содержит обозначение базы, эмиттера и коллектора. Рядом с изображением транзисторы ставится буквенный код VT и порядковый номер позиции. Базу транзистора обозначают короткой чёрточкой, эмиттер – наклонной линией со стрелкой. Для транзистора структуры p-n-p стрелка направлена к изображению базы, а для транзистора n-p-n от базы ( n – наружу). Кружок на схеме символизирует корпус транзистора. Их делят на 2 типа: полевые и биполярные.

Изображение слайда

17

Слайд 17: Условное обозначение транзисторов

Изображение слайда

18

Слайд 18: Внешний вид полупроводниковых элементов «транзисторы»

Изображение слайда

19

Слайд 19: Полупроводниковые приборы «Реле»

Реле – это переключатель. Причем не совсем обычный. Когда в подъезде лампочка загорается от звука шагов, это не волшебство, это работает реле. В этой статье расскажем о назначении реле и принципе его работы. Говоря проще, когда входная величина меняется (ток, напряжение), реле замыкает или размыкает цепь. При этом в зависимости от типа реле входная величина не обязательно имеет электрическую природу.

Изображение слайда

20

Слайд 20: Внешний вид различных типов реле

Изображение слайда

21

Слайд 21: Электромагнитное реле

Изображение слайда

22

Слайд 22: Внешний вид некоторых электромеханических реле

Изображение слайда

23

Слайд 23: Трансформаторы

Трансформатор предназначен для преобразования переменного напряжения одной величины в переменное напряжение другой величины. Трансформаторы для широкого диапазона частот обозначают буквой Т, а их обмотки – римскими цифрами.

Изображение слайда

24

Слайд 24: Внешний вид различных трансформаторов

Изображение слайда

25

Слайд 25: Катушки индуктивности

Катушку индуктивности и дроссель изображают на схемах в виде нескольких (обычно 4х) соединенных полуокружностей, символизирующих витки катушки. Отводы катушек изображают отрезками прямых, отходящих от точек соединения полуокружностей или от выпуклой части самой полуокружности. Возле условного схемного изображения катушки или дросселя ставят их буквенно-позиционное обозначение, состоящее из латинской буквы L или порядкового номера.

Изображение слайда

26

Слайд 26: Внешний вид различных катушек индуктивности

Изображение слайда

27

Слайд 27: Акустические приборы

Акустическими называют приборы, преобразующие энергию электрических колебаний в энергию звуковых или механических колебаний, и наоборот.

Изображение слайда

28

Слайд 28: Выполнить задания

Изобразить условное графическое обозначение следующих элементов: Резистор; Конденсатор; Диод; Транзистор; Трансформатор. В программе Visio.

Изображение слайда

29

Последний слайд презентации: Радиоэлементы и их графическое обозначение: Спасибо за внимание

Изображение слайда

Типы полупроводниковых диодов

Полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом, работа которого заключается в преобразования одних электрических значений в другие, называют диодом. В конструкции данного изделия предусматривается два вывода для монтажа.

Диоды полупроводниковые

На принципиальных электрических схемах полупроводниковые диоды изображаются в виде треугольника и отрезка, расположенного на одной из его вершин и находящегося параллельно противолежащей стороне.

В зависимости от разработки диода его обозначение может включать дополнительные символы. В любом случае вершина треугольника, примыкающая к осевой линии диода, указывает на направление протекания тока.

 

В той части обозначения, где располагается треугольник, находится p-область, которую ещё называют анодом или эмиттером, а со стороны, где к треугольнику примыкает отрезок, находится n-область, которую соответственно называют катодом, или базой.

Полупроводниковые диоды, назначение которых заключается в преобразовании переменного тока в постоянный ток, называются выпрямительными. Выпрямление переменного тока с использованием полупроводникового диода построено на основе его односторонней электропроводности, которая заключается в том, что диод создаёт очень малое сопротивление току, текущему в прямом направлении, и достаточно большое сопротивление обратному току.

Для того чтобы выпрямить ток большой силы не опасаясь теплового пробоя, конструкция диодов должна предусматривать значительную площадь pn-перехода. В связи, с чем в выпрямительных полупроводниковых диодах задействуют специальные pn-переходы соответствующие последнему слову науки и техники.

Технология создания pn-перехода получается, за счёт ввода в полупроводник p-или n-типа примеси, которая создаёт в нем область с противоположным значением электропроводности. Примеси можно добавлять методом сплавления или диффузии.

Диоды, получаемые методом сплавления, называют «сплавными», а изготавливаемые методом диффузии «диффузионными».

Простейший выпрямитель

 

 

В ходе положительного полупериода входного напряжения U1 диод V работает в прямом направлении, его сопротивление маленькое и на нагрузке RH напряжение U2 практически равно входящему напряжению.

График напряжения на входе и выходе простейшего однополупериодного выпрямителя

При отрицательном полупериоде данного входного напряжения диод включен в направлении обратно, где его сопротивление формируется значительно больше, чем сопротивление на нагрузке, и почти все входящее напряжение падает на диоде, а напряжение на нагрузке приближается к нулю. В такой схеме для получения выпрямленного напряжения используется всего лишь один полупериод входящего напряжения, поэтому такой тип выпрямителей называется однополупериодным.

Полупроводниковые диоды, которые используются для стабилизации постоянного напряжения на нагрузке, называют стабилитронами. В стабилитронах задействован участок обратной участка вольтамперной характеристики в поле электрического пробоя.

Схема простейшего стабилизатора напряжения

 

 

В данном случае при изменении тока, проходящего через стабилитрон, от Iст. мин. до Iст. макс. напряжение на нем практически не изменяется. Если нагрузка RH включена параллельно стабилитрону, уровень напряжения на ней также будет оставаться неизменным в указанных пределах изменения тока, проходящего через стабилитрон.

График стабилитрона

 

 

Такими диодами стабилизируют уровень напряжения примерно от 3,5 В и выше. Для стабилизации постоянного напряжения до 1 вольта применяют стабисторы. У стабисторов работает не обратная, а прямая часть вольтамперной характеристики. Поэтому их подсоединяют не в обратном, как делают со стабилитронами, а в прямом направлении. Электронные компоненты, такие как стабисторы и стабилитроны, как правило, изготовляются, из кремния.

Вольтамперная характеристика стабистора

 

Плоскостные диоды обладают с высокими ёмкостными характеристиками. С увеличением частоты емкостное сопротивление понижается, что приводит к нарастанию его обратного тока. На больших частотах вследствие того в диоде есть ёмкость, величина его обратного тока может достичь значения прямого тока, и этот диод, таким образом, утратит свое основное свойство односторонней электропроводности. Для сохранения своих функциональных качеств необходимо снизить емкость диода. Это достигается с помощью всевозможных технологических и конструктивных методов, направленных на сокращения площади pn-перехода.

В диодах, используемых в схемах, работающих с высокочастотным током, применяют изделия с точечными и микросплавными pn-переходами. Нужный точечный pn-переход, получается в месте контакта заостренного окончания специальной металлической иглы с полупроводником. При этом применяют способ электроформования, заключающемся в том, что через соединение проволоки и кристалла полупроводники протекают импульсы электрического тока, формирующие в месте их контакта pn-переход. Микросплавными называются такие диоды, у которых pn-переход создаётся при электроформовании контакта между пластинкой полупроводника и металлическим предметом с плоским торцом.

Описание курсов ECE | Электротехника и вычислительная техника

ENGIN 112: Введение в электротехнику и вычислительную технику

Студенты выбирают один из шести вводных инженерных курсов (ENGIN 100, 110, 111, 112, 113 или 114). В рамках небольшого класса студенческие команды изучают реальные инженерные разработки. Это введение в инженерное проектирование и / или производство подчеркивает развитие коммуникативных навыков (письменных, устных и графических). Требуется проект.Сопутствующие реквизиты: одновременное зачисление в MATH 131 или выше; регистрация или право на регистрацию в ENGLWRIT 112.

ECE 122: Введение в программирование для ECE

Комплексное введение в компьютерное программирование с приложениями для различных областей электротехники и вычислительной техники. Ограничено специальностями ENGIN.

ECE 124: Введение в цифровые и компьютерные системы

Теория цифровых схем и компьютерных систем с упором на общие методы анализа и синтеза комбинационных и последовательных логических систем.Ограничено специальностями ENGIN, EE и CSE.

ECE 190A: Queer Lights

Этот курс будет сочетать изучение опыта лесбиянок, геев, бисексуалов, транссексуалов, гомосексуалистов и других лиц, лишенных сексуального и гендерного меньшинства (ЛГБТК +), с проектированием и созданием компьютерных программируемых электронных световых дисплеев, отражающих учащихся? курсовое обучение или личный опыт. Особое внимание будет уделено изучению жизни цветных ЛГБТК + и ЛГБТК + людей в областях науки, технологий, инженерии и математики (STEM).Курс представляет собой введение в компьютерное программирование и электронику для студентов, не требуя предварительного знания этих тем. (Gen. Ed. SI, DU)

ECE 201: Аналитические инструменты для ECE

Комплексные числа. Дифференциальные уравнения первого порядка. Матрицы и системы линейных уравнений. Векторные пространства и линейные преобразования. Линейные дифференциальные уравнения 2-го порядка и преобразование Лапласа. Системы дифференциальных уравнений.Предварительное условие: MATH 132. (Настоятельно рекомендуется оценка C или выше по MATH 132).

ECE 202: Вычислительные инструменты для ECE

Введение в использование компьютерных приложений для решения инженерных задач. Изучение основ MATLAB и Excel для проектирования и / или визуализации систем. Упор делается на обучение использованию этих приложений надлежащим и эффективным образом, с хорошо структурированным кодом, который прокомментирован и включает проверки для поиска ошибок.Предварительные требования: МАТЕМАТИКА 132 и ФИЗИКА 151.

ECE 210: Электрические схемы и электроника I

Математические модели для элементов аналоговых схем, таких как резисторы, конденсаторы, операционные усилители и полевые МОП-транзисторы в качестве переключателей. Основные законы схем и сетевые теоремы, применяемые к постоянному току, переходным процессам и установившимся характеристикам цепей первого и второго порядка. Моделирование откликов схем с помощью дифференциальных уравнений Компьютерные и лабораторные проекты. ПРИМЕЧАНИЕ. Настоятельно рекомендуются оценки C или выше по МАТЕМАТИКАМ 132 и ФИЗИКЕ 152.

ECE 211: Анализ цепей I

Математические модели элементов аналоговых схем. Основные законы схем и сетевые теоремы, применяемые к постоянному току, переходным процессам и установившимся характеристикам цепей первого и второго порядка. Моделирование откликов схемы с использованием дифференциальных уравнений и преобразования Лапласа. Решение сетей RLC как во временной, так и в частотной областях. Компьютерные проекты и моделирование схем с использованием MATLAB, Excel и PSpice. Ограничено специальностями EE и CSE.Предварительные требования: МАТЕМАТИЧЕСКИЙ 132, ФИЗИЧЕСКИЙ 151. Сопутствующие реквизиты: МАТЕМАТИЧЕСКИЙ 331.

.

ECE 212: Анализ цепей II

С лаб. Продолжение ECE 211. Методы анализа цепей переменного тока, частотная характеристика, резонанс, графики Боде, векторное представление синусоидальных стационарных систем, комплексная частотная область, передаточные функции. МОП-транзисторы как усилители; операционные усилители. Трансформаторы, двухпортовые сети, ряды Фурье. Лаборатория включает эксперименты по моделированию схемотехники и PSPICE.Предпосылка: оценка C или выше в E & C-ENG 211.

ECE 213: Непрерывные сигналы и системы

Сигнал непрерывного времени и представления системы. Линейные инвариантные во времени системы, импульсные характеристики, свертка. Частотный анализ сигналов и систем непрерывного времени: ряды Фурье, преобразования Фурье, частотные характеристики, фильтрация. Преобразования Лапласа для системного анализа: переходные характеристики, передаточные функции, устойчивость.Выборка, алиасинг, реконструкция. Применение: модуляция, проектирование фильтров, системы обратной связи. Предварительные требования: E & C-ENG 201, 202 и 210.

ECE 214: Вероятность и статистика

Вероятность: эксперименты, модели и вероятности; условная вероятность и независимость; одиночные дискретные и одиночные непрерывные случайные величины; Гауссовские случайные величины; ожидание; пары случайных величин; случайные векторы; суммы случайных величин и Центральная предельная теорема.Статистика: оценка параметров и доверительные интервалы; проверка гипотез, оценка случайных величин. Предварительное условие: E & C-ENG 201, 202 и 210.

ECE 231: Введение во встраиваемые системы

Встроенные системы распознают, приводят в действие, вычисляют и обмениваются данными для выполнения задач в таких областях, как медицина, автомобилестроение и промышленное управление. В этом курсе студенты изучат основы использования встроенных микропроцессорных систем для решения проблем в этих областях.К концу курса студенты смогут выбрать подходящее оборудование в зависимости от требований приложения, выполнять и оптимизировать программы на простых микроконтроллерах и связывать эти контроллеры с другими подсистемами. Эти темы послужат основой для прикладных курсов высшего уровня, в том числе для младших и старших классов дизайнерских лабораторий. Предварительные требования: E & C-ENG 122 и 124.

ECE 232: Организация и дизайн оборудования I

Введение в компьютерную архитектуру и дизайн оборудования.Компьютерные абстракции и технологии, оценка производительности, архитектуры набора команд, компьютерная арифметика, конвейерная обработка, системы памяти, интерфейс. Языки описания оборудования, машинные языки и языки ассемблера.

ECE 241: Расширенное программирование I

Курс структур данных с использованием языка программирования Java. Основные математические, логические и программные концепции, относящиеся к описанию и управлению информационными структурами, такими как массивы, списки, деревья, графики и файлы; основные принципы разработки и анализа алгоритмов, применяемые к задачам сортировки и поиска.Предпосылка: E & C-ENG 122.

ECE 242: Структуры данных и алгоритмы

Курс структур данных с использованием языка программирования Java. Основные математические, логические и программные концепции, относящиеся к описанию и управлению информационными структурами, такими как массивы, списки, деревья, графики и файлы; основные принципы разработки и анализа алгоритмов, применяемые к задачам сортировки и поиска. Обязательное условие: оценка C или выше в E & C-ENG 122 или эквивалентном.

ECE 244: Современная физика и материалы для электротехники

Введение в физические основы электроники, включая электростатические и магнитостатические поля и основные свойства классических диэлектриков и магнитных материалов; поведение электронов, описанное квантовой теорией, классическими и квантовыми картинами протекания тока в электрических проводниках и полупроводниковых материалах (состав, структура, электронные и оптические свойства).Практические примеры будут взяты из электромагнетизма и современных материалов и приложений.

ECE 296B: Независимое исследование — помимо структур данных

Дополнительный курс для студентов, окончивших ECE 242 (Структуры и алгоритмы данных) или COMPSCI 187 (Программирование со структурами данных). Домашние задания и проекты в рамках быстрых преобразований Фурье и алгоритмов, необходимых для машинного обучения. Требуется Python.а. Применение знаний о комплексных числах к линейной алгебре и дифференциальным уравнениям с помощью MATLAB.

ECE 296ISH: Независимое исследование с отличием в E & C-ENG

Это отдельное независимое исследование, разработанное студентом и спонсором факультета, которое предполагает частое взаимодействие между преподавателем и студентом. До того, как будет дано согласие на проведение исследования, в предлагаемом контракте должно быть очевидно качественное и количественное обогащение.

ECE 297B: ST — «Queer Lights»

«Queer Lights» прольет свет на темы лесбиянок, геев, бисексуалов, транссексуалов, гомосексуалистов и асексуалов (LGBTQA), в то время как ученики в классе буквально освещают световые эффекты, связанные с электронными световыми дисплеями на тему LGBTQA. Профессор инженерного дела научит студентов создавать и программировать дисплеи, а директор Stonewall Center будет вести студентов в обсуждениях проблем ЛГБТК в новостях и в их собственной жизни.Некоторые из тем, которые будут затронуты, включают пересечение расовой идентичности и идентичности ЛГБТК, климат в кампусе для студентов ЛГБТК, а также юридические и политические права ЛГБТК сегодня.

ECE 297DP: ST — Дизайн-проект

Этот курс является частью инициативы DP123 департамента ECE: «Проекты дизайна для студентов 1, 2 и 3 курса ECE». Это позволяет студентам дошкольного образования разрабатывать и создавать системы аппаратного и программного обеспечения перед старшим дизайнерским проектом (SDP).Большинство проектов являются командными. Проекты проходят от концепции до окончательного дизайна инструкторами курса, а также старшими руководителями ECE, выступающими в качестве наставников проекта (зарегистрированные в E & C-ENG 497DP). Проекты DP123 создаются в M5, академическом пространстве для студентов ECE.

ECE 297S: ST — Запуск для инженеров

Этот курс знакомит студентов с предпринимательством, жизнью в стартапах и тем, как превратить их идеи в компании.Темы включают: Понимание черт предпринимателя, Инструменты бережливой стартовой площадки, Питчинг, Поиск клиентов, Финансирование и Культура стартапов. Студенты спланируют и предложат классу идею. Приглашенные спикеры также расскажут свои «истории стартапов».

ECE 303: Детский семинар ECE

Обзор области электротехники и компьютерной инженерии, включая введение в различные субдисциплины и соответствующие курсы дошкольного образования высшего уровня.Предпосылка: оценка C или выше в E & C-ENG 212, 222 или 232.

ECE 304: Детский дизайн-проект ECE

В рамках этого курса студенты будут: 1) работать в небольших проектных группах для решения четко определенной проблемы ECE, а затем, 2) заниматься более практической открытой инженерной задачей. Четко определенный дизайн-проект ECE будет выбран из списка доступных проектов, которые охватывают основные дисциплины кафедры электротехники и компьютерной инженерии.Что касается открытой задачи проектирования, студенты пройдут этапы инженерного проектирования, включая: 1) разработку постановки задачи; 2) анализ системных требований и разработка спецификаций; 3) рассмотрение альтернативного дизайна и 4) реализация решения. Курс закрепляет принципы процесса инженерного проектирования и служит для интеграции знаний, полученных в учебной программе дошкольного образования. Ожидается, что каждая студенческая проектная группа представит информацию, относящуюся к их проекту, как в письменной, так и в устной форме.За предварительным бумажным дизайном следует реализация в лаборатории с использованием цифровых и аналоговых методов проектирования аппаратного обеспечения и программной инженерии. Ожидается, что в конце курса будет продемонстрирована полная или частично работающая система.

ECE 310: Электрические схемы и электроника II

Анализ отклика схемы на синусоидальное возбуждение; векторный анализ, импеданс, проводимость, мощность, частотная характеристика, передаточные функции, графики Боде, фильтры.Линейный анализ нелинейных схем; Смещение постоянного тока трех оконечных устройств, анализ слабого сигнала, усилители на одном устройстве, усиление малого сигнала и частотная характеристика.

ECE 311: Промежуточная электроника

Многокаскадные усилители. Эффекты устойчивости. Осцилляторы. Анализ шума в схемах. Усилители мощности. Более сложные темы, если позволяет время: аналоговые схемы с дискретным временем, компараторы, цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи, управление и регулирование мощности.

ECE 313: Сигналы и системы

Этот курс посвящен изучению сигналов и линейных систем. Он представляет собой базовую теорию, лежащую в основе дальнейшего изучения теории и систем связи, теории и систем управления, обработки сигналов, микроволновых и радиолокационных систем, сетей и почти всех дисциплин электротехники. Предварительные условия: E & C-ENG 212 w / C или лучше и MATH 235 или MATH 331.

ECE 315: Методы обработки сигналов

Сигнал в дискретном времени и представления системы.Линейные инвариантные во времени системы, импульсные характеристики, свертка. Частотный анализ сигналов и систем с дискретным временем: ряды Фурье, преобразования Фурье, частотные характеристики, фильтрация. Дискретная обработка сигналов непрерывного времени. Z Преобразования для системного анализа: передаточные функции, устойчивость. Дизайн КИХ и БИХ фильтров. Введение в случайные процессы и статистические модели шума. Применения в системах цифровой связи и обработки сигналов. Предпосылки: сигналы и системы непрерывного времени; Вероятность и статистика.

ECE 322: Системное программное обеспечение и сети I

Этот курс обеспечивает теоретические и практические основы для проектирования производства современных и будущих систем с интенсивным программным обеспечением, а также обеспечивает основу для анализа и совместного проектирования сложных аппаратных и программных систем. Курс позволяет использовать передовые концепции и навыки решения инженерных задач с помощью самых современных инструментов. Основными задачами курса являются глубокое введение в i) «системное» программирование программного обеспечения в среде Unix и ii) базовый набор инструментов для инженерного программного обеспечения.Темы системного программирования включают управление процессами, статическое и динамическое связывание, исключительный поток управления, ввод-вывод системного уровня, сетевое программирование, межпроцессное взаимодействие и параллельное программирование.

ECE 323: Электроника I

С обсуждениями и лабораторной работой. Использование нелинейных устройств, таких как диоды, полевые транзисторы (FET) и биполярные переходные транзисторы (BJT), при разработке простых аналоговых и цифровых схем.В дизайн-проектах используется PSPICE. Предпосылка: оценка C или выше в E & C-ENG 212.

ECE 324: Электроника II

Продолжение E & C-ENG 323. Разработка более совершенных электронных схем. Проектирование и анализ усилителей на интегральных схемах. Проектирование и анализ усилителей обратной связи. Включает крупный дизайн-проект. Предварительное условие: E & C-ENG 323.

ECE 325: Системное программное обеспечение и сети II

Этот курс представляет собой введение в фундаментальные концепции компьютерных сетей, включая их проектирование и реализацию.Обсуждаемые темы включают веб-приложения и мультимедийные приложения, транспортные протоколы (обеспечивающие надежность и контроль перегрузки), маршрутизацию и доступ к каналам. Особое внимание также уделяется беспроводным сетям, доставке мультимедийного контента и безопасности. Домашние задания включают распределенные системы и письменные задания. В лабораторные задания входит программирование сокетов и изучение данных интернет-трафика, полученных с помощью Wireshark.


ECE 331: Организация и дизайн оборудования I

Введение в компьютерную архитектуру и дизайн оборудования.Темы включают: компьютерные абстракции и технологии, оценка производительности, архитектуры набора команд, компьютерная арифметика, конвейерная обработка, системы памяти и интерфейсы. Лабораторные задания будут включать использование языков описания оборудования, машинных языков и языков ассемблера, а также эмуляцию оборудования с использованием плат FPGA. В рамках курса используются современные инструменты компьютерного моделирования.

ECE 332: Лаборатория встраиваемых систем

В настоящее время описание курса недоступно.

ECE 333: Поля и волны I

Природа электромагнитных полей и волн. Линии электропередачи смоделированы как распределенные цепи. Распространение волн и отражения волн на линиях передачи. Обзор векторного анализа, систем координат, градиента, дивергенции, ротации; обзор поверхностных и объемных интегралов. Электростатические и магнитостатические поля и граничные условия. Поля в проводниках, диэлектриках и магнитных материалах.Изменяющиеся во времени поля и электромагнитная индукция. Уравнения Максвелла для нестационарных полей. Предварительные требования: E&C-ENG 212 с оценкой «C» или выше, И проходной балл по PHYSICS 152 (или 182), PHYSICS 154 (или 184) и MATH 233 (или MATH 233H или ECE 290S).

ECE 334: Поля и волны II

Природа электромагнитных полей и волн. Линии электропередачи смоделированы как распределенные цепи. Распространение волн и отражения волн на линиях передачи.Обзор векторного анализа, систем координат, градиента, дивергенции, ротации; обзор поверхностных и объемных интегралов. Электростатические и магнитостатические поля и граничные условия. Поля в проводниках, диэлектриках и магнитных материалах. Изменяющиеся во времени поля и электромагнитная индукция. Уравнения Максвелла для нестационарных полей. Предварительные требования: E&C-ENG 212 с оценкой «C» или выше, И проходной балл по PHYSICS 152 (или 182), PHYSICS 154 (или 184) и MATH 233 (или MATH 233H или ECE 290S).

ECE 341: Алгоритмы для компьютерной инженерии

В настоящее время описание курса недоступно.

ECE 344: Полупроводниковые приборы и материалы

Введение в квантовую теорию твердого тела и процессы проводимости в полупроводниках. Теория диодов с p-n-переходом, биполярных транзисторов (BJT) и полевых транзисторов (FET). Интегральные схемы (ИС).Предпосылка: E & C-ENG 212.

ECE 353: Лаборатория компьютерных систем I

Лаборатория. Проектирование и анализ цифровых компьютерных (под) систем, включая последовательные контроллеры, асинхронные системные интерфейсы, арбитраж шины, статические и динамические конструкции памяти и микропрограммные микропроцессоры. Использование языков описания оборудования и программируемой логики. Макетирование и использование диагностического оборудования. Предварительное условие: E & C-ENG 242 и 232, оба с оценкой «C» или выше.

ECE 354: Лаборатория компьютерных систем II

Лаборатория. Передовая инженерия компьютерных систем. Микропроцессоры, микроконтроллеры CISC и RISC и их роль во встроенных системах. Интеграция аппаратного и программного обеспечения, языка ассемблера, систем памяти, программируемой логики и систем ввода-вывода. Методики проектирования. Производственные вопросы. Продвинутые диагностические методы. Управление проектом. Предварительное условие: E & C-ENG 353.

ECE 361: Основы электротехники

Введение в современную электротехнику для специалистов, не относящихся к ЕЭК.Основные элементы и законы электрических схем. Схемы первого и второго порядка. Анализ цепей переменного тока. Системные концепции. Диоды, биполярные переходные транзисторы и полевые транзисторы. Цифровые логические и транзисторные усилители. Электромагнетизм, трансформаторы, преобразователи, генераторы и двигатели. Пререквизиты: МАТЕМАТИКА 132, ФИЗИКА 152.

ECE 371: Введение в инженерное обеспечение безопасности

Этот новый курс представляет собой введение в тему инженерии безопасности, основанную на аналитических и экспериментальных методах компьютерной инженерии, а затем применяя их к проблемам безопасности.Безопасность играет все возрастающую роль в компьютерной инженерии и в обществе в целом. Инженерия безопасности пересекает несколько дисциплин компьютерной инженерии, включая аппаратное обеспечение, программное обеспечение, криптографию, экспериментальные методы, а также более широкие темы, такие как управление, экономика, анализ рисков, политика и человеческий фактор. Курс младшего уровня по проектированию безопасности обеспечивает раннее знакомство с этими темами, демонстрируя ценность и методы междисциплинарного обучения. Он также предлагает увлекательную и мотивирующую тему для студентов любого уровня подготовки с очень интересной карьерой.

ECE 373: Интенсивная разработка программного обеспечения

Теоретические и практические основы проектирования производства современных и будущих программно-емких систем. Передовые концепции решения инженерных задач и навыки, реализованные с помощью современных инструментов моделирования и тестирования. Обеспечивает основу для анализа и совместного проектирования сложных аппаратных и программных систем. Требования: ECE 242 с оценкой «C» или выше.

ECE 374: Компьютерные сети и Интернет

Этот курс исследует принципы компьютерных сетей и то, как теоретические принципы реализуются на практике. Введение в концепции, принципы и практику компьютерных сетей связи и Интернета с примерами из существующих архитектур, протоколов и стандартов. Особое внимание уделяется связи на физическом уровне, протоколам канального уровня, протоколам маршрутизации, протоколам транспортного уровня, программированию прикладного уровня, управлению сетью, сетевой безопасности и беспроводным сетям.Предварительные требования: E & C-ENG 122 (или CMPSCI 121) и E & C-ENG 242 (или CMPSCI 187)

ECE 396ISH: Независимое исследование с отличием в E & C-ENG

Это отдельное независимое исследование, разработанное студентом и спонсором факультета, которое предполагает частое взаимодействие между преподавателем и студентом. До того, как будет дано согласие на проведение исследования, в предлагаемом контракте должно быть очевидно качественное и количественное обогащение.

ECE 415: Старший дизайн-проект I

Курс требует от студентов работы в небольших проектных группах для решения серьезной инженерной задачи.Студенты разрабатывают, проектируют и реализуют решение инженерной проблемы вместе с консультантом факультета. Курс закрепляет принципы процесса инженерного проектирования и служит краеугольным камнем для знаний в области электротехники и компьютерной инженерии, полученных в рамках учебной программы ECE. Рассмотрение этических и социальных последствий технологий и основных концепций бизнеса также являются аспектами курса. Ожидается, что каждая студенческая проектная группа представит информацию, относящуюся к их проекту, как в письменной, так и в устной форме.За предварительным бумажным дизайном следует внедрение в лаборатории с использованием цифровых и аналоговых методов проектирования оборудования и разработки программного обеспечения. Ожидается, что в конце курса будет продемонстрирована полная или частично работающая система. Удовлетворяет требованиям интегративного опыта для специальностей BS-CSE и BS-EE. Предпосылка: E & C-ENG 324 или 354.

ECE 416: Старший проектный проект II

Продолжение E&C-ENG 415.Создан, усовершенствован, протестирован и продемонстрирован дизайн небольшой электронной системы. Показано, что окончательный прототип соответствует первоначальным спецификациям. Окончательная проверка дизайна. Предпосылка: E & C-ENG 415.

ECE 497DP: Наставничество в области дизайна

Этот курс является частью инициативы DP123: Дизайн-проект для студентов 1, 2 и 3 курсов ECE. Это позволяет студентам разрабатывать и создавать аппаратные и программные системы перед старшим дизайнерским проектом (SDP).Большинство проектов являются командными. Проекты проходят от концепции до окончательного дизайна инструкторами курса, а также старшими руководителями ECE, выступающими в качестве наставников проекта (зарегистрированные в E & C-ENG 497DP). Проекты DP123 создаются в M5, академическом пространстве для студентов ECE.

ECE 510: Основы компьютерной инженерии

Курс будет обучать студентов основным экспериментальным методикам в области электротехники и вычислительной техники, необходимым для аспирантов.Курс будет включать в себя практические эксперименты и лекции, которые обучают студентов в этих областях. Студент, заканчивающий курс, будет подготовлен к прохождению курсов повышения квалификации по электротехнике и компьютерной инженерии.

ECE 544: Надежные вычисления

Интернет-век универсального электронного соединения жизненно важен для каждого аспекта нашей жизни и нашей экономики. Это позволяет вести бизнес, транспорт, электронный банкинг, медицинские записи, а также развлекаться.Для поддержания целостности Интернета жизненно важно защищать эту инфраструктуру от вредоносных вирусов, червей, подслушивания, электронного мошенничества, атак типа «отказ в обслуживании» и т. Д. В этом курсе мы знакомим с основами сетевой безопасности, а также предлагаем практический обзор приложений и стандартов сетевой безопасности, реализованных в Интернете и для корпоративных сетей.

ECE 547: Инженерия безопасности

Этот курс представляет собой введение в новую область проектирования безопасности и предоставляет примеры, взятые из недавних исследований в UMASS и других местах.Разработка безопасности — это многопрофильная область, объединяющая технические аспекты прикладной криптографии, компьютерной инженерии и сетей, а также вопросы психологии, социологии, политики и экономики. Специалисты в этих дисциплинах прочитают несколько гостевых лекций.

ECE 556: Введение в криптографию

Курс теории и практики криптографии. Основное внимание уделяется тому, как работают криптоалгоритмы и протоколы и как их можно применять в реальном мире.Пререквизиты: Рекомендуется: курсы дискретной математики и математики конечных полей.

ECE 558: Введение в проект

СБИС

С лаб. Введение в проектирование СБИС и методологию индивидуального проектирования в MOS. Темы включают: МОП-устройства и схемы, изготовление, конструкции, подсистемы и проектирование систем, компоновка, методы САПР и тестирование.

ECE 559: Проект СБИС

Лаборатория.Проектирование очень крупных интегральных схем. Опыт проектирования СБИС в рамках командных проектов, в которых особое внимание уделяется вопросам, связанным с проектированием всего нестандартного чипа. Инструменты САПР, используемые в процессе проектирования, приводят к спецификации схем, подходящих для изготовления. Этот курс открыт только для старшеклассников и аспирантов в области инженерии компьютерных систем или электротехники. Предпосылка: E & C-ENG 558.

ECE 563: Введение в коммуникацию и обработку сигналов

Сигналы и системы с непрерывным (CT) и дискретным (DT) временем.ДТ обработка сигналов ТТ. DT и CT случайные процессы и модели шума. Аналоговые системы связи и их характеристики в условиях шума. Методы проектирования цифровых фильтров. Предварительные требования: E & C-ENG 313, 314.

ECE 564: Системы связи

Кодирование формы волны, кодирование источника и сжатие данных. Системы импульсной модуляции: сигнальные пространства, оптимальные приемники, вероятность ошибки. Передача данных в основной и полосовой частотах. Введение в кодирование каналов.Предварительное условие: E & C-ENG 563.

ECE 565: Цифровая обработка сигналов

С лаб. Конструкция цифрового фильтра IIR и FIR. Приложения ДПФ и БПФ. Анализ области преобразования линейных систем с дискретным временем (DT), не зависящих от времени: минимальная фаза, многопроходная, линейная фазовая система. Внедрение систем DT. Эффекты конечной длины слова. Многоскоростная цифровая обработка сигналов. Оценка спектра мощности. Лаборатория включает проекты с использованием цифровых сигнальных процессоров.Предварительное условие: E & C-ENG 563.

ECE 568: Компьютерная архитектура

Количественное исследование конвейерных архитектур процессоров, иерархии памяти, кэш-памяти, ввода / вывода, процессоров RISC и векторных машин. Предпосылка: E & C-ENG 232.

ECE 570: Проектирование системного программного обеспечения

Этот курс представляет собой введение в программные системы с упором на проектирование и реализацию операционных систем.Ключевым аспектом является компьютерная архитектура и взаимодействие системного программного обеспечения. Темы включают: управление процессами, многопоточность, синхронизацию, взаимоблокировки, планирование, безопасность, системы ввода-вывода и распределенные системы. Этот курс открыт только для старшеклассников и аспирантов в области инженерии компьютерных систем или электротехники. Предварительные требования: E & C-ENG 232 и 242.

ECE 571: Производство микроэлектроники

С лаб. Лаборатория учебной обработки полупроводников (SIPL) и лекции.Принципы и практика обработки современных микроэлектронных кремниевых устройств. Теория и практика основных технологий обработки, включая фотолитографию, окисление, диффузию, осаждение тонких пленок, ионную имплантацию, упаковку, выход продукции и интеграцию процессов. Современное лабораторное изготовление рабочих микроэлектронных устройств и методы моделирования процессов. Предпосылка: E & C-ENG 344.

ECE 572: Оптоэлектроника

Теория и применение современных оптоэлектронных компонентов, таких как волноводы и оптические волокна, фотодетекторы, светоизлучающие диоды и полупроводниковые лазеры.Акцент на физику и рабочие характеристики оптоэлектронных полупроводниковых приборов. Предпосылка: E & C-ENG 344.

ECE 575: Введение в разработку аналоговых интегральных схем

Этот курс охватывает основы проектирования аналоговых интегральных схем. Темы включают стандартные блоки для построения схем, такие как токовые зеркала, источники опорного напряжения, топологии одноступенчатых усилителей, дифференциальные пары. Модели устройств, выбор смещения, температурные эффекты, эффект тела и несоответствие.Конструкция операционного усилителя и OTA, а также частотная характеристика, стабильность и компенсация. Анализ шума применяется к различным конфигурациям схем. Если будет время, мы обсудим более сложные темы.

ECE 580: Системы управления с обратной связью

С лаб. Методы анализа и синтеза во временной и частотной областях для линейных систем управления с непрерывной обратной связью. Темы включают преимущества и затраты на обратную связь, моделирование динамических систем, установившиеся и переходные характеристики, стабильность, ПИД-регулирование, корневой локус, частотную характеристику, критерий стабильности Найквиста и введение в формирование контура.Предварительное условие: E & C-Eng 313.

ECE 584: Микроволновая техника I

С лаб. Электромагнитная теория применима к распространению микроволн в волноводах, коаксиальных линиях, микрополосковых линиях и полосковых линиях. Теория микроволновых цепей применяется к согласующим сетям и пассивным микроволновым устройствам. S-параметры, параметры ABCD, ответвители и схемы замещения.

ECE 585: Микроволновая техника II

Анализ и проектирование пассивных микроволновых устройств, включая резонаторы, фильтры и ферритовые устройства, в различных средах передачи.Шум и шумовые эффекты в детекторах, смесителях и модуляторах. Введение в конструкцию усилителя на полевых транзисторах. Предпосылка: E & C-ENG 584.

ECE 591CF: Серия лекций по кибербезопасности

Этот курс представляет собой семинар с одним кредитом по исследованиям в области безопасности между отделами UMass. Каждая презентация будет охватывать активную исследовательскую тему в UMass, предполагая только базовый опыт в области безопасности. Также могут быть приглашены внешние докладчики.Обратите внимание, что этот курс не предназначен для введения в кибербезопасность и не будет преподавать основы безопасности таким образом, чтобы это было полезно в качестве основы для будущих курсов по безопасности. Целевая аудитория — студенты магистратуры и бакалавриата, а также преподаватели. Соответствует CS / MATH 591CF. Можно повторно брать в кредит до 2-х раз. Этот курс не засчитывается для каких-либо требований для EE или CSE major или minor.

ECE 597AA: Проектирование беспроводной сети на основе искусственного интеллекта

Этот курс будет посвящен продвинутым аналитическим инструментам для моделирования и анализа современных сетей, включая: оптимизацию сетей, теорию массового обслуживания, теорию игр, теорию среднего поля и теорию согласования.Примеры проблем распределения ресурсов в сверхнадежных сетях с малой задержкой, виртуальных сетях, пограничных сетях с множественным доступом, сетях 5G / 6G будут обсуждаться с использованием этих инструментов.

ECE 597AP: ST — Введение в антенны и распространение

Введение в антенны и распространение радиоволн для микроволновых приложений. Темы, посвященные антеннам, включают основные параметры антенн, антенны в системах связи и радиолокации, проволочные антенны.Темы распространения включают прямую передачу между передатчиком и приемником, отражение и преломление, а также свойства распространения в ионосфере.

ECE 597BE: ST — Биоэлектроника

В настоящее время описание курса недоступно.

ECE 597D: Энергетические системы

В этом курсе изучаются принципы анализа энергосистем. Он начнется с обзора анализа цепей переменного тока.Затем курс будет охватывать темы расчета параметров линии электропередачи, анализа симметричных компонентов, моделирования трансформатора и нагрузки, анализа симметричных и несимметричных неисправностей, перетока мощности и устойчивости энергосистем.

Пререквизиты: знание схемотехнического анализа, основ исчисления и дифференциальных уравнений, анализа элементарных матриц и основ компьютерного программирования.

ECE 597DM: Материалы и устройства пост-CMOS

Этот курс будет охватывать основы некоторых функциональных материалов и новых электронных устройств для информационных технологий Post-CMOS.Электронные устройства включают логику, память, накопитель, датчик, дисплей и так далее. Также будут рассмотрены и обсуждены недавние успехи, текущие проблемы и будущие направления. Курс является самостоятельным, однако будет полезно получить базовые знания в области материаловедения и полупроводниковых устройств.

ECE 597ED: ST — Инфраструктура и поставка электроэнергии в развивающихся странах

Этот курс рассматривает текущее состояние электроэнергетической инфраструктуры в развивающихся странах, а также проблемы и технологические тенденции, которые определяют эволюцию этих систем.Эти концепции включают компоненты инфраструктуры, инициативы по доступу к электричеству, измерение надежности и качества электроэнергии, а также взаимосвязь между электричеством и международным развитием. Студенты получат представление о современных инженерных задачах по улучшению объема и качества услуг электроснабжения в развивающихся контекстах. Курс предназначен для аспирантов и старшекурсников.

ECE 597IP: ST — Обработка изображений

Визуальная информация играет важную роль во многих аспектах нашей жизни.Большая часть этой информации представлена ​​цифровыми изображениями. Обработка изображений повсеместна, включая такие приложения, как телевидение, томография, фотография, печать, восприятие роботов и дистанционное зондирование. Этот курс представляет собой вводный курс по основам цифровой обработки изображений. Он подчеркивает общие принципы обработки изображений, а не конкретные приложения. Мы планируем охватить следующие темы: получение и отображение 2D и 3D изображений, цветовые представления, выборка изображений, точечные операции, линейная фильтрация и корреляция изображений, преобразования изображений, улучшение изображения, восстановление изображений и шумоподавление, а также анализ изображений.

ECE 597LP: Design Princ / Low Power Embed. Ко.

Этот курс представляет собой обзор основных принципов проектирования, используемых при целостном проектировании маломощных встраиваемых вычислительных систем. Темы курса будут включать в себя сбор беспроводной и окружающей энергии, альтернативные технологии хранения энергии, проектирование радио с низким энергопотреблением, эффективную обработку данных датчиков и маломощные ускорители искусственного интеллекта. Курс будет включать обзор статей из недавних конференций и журналов высшего уровня.У студентов будет возможность разработать встраиваемую систему с низким энергопотреблением для IoT, мобильного здравоохранения или другого приложения HCI и эмпирически оценить ее производительность.

ECE 597MB: Моделирование и проверка встроенных систем

Этот курс знакомит с теоретическими основами встраиваемых систем с упором на приложения в области медицинских устройств и других систем с низким энергопотреблением. Обсуждаемые темы будут включать моделирование, планирование, анализ и проверку систем с дискретной, непрерывной и гибридной динамикой.Курс предназначен для аспирантов и старшекурсников. Предварительные требования: программирование микроконтроллеров (ECE 353/354 или эквиваленты), знакомство с конечными автоматами (ENGIN 112 или эквивалент), вводная компьютерная архитектура (ECE 232 или эквивалент).

ECE 597NE: ST — Наноэлектроника

Этот класс охватывает основы дисциплины наноэлектроники, начиная от нанофизики до наноструктур и наноустройств.Сначала он дает обзор фундаментальных физических принципов, необходимых для понимания электронных свойств материи на наномасштабе. Основываясь на базовом описании квантовых точек, проводов и ям, мы рассмотрим основные различия электрических свойств между атомами, молекулами и наноструктурами, включая углеродные нанотрубки и наноленты. Также дается введение в электронно-транспортные свойства в наноструктурах.

Кроме того, этот класс включает серию семинаров, чтобы предоставить студентам дополнительный охват теоретических, вычислительных и экспериментальных аспектов нанотехнологии; Семинар включает в себя доклады по нанотехнологиям, расчетам электронной структуры, информации в наномасштабе, наноэнергетике и приложениям, терагерцовому зондированию и нано-вычислениям.

ECE 597PD: Параллельное и распределенное программирование

Ключевые концепции параллельного программирования: процессы, потоки, синхронизация (семафоры, взаимное исключение, транзакционная память), профилирование, оценка производительности, параллельные шаблоны (fork-join, wavefront, stream), аспекты балансировки нагрузки и планирование. API и инструменты для параллельного программирования с общей памятью и передачей сообщений: Pthreads, OpenMP и MPI. Текущие тенденции, касающиеся много- и многоядерных процессоров, графических процессоров, FPGA, потоков данных, туманных / граничных / локальных вычислений и облачных вычислений.

ECE 597RE: ST — Обратный инжиниринг

Открыт для старшеклассников и аспирантов со специализацией EE, CS-ENG или ECE.

ECE 597SI: ST — Интеграционные системы Engin

Этот курс открыт только для старшеклассников и аспирантов в области инженерии компьютерных систем или электротехники. Описание курса в настоящее время недоступно.

ECE 597SG: ST-Smart Grids

В курсе рассматриваются разработки в области эволюционирующих разработок в сетях для интеллектуальных сетей, в том числе: определение интеллектуальных сетей, компоненты, коммуникационные протоколы и инфраструктура, распределенная автоматизация, интеллектуальные счетчики, интеллектуальные устройства, распределенные энергетические ресурсы и проблемы интеграции, микросети, накопление энергии, электрический транспорт, Аналитика данных для сетевых операций, Реструктуризация электроснабжения.

ECE 597SV: ST — синтез / проверка DigiSystems

Современные методы синтеза и проверки цифровых систем. Темы синтеза охватывают синтез высокого уровня, диаграммы решений, комбинационную и последовательную логическую оптимизацию. Темы проверки включают символические методы, проверку эквивалентности, выполнимость, обход автоматов и анализ возможности повторения состояний. Открыт только для аспирантов и студентов старших курсов.Требования: бакалавриат по проектированию цифровой логики и организации оборудования.

ECE 597TN: Фотоника

Введение в фундаментальные принципы фотоники. Обсуждаемые темы включают: лучевую оптику, физическую оптику, гауссовы пучки, оптику Фурье, оптические волноводы, резонаторы, интегрированный оптический компонент, оптические усилители и лазеры.

ECE 597XX: ST — Введение в криптографию

Курс теории и практики криптографии.Основное внимание уделяется тому, как работают криптоалгоритмы и протоколы и как их можно применять в реальном мире. Пререквизиты: Рекомендуется: курсы дискретной математики и математики конечных полей.

ECE 603: Вероятность и случайные процессы

Элементарная теория вероятностей, включая случайные величины, p.d.f., c.d.f., производящие функции, закон больших чисел. Теория элементарных случайных процессов, включая ковариацию и спектральную плотность мощности.Марковские процессы и приложения. Предварительное условие: E & C-Eng 364 или аналогичный.

ECE 604: Теория линейных систем

Матричный анализ, переменные состояния, методы пространства состояний для систем с непрерывным временем, описания матричных дробей. Управляемость, наблюдаемость, теория реализаций. Обратная связь и наблюдатели. Анализ устойчивости.

ECE 606: Теория электромагнитного поля

Электромагнитные поля в диэлектрических средах и средах с потерями, линиях передачи, антеннах и резонаторах рассматриваются с использованием концепций двойственности, теории изображения, взаимности, интегральных уравнений и других методов.Решены краевые и начальные задачи для нескольких часто встречающихся симметрий.

ECE 607: Основы твердотельной электроники I

Основные принципы квантовой механики; основа для продвинутых курсов по полупроводниковой электронике, микроволновому магнетизму, квантовой электронике и т. д. Решения уравнения Шредингера, подходящие для инженеров-электриков. Предпосылка: ECE 344 или эквивалент.

ECE 608: Теория сигналов

Единая трактовка методов представления сигналов и операций обработки сигналов.Акцент на физической интерпретации векторных пространств, линейных операторов, теории преобразований и цифровой обработки сигналов с помощью банков вейвлет-фильтров. Обязательное условие: положение выпускника.

ECE 609: Полупроводниковые приборы

Углубленное изучение полупроводниковых приборов. Физика полупроводников, диодов с p-n-переходом, биполярных транзисторов, барьеров Шоттки, JFET, MFSFET, MIS-диодов, CCD и MOSFET. Пререквизиты: E&C-Eng 344 или вводный курс теории полупроводников.

ECE 614: Численное моделирование полупроводниковых устройств

Уравнения полупроводников, граничные условия и модели физических параметров. Численные методы: масштабирование, дискретизация, метод Ньютона и обращение матриц. Метод моделирования частиц Монте-Карло. Зависящие от времени и неизотермические задачи. Фактические примеры моделирования устройства. Предварительные требования: E & C-Eng 344 и Math 235 (обязательно), E & C-Eng 609 (рекомендуется).

ECE 622: Встроенные системы: проектирование, моделирование и проверка

Встроенные системы распознают, приводят в действие, вычисляют и обмениваются данными для выполнения задач в таких областях, как медицина, автомобилестроение и промышленное управление. Неформальные методы взлома встроенных систем расходятся с критичностью их приложений. Этот курс познакомит вас с последними достижениями в области более строгого моделирования и проверки встроенных и киберфизических систем.К концу курса студенты должны понимать возможности и ограничения различных представлений встроенных систем и должны уметь моделировать (а иногда и проверять) системы с использованием соответствующих абстракций.

ECE 634: Оптимальное управление динамическими системами

Оптимизация повсеместно применяется в инженерии и информатике. Недавнее приложение — поражение чемпиона мира по Го алгоритмами искусственного интеллекта, выполненными в системе AlphaGo от Google.Другие примеры приложений включают обучение сети с глубоким обучением, кластеризацию больших наборов данных и многие проблемы инженерного проектирования. Процедуру оптимизации, используемую в этих приложениях, можно резюмировать в теме оптимального управления динамическими системами, где значения целевой функции от текущего состояния до конца играют критическую роль, и требуется тип вычислений с обратным распространением.

ECE 636: Реконфигурируемые вычисления

Введение в использование программируемых вентильных матриц (FPGA) и других реконфигурируемых вычислительных подложек.Алгоритмы автоматизированного проектирования, используемые в программном обеспечении FPGA. Инновационные приложения, использующие реконфигурируемые вычисления. Основы архитектуры ПЛИС и варианты дизайна. Введение в безопасность ПЛИС, снижение энергопотребления и сети на кристалле.

ECE 644: Надежные вычисления

Интернет-век универсального электронного соединения жизненно важен для каждого аспекта нашей жизни и нашей экономики. Это позволяет вести бизнес, транспорт, электронный банкинг, медицинские записи, а также развлекаться.Для поддержания целостности Интернета жизненно важно защищать эту инфраструктуру от вредоносных вирусов, червей, подслушивания, электронного мошенничества, атак типа «отказ в обслуживании» и т. Д. В этом курсе мы знакомим с основами сетевой безопасности, а также предлагаем практический обзор приложений и стандартов сетевой безопасности, реализованных в Интернете и для корпоративных сетей.

ECE 645: Цифровая связь

Введение в цифровые коммуникации для выпускников.Форматы сигнализации, оптимальные приемники и расчеты вероятности ошибки. Введение в кодирование с контролем ошибок, исходное кодирование и теорию информации. Обязательное условие: вероятность бакалавриата. Открыто только для аспирантов.

ECE 647: ST — Техника безопасности

Этот курс для выпускников представляет собой введение в новую область инженерии безопасности и содержит примеры, взятые из недавних исследований в UMASS и других местах.Разработка безопасности — это многопрофильная область, объединяющая технические аспекты прикладной криптографии, компьютерной инженерии и сетей, а также вопросы психологии, социологии, политики и экономики. Специалисты в этих дисциплинах прочитают несколько гостевых лекций.

ECE 656: Введение в криптографию

Курс теории и практики криптографии. Основное внимание уделяется тому, как работают криптоалгоритмы и протоколы и как их можно применять в реальном мире.Пререквизиты: Рекомендуется: курсы дискретной математики и математики конечных полей.

ECE 658: Принципы проектирования СБИС

С лаб. Введение в проектирование СБИС и методологию индивидуального проектирования в MOS. Темы включают: МОП-устройства и схемы, изготовление, конструкции, подсистемы и проектирование систем, компоновка, методы САПР и тестирование.

ECE 659: Расширенный проект СБИС

Выпускаемая версия ECE 559.Группам студентов рекомендуется работать над проектами микросхем СБИС, связанных с исследованиями СБИС на факультетах электротехники и вычислительной техники или информатики. Включает знание некоторых дополнительных аспектов компьютерной архитектуры, схемотехники, компьютерной арифметики или конкретной области приложения, такой как цифровая обработка сигналов, управление, криптография или компьютерная графика. Также подчеркивалось использование чипа в общей системе. Предпосылка: E & C-ENG 558.

ECE 665: Алгоритмы

Введение в проектирование и анализ алгоритмов.Темы включают основные алгоритмические парадигмы (например, разделяй и властвуй, динамическое программирование, жадный подход и рандомизация), их применение к основным проблемам теории графов и оптимизации, а также анализ временной и пространственной сложности.

ECE 667: Синтез и проверка цифровых систем

Современные методы синтеза и проверки цифровых систем. Темы синтеза охватывают синтез высокого уровня, диаграммы решений, комбинационную и последовательную логическую оптимизацию.Темы проверки включают символические методы, проверку эквивалентности, выполнимость, обход автоматов и анализ возможности повторения состояний. Открыт только для аспирантов и студентов старших курсов. Требования: бакалавриат по проектированию цифровой логики и организации оборудования.

ECE 668: Компьютерная архитектура I

Выпускаемая версия E & C-Eng 568. Количественное исследование конвейерных архитектур процессоров, памяти, ввода / вывода, процессоров RISC и векторных машин.Обязательное условие: бакалавриат по цифровому дизайну и организации оборудования.

ECE 670: Расширенный дизайн системного программного обеспечения

Выпускаемая версия E & C-Eng 570, которая включает дополнительные материалы из исследовательских работ по концепциям встроенных операционных систем.

ECE 671: Компьютерные сети

Основные понятия и системные аспекты компьютерных сетей.Темы включают обзор многоуровневой архитектуры Интернета и охватывают дизайн маршрутизатора, алгоритмы поиска и классификации, алгоритмы планирования, контроль перегрузки, беспроводные протоколы и безопасность сети. Цель курса — изучить ключевые технические и исследовательские вопросы в компьютерных сетях, а также передать необходимые аналитические, имитационные и измерительные методы. Только для аспирантов.

ECE 675: Разработка аналоговых интегральных схем

Темы включают стандартные блоки для построения схем, такие как токовые зеркала, источники опорного напряжения, топологии одноступенчатых усилителей, дифференциальные пары.Модели устройств, выбор смещения, температурные эффекты, эффект тела и несоответствие. Конструкция операционного усилителя и OTA, а также частотная характеристика, анализ шума, стабильность и компенсация. Курс будет включать в себя чтение по проектированию фильтров, синфазной обратной связи и искажению. Требуется дизайн-проект, который может быть связан с исследованиями студента или, возможно, с другим продвинутым курсом E & C-ENG, таким как радиочастотные системы, биология или коммуникации

ECE 678: Аналитика данных

Введение в аналитику данных.Подготовка данных, сходство и расстояния, анализ паттернов ассоциаций и кластерный анализ, анализ выбросов, классификация данных, текстовые данные и данные временных рядов, вопросы конфиденциальности, анализ социальных сетей.

ECE 682: Проектирование микроволновых систем

Изучить концепции, связанные с проектированием, анализом и построением микроволновых систем. В этом курсе будут обсуждаться фундаментальные компромиссы, регулирующие проектирование системы: компоненты оборудования и технологии, составляющие рабочие системы, модели, используемые для определения характеристик передачи и приема сигналов, физику распространения и взаимодействия волн, а также теорию оценки, которая стремится отделить сигналы от источники ошибок и направляющие алгоритмы извлечения информации из полученных сигналов.

ECE 683: Активные микроволновые схемы

Теория и методы, использованные при разработке современных активных схем микроволнового и миллиметрового диапазонов. Особое внимание уделяется схемам усилителя и генератора с использованием таких устройств, как полевые транзисторы, HEMT, HBT и оптоэлектронные устройства. Максимально использован современный справочный материал. Предпосылка: E & C-ENG 585.

ECE 684: Микроволновая метрология

Лекция, лаборатория.Основы метрологии. Передовые методы микроволновых измерений, включая коррекцию ошибок, деэмбедирование и шумовые эффекты в усилителях и генераторах. Предпосылки: знакомство с программным обеспечением СВЧ САПР, основы теории СВЧ.

ECE 686: Знакомство с радиолокационными системами

Введение в основы радиолокационных систем. Уравнение дальности действия радара, критические компоненты радара и характеристики системы. Обнаружение, модуляция, шум и эффекты распространения.Предварительное условие: E & C-ENG 584 или аналогичный.

ECE 687: Теория и конструкция антенн

Анализ и синтез антенных элементов и решеток. Темы включают линейные антенны, собственное и взаимное сопротивление, апертуру, бегущую волну и широкополосные антенны. Предварительное условие: E & C-Eng 334 или аналогичный.

ECE 688F: Выпускной проект, 1 семестр

Это первый семестр двухсеместрового проекта, когда студент работает с консультантом факультета над проектом.Проект может быть проектным, экспериментальным, имитационным или теоретическим. Хотя для всего проекта требуется предложение, заключительный отчет и окончательная презентация, для первого семестра требуется только предложение и удовлетворительный прогресс в направлении окончательного завершения.

ECE 688P: Выпускной проект, 2 семестр

Этот курс является второй частью двухсеместрового проекта, который начинается в E & C-Eng 688F. Проект может быть проектным, экспериментальным, имитационным или теоретическим.Общая оценка проекта основана на предложении проекта, заключительном отчете и итоговой презентации.

Студенты должны пройти E & C-ENG 688F, чтобы записаться на этот курс.

ECE 697AA: Проектирование беспроводной сети на основе искусственного интеллекта

Этот курс будет посвящен продвинутым аналитическим инструментам для моделирования и анализа современных сетей, включая: оптимизацию сетей, теорию массового обслуживания, теорию игр, теорию среднего поля и теорию согласования.Примеры проблем распределения ресурсов в сверхнадежных сетях с малой задержкой, виртуальных сетях, пограничных сетях с множественным доступом, сетях 5G / 6G будут обсуждаться с использованием этих инструментов.

ECE 697AN: Специальные темы — Последние достижения в области нанотехнологий

Сначала будут представлены базовые основы, связанные с наноразмерными явлениями, после чего будут проведены лекции в стиле семинара, охватывающие некоторые общие области нанотехнологии / нанонауки и последние разработки.

ECE 697BE: Специальные темы — биоэлектроника

В настоящее время описание курса недоступно.

ECE 697BS: Введение в биосенсоры и биоэлектронику

В настоящее время описание курса недоступно.

ECE 697ES: Эффективные, масштабируемые и надежные программные системы

В настоящее время описание курса недоступно.

ECE 697DA: ST — Аналитика данных

Введение в аналитику данных. Подготовка данных, сходство и расстояния, анализ паттернов ассоциаций и кластерный анализ, анализ выбросов, классификация данных, текстовые данные и данные временных рядов, вопросы конфиденциальности, анализ социальных сетей.

ECE 697DM: Пост-CMOS материалы и устройства

Этот курс будет охватывать основы некоторых функциональных материалов и новых электронных устройств для информационных технологий Post-CMOS.Электронные устройства включают логику, память, накопитель, датчик, дисплей и так далее. Также будут рассмотрены и обсуждены недавние успехи, текущие проблемы и будущие направления. Курс является самостоятельным, однако будет полезно получить базовые знания в области материаловедения и полупроводниковых устройств.

ECE 697IP: ST — Обработка изображений

Визуальная информация играет важную роль во многих аспектах нашей жизни.Большая часть этой информации представлена ​​цифровыми изображениями. Обработка изображений повсеместна, включая такие приложения, как телевидение, томография, фотография, печать, восприятие роботов и дистанционное зондирование. ECE697IP — это вводный курс по основам цифровой обработки изображений. Он подчеркивает общие принципы обработки изображений, а не конкретные приложения. Мы планируем охватить следующие темы: получение и отображение 2D и 3D изображений, цветовые представления, выборка изображений, точечные операции, линейная фильтрация и корреляция изображений, преобразования изображений, улучшение изображения, восстановление изображений и шумоподавление, а также анализ изображений.

ECE 697KK: ST — Проектирование систем СВЧ

За подробностями обращайтесь к инструктору. Этот курс открыт для аспирантов только в области электротехники и вычислительной техники или электротехники.

ECE 697L: Фазированные решетки

Этот курс дает практические знания основных параметров современных систем фазированных антенных решеток. Студенты будут изучать системы фазированных решеток с упором на сканирование, уровни боковых лепестков, усиление, полосу пропускания, чувствительность, линейность и т. Д.которые важны для высокопроизводительных систем. Будет проанализировано влияние сканирования на входной импеданс антенны, и будет продемонстрирована слепота решетки.

ECE 697LP: ST- Design Princ / Low Power Embed Co

Этот курс представляет собой обзор основных принципов проектирования, используемых при целостном проектировании маломощных встраиваемых вычислительных систем. Темы курса будут включать в себя сбор беспроводной и окружающей энергии, альтернативные технологии хранения энергии, проектирование радио с низким энергопотреблением, эффективную обработку данных датчиков и маломощные ускорители искусственного интеллекта.Курс будет включать обзор статей из недавних конференций и журналов высшего уровня. У студентов будет возможность разработать встраиваемую систему с низким энергопотреблением для IoT, мобильного здравоохранения или другого приложения HCI и эмпирически оценить ее производительность.

ECE 697LS: ST — Аппаратное обеспечение для машинного обучения

Изучите архитектурные методы для эффективного проектирования оборудования для систем машинного обучения (ML), включая обучение и логические выводы.Курс состоит из трех частей. Первая часть посвящена алгоритмам машинного обучения: регрессии, машинам опорных векторов, дереву решений и наивным байесовским подходам. Вторая часть посвящена моделям сверточной и глубокой нейронной сети. Последняя часть касается проектирования аппаратного обеспечения с использованием различных методов ускорения для повышения вычислительной эффективности ядер машинного обучения, включая параллелизм, локальность, точность умножения матриц и свертку; роль размера пакета, регуляризации, точности и сжатия в пространстве проектирования компромисс между эффективностью и точностью; оценка производительности, энергоэффективности, площади и иерархии памяти.Курс будет включать в себя лаборатории машинного обучения на Python с использованием Numpy, Tensorflow, Keras и Verilog для проектирования оборудования.

ECE 697MB: Встроенные системы

Этот курс знакомит с теоретическими основами встраиваемых систем с упором на приложения в области медицинских устройств и других систем с низким энергопотреблением. Обсуждаемые темы будут включать моделирование, планирование, анализ и проверку систем с дискретной, непрерывной и гибридной динамикой.Курс предназначен для аспирантов и старшекурсников. Предварительные требования: программирование микроконтроллеров (ECE 353/354 или эквиваленты), знакомство с конечными автоматами (ENGIN 112 или эквивалент), вводная компьютерная архитектура (ECE 232 или эквивалент).

ECE 697NA: Числовые алгоритмы

Открыто только для аспирантов.

Цели: Обеспечить практическое понимание матричных вычислений для научных, инженерных и промышленных приложений; Обеспечить прочную основу в вычислительной линейной алгебре; Введение в практику параллельных вычислений и программирования.

Содержание: Введение в научные вычисления, основные численные методы линейной алгебры и их приложения, форматы данных и методы, матричные вычисления с упором на решение разреженных линейных систем уравнений и задач на собственные значения, параллельные архитектуры и параллельное программирование с OpenMP, MPI и гибридным, численные параллельные алгоритмы.

ECE 697PD: Параллельное и распределенное программирование

Ключевые концепции параллельного программирования: процессы, потоки, синхронизация (семафоры, взаимное исключение, транзакционная память), профилирование, оценка производительности, параллельные шаблоны (fork-join, wavefront, stream), аспекты балансировки нагрузки и планирование.API и инструменты для параллельного программирования с общей памятью и передачей сообщений: Pthreads, OpenMP и MPI. Текущие тенденции, касающиеся много- и многоядерных процессоров, графических процессоров, FPGA, потоков данных, туманных / граничных / локальных вычислений и облачных вычислений.

ECE 697SG: ST-Smart Grids

В курсе рассматриваются разработки в области эволюционирующих разработок в сетях для интеллектуальных сетей, в том числе: определение интеллектуальных сетей, компоненты, коммуникационные протоколы и инфраструктура, распределенная автоматизация, интеллектуальные счетчики, интеллектуальные устройства, распределенные энергетические ресурсы и проблемы интеграции, микросети, накопление энергии, электрический транспорт, Аналитика данных для сетевых операций, Реструктуризация электроснабжения.

ECE 697SI: ST — Интегрированное системное проектирование

Только для аспирантов. В настоящее время описание курса недоступно.

ECE 697SL: Статистические модели и обучение

В настоящее время описание курса недоступно.

ECE 697SN: Социальные сети в Интернете

Социальные сети в Интернете, такие как Youtube, Facebook или Twitter, привлекли более полумиллиарда пользователей.Этот курс посвящен обсуждению проблем и важных вопросов, возникающих в связи с социальными онлайн-приложениями. Темы включают измерительные исследования социальных сетей в Интернете, анализ онлайн-сообщества, конфиденциальность в социальных сетях в Интернете, проектирование системы для социальных сетей и систему рекомендаций для социальных сетей.

ECE 697SP: Статистическая обработка изображений

Цель курса — дать базовые знания о том, как использовать вероятностные и статистические методы для анализа изображений.Основными предметами курса являются распознавание образов и пространственная / спектральная статистика, применяемая к 2D / 3D изображениям. Примеры взяты из дистанционного зондирования, микроскопии, фотографии и медицинской визуализации. Особый интерес в курсе будет посвящен приложениям в дистанционном зондировании, включая анализ изображений поверхностей планет. Примеры тем исследования, которые будут рассмотрены, включают распознавание текстур изображений, классификацию изображений и регрессию.

ECE 697TN: Фотоника

В настоящее время описание курса недоступно.

ECE 697TR: ST — Интернет вещей

В настоящее время описание курса недоступно.

ECE 697XX: ST — Введение в криптографию

Курс теории и практики криптографии. Основное внимание уделяется тому, как работают криптоалгоритмы и протоколы и как их можно применять в реальном мире. Пререквизиты: Рекомендуется: курсы дискретной математики и математики конечных полей.

ECE 793A: SEM — Электротехника

В настоящее время описание курса недоступно.

ECE 794: SEM — Электротехника

В настоящее время описание курса недоступно.

Открытие и проектирование материалов с использованием машинного обучения

Ю. Лю получила степень бакалавра наук. и М.С. получил степень бакалавра компьютерных наук в Педагогическом университете Цзянси в 1997 и 2000 годах.Она защитила кандидатскую диссертацию. по теории управления и инженерии управления из Шанхайского университета (SHU) в 2005 году. Она работает в Школе компьютерной инженерии и наук SHU с июля 2000 года. В течение этого времени она работала менеджером по исследованиям и разработкам в Sybase-SHU IT Институт Sybase Inc. с июля 2003 г. по июль 2004 г. и приглашенный научный сотрудник в Мельбурнском университете с сентября 2012 г. по сентябрь 2013 г. В настоящее время ее основные исследовательские интересы сосредоточены на машинном обучении и его приложениях в материаловедении и прогнозировании спроса.

Т. Чжао — аспирант Школы компьютерной инженерии и наук Шанхайского университета, Китай. В 2015 году он получил степень бакалавра инженерных наук в области компьютерных наук в Школе компьютеров и программного обеспечения Нанкинского университета информационных наук и технологий, Китай. Его основные исследовательские интересы сосредоточены на машинном обучении для прогнозирования свойств литий-ионных аккумуляторов.

W. J. получил степень бакалавра наук. получил степень бакалавра компьютерных наук в Аньхойском педагогическом университете в 2013 году.Он закончил свою M.S. Он получил степень бакалавра компьютерных наук в Шанхайском университете в 2016 году. Его основные исследовательские интересы сосредоточены на машинном обучении для прогнозирования свойств литий-ионных батарей.

S. S. получил степень бакалавра наук. окончил Педагогический университет Цзянси в 1998 году. Он защитил докторскую диссертацию. из Института физики Китайской академии наук в 2004 году. После этого он присоединился к Национальному институту передовых промышленных наук и технологий Японии и Университета Брауна в США в качестве старшего научного сотрудника, где он оставался до прихода в Шанхайский университет в качестве старшего научного сотрудника. профессором в начале 2013 года.Его исследовательские интересы сосредоточены на основах и микроскопическом дизайне материалов для хранения и преобразования энергии, связанных с литий-ионными батареями и твердотельными оксидными топливными элементами на основе CeO2.

© 2017 Китайское керамическое общество. Производство и размещение в компании Elsevier B.V.

Как сделать граничные условия условными в моделировании

Допустим, вы работаете над примером моделирования, в котором нагрузки перемещаются таким образом, что они пересекают различные элементы сетки и границы во время моделирования.В этих случаях, среди прочего, вы можете применить граничное условие только к части геометрической границы или только при определенных условиях. В этом сообщении блога мы обсудим, как можно использовать гибкость COMSOL Multiphysics для решения таких ситуаций.

Категоризация граничных условий

При математической обработке уравнений в частных производных вы столкнетесь с граничными условиями типов Dirichlet , Neumann и Robin .С помощью условия Дирихле вы указываете переменную, для которой вы решаете. Между тем, условие Неймана используется для задания потока, то есть градиента зависимой переменной. Условие Робина представляет собой смесь двух предыдущих типов граничных условий, в которых задана связь между переменной и ее градиентом.

В следующей таблице представлены некоторые примеры из различных областей физики, которые показывают соответствующую физическую интерпретацию.

Физика Дирихле Neumann Робин
Механика твердого тела Смещение Тяга (стресс) Весна
Теплопередача Температура Тепловой поток Конвекция
Акустика давления Акустическое давление Нормальное ускорение Импеданс
Электрические токи Фиксированный потенциал Фиксированный ток Импеданс

В контексте метода конечных элементов эти типы граничных условий будут по-разному влиять на структуру решаемой задачи.

Условия Неймана

Условия Неймана являются «нагрузками» и появляются в правой части системы уравнений. В COMSOL Multiphysics вы можете увидеть их как слабые составляющие в Equation View . Поскольку условия Неймана представляют собой чисто аддитивные вклады в правую часть, они могут содержать любую функцию переменных: время, координаты или значения параметров.

Рассмотрим задачу теплопередачи, в которой круглый источник тепла с радиусом R движется в направлении x со скоростью v.2}, \ quad r

Очевидно, что для движущейся нагрузки невозможно иметь границы домена или даже сетку, которая всегда соответствовала бы распределению нагрузки.

Само распределение нагрузки может быть введено простым способом. Поскольку переменная для радиальной координаты r будет использоваться в двух местах, рекомендуется определить ее как переменную. Полный ввод для движущегося источника тепла показан ниже.


Параметры, описывающие движущийся источник тепла.


Переменная, описывающая локальную радиальную координату от текущего центра движущегося источника тепла.


Ввод теплового потока.

Результаты моделирования, зависящего от времени, с использованием таких данных показаны на следующей анимации. В плоскости yz предполагается симметрия, поэтому нагрузка фактически приложена к движущемуся полукругу.

Анимация распределения температуры при перемещении источника тепла вдоль стержня.

Условия Дирихле

Там, где задано условие Дирихле, указывается зависимая переменная, поэтому нет необходимости решать ее. Таким образом, уравнения для таких степеней свободы могут быть исключены из проблемы. Таким образом, условия Дирихле изменяют структуру матрицы жесткости. При просмотре Equation View в COMSOL Multiphysics эти условия будут отображаться как ограничения.

Предположим, что вы хотите, чтобы в точке путешествия была задана температура точно 450 К.Это может быть немного искусственно, но оно показывает важное различие между условием Неймана и условием Дирихле. Если вы добавите узел Температура и введете аналогичное выражение ( if (r ), это будет означать установку температуры на абсолютный ноль на той части границы, которая является не охвачен горячей точкой.

Однако намерение состоит в том, чтобы выключить условие Дирихле за пределами горячей точки. Для этого есть небольшая хитрость.Если вместо этого вы введете if (r в качестве заданного значения, вы получите желаемое поведение (показано на следующей анимации).


Параметры условного условия Дирихле.

Анимация распределения температуры при перемещении заданной точки температуры вдоль стержня.

Чтобы понять, как это работает, включите Equation View и посмотрите на реализацию условия Дирихле (в данном случае заданную температуру):


Включение Equation View .


Equation View для узла Temperature .

Ограничение сформулировано как ht.T0-ht.Tvar , что неявно означает ht.T0-ht.Tvar = 0 . Первый член - это заданная температура, которую вы вводите в качестве входных данных. Второй член - это просто температурная степень свободы, выраженная в переменной. Это ограничивает температуру равной заданному значению, если только заданное значение не является строкой ht.Тварь . В этом случае символьная алгебра во время сборки уменьшит выражение до ht.Tvar-ht.Tvar и далее до нуля. А с выражением ограничения 0 ограничения нет.

Слабые ограничения

В COMSOL Multiphysics фактически есть две возможные реализации условия Дирихле. По умолчанию используется точечное ограничение , как указано выше, но вы также можете использовать слабое ограничение .В слабом ограничении уравнения добавляются, а не удаляются. Затем тепловые потоки, необходимые для обеспечения заданных значений температуры, добавляются в качестве дополнительных степеней свободы ( множителей Лагранжа ).

Вы можете использовать, по сути, тот же прием, чтобы сделать слабое ограничение условным, только с небольшим поворотом, вплетенным в смесь. Использование слабых ограничений требует, чтобы вы сначала включили Advanced Physics Options .


Включение расширенных параметров физики .

Когда слабые ограничения были выбраны в узле в физическом интерфейсе, будут дополнительные степени свободы для множителя Лагранжа. В нашем случае степень свободы имеет название T_lm .

Если применяется то же выражение для температуры, что и показанное выше, дополнительная степень свободы не будет иметь никакого вклада матрицы жесткости на той части границы, где условие Дирихле выключено. Таким образом, матрица жесткости станет сингулярной.Чтобы избежать этой ситуации, измените if (r на if (r . Множитель, используемый для T_lm , различается между различными моделями и физическими полями, и может потребовать некоторой настройки.

Причина, по которой это работает, как можно заметить в учебнике, «оставлена ​​читателю в качестве упражнения».


Параметры условного условия Дирихле при использовании слабых ограничений.

Условия Робина

Условия Робина обычно вносят вклад как в матрицу жесткости, так и в правую часть.Структура матрицы жесткости не изменяется, но значения добавляются к существующим позициям. Условия Робина также появляются как слабые вклады в Equation View . Превращение этих условий в функции времени, пространства и других переменных ничем не отличается от того, как это делается для условий Неймана.

Однако интересно, что, выбирая подходящие значения, вы можете фактически преобразовать условия Робина в действия как приближенные условия Дирихле или Неймана.Это особенно важно для случаев, когда вы хотите переключаться между двумя типами граничных условий во время моделирования.

Чтобы создать условие Дирихле, вы назначаете высокое значение «жесткости», например, жесткость пружины или коэффициент теплопередачи. С математической точки зрения, это на самом деле штраф реализация условия Дирихле. Чем выше жесткость, тем выше точность заданного значения степени свободы. Но есть предостережение: очень высокая жесткость повредит числовое кондиционирование матрицы жесткости.Для задачи теплопередачи отправной точкой для выбора «высокого» коэффициента теплопередачи \ alpha может быть

\ alpha = 1000 \ frac {\ lambda} {h}

где \ lambda - коэффициент теплопроводности, а h - характерный размер элемента.

Ту же идею можно применить к другим областям физики, заменив \ lambda соответствующим свойством материала (то есть модулем Юнга в механике твердого тела). Фактор 1000 является всего лишь предложением и может быть заменен на 10 4 или 10 5 .

Если бы вы использовали конвекцию для моделирования движущегося пятна 450 K из предыдущего примера, вы могли бы использовать настройки, показанные ниже. В выражении применяется встроенная переменная h для размера элемента.


Использование условия конвекции для задания температуры.

В старые добрые времена, когда я впервые начал использовать анализ методом конечных элементов, иногда было невозможно предписать ненулевые смещения в программах конечных элементов для строительной механики.Ограничение было наложено дополнительной сложностью программирования. В таком случае лучшим вариантом было бы использовать метод штрафа, добавив предварительно отформованную жесткую пружину. Однако вы не хотели бы, чтобы он был слишком жестким; в те дни все еще использовалась арифметика с одинарной точностью!

Обратимся к приближению условия Неймана. Нам нужен тепловой поток, не зависящий от температуры поверхности. В случае теплопередачи условие Робина гласит, что внутренний тепловой поток q равен

.

q = \ alpha (T _ {\ textrm {ext}} - T)

где \ alpha - коэффициент теплопередачи, T - температура на границе, а T _ {\ textrm {ext}} - внешняя температура.

Итак, если T _ {\ textrm {ext}} намного больше, чем ожидаемая температура на поверхности, тогда q \ приблизительно \ alpha T _ {\ textrm {ext}}. Затем стратегия состоит в том, чтобы выбрать произвольное очень большое значение T _ {\ textrm {ext}} и вычислить подходящий коэффициент теплопередачи, как показано ниже.


Использование условия конвекции для задания теплового потока.

Конструкторы фактически используют этот принцип для введения фиксированной силы в реальные механические компоненты: предварительно напряженную длинную слабую пружину.Если предварительное задание пружины намного больше, чем смещение частей, с которыми пружина соединена, сила в пружине будет почти постоянной.

Устранение ошибок дискретизации

Когда граничное условие ограничено логическим выражением, например if (r , то более чем вероятно, что граница области, к которой оно применяется, не будет следовать за краями элементов сетки . Это приведет к ошибкам дискретизации.

Для условия Неймана или Робина численное интегрирование выполняется по каждому конечному элементу.Значение функции оценивается в нескольких дискретных точках Гаусса в элементе. Если размер элементов сетки велик по сравнению с геометрическим размером нагрузки, то точное количество точек Гаусса, покрытых нагрузкой, может существенно повлиять на общую нагрузку. Таким образом, на заплате в любой момент должно быть несколько элементов, на которые действует нагрузка.


Небольшое изменение местоположения нагрузки может изменить количество участвующих точек интеграции.(На самом деле точек интеграции больше.)

Условия Дирихле, по крайней мере в поточечном смысле, вместо этого применяются к узлам сетки. На рисунке ниже показано распределение температуры и тепловой поток для определенного времени при моделировании движущегося круглого пятна с заданной температурой 450 К. Перед горячим пятном виден более темный оттенок с 260 К. Поскольку начальная температура и температура окружающей среды при моделировании равны 293 K, этого не ожидается.Это числовой артефакт, связанный с тем фактом, что не все узлы каждого элемента имеют условие Дирихле. На разрыве условий Дирихле будут особенности. Это тема обсуждения в предыдущем сообщении блога. Уточнение сетки уменьшит такой эффект.

Зеленые стрелки на следующем рисунке представляют узлы, в которых создается приток тепла как реакция на задание температуры. При плотности сетки в модели приближение полукруга будет довольно грубым.


Распределение температуры и тепловой поток вокруг заданной полукруглой температуры.

Зависимость решения в граничных условиях

Есть много способов, которыми решение может войти в ваши граничные условия. Обычно это приводит к возникновению нелинейностей, которые автоматически обнаруживаются COMSOL Multiphysics.

В качестве примера рассмотрим балку с опорой, которая расположена немного ниже нее, препятствуя дальнейшему перемещению после определенного отклонения.Это может быть реализовано с помощью условного условия Дирихле через узел Предписанное смещение / вращение в интерфейсе Beam .


Балка с прогибом, регулируемой опорой и распределенной нагрузкой.


Настройки, предписывающие, чтобы луч останавливался при отклонении 2 см.

Анализ показывает ожидаемое поведение. При более низких нагрузках форма прогиба симметрична, тогда как при более высоких уровнях нагрузки точка на балке, где расположена дополнительная опора, перестанет двигаться.На конечном уровне нагрузки балка даже изменит знак кривизны. Это видно на графике деформации, но более четко показано на графике изгибающего момента.


Смещение балки в точке опоры останавливается на 2 см.


Изгибающий момент по балке для различных уровней нагрузки.

Подход, описанный здесь, является довольно грубым, и итерационное решение может не иметь хороших свойств сходимости. Более стабильная реализация заключается в использовании сильно нелинейной пружины в точке опоры, так что сила реакции является непрерывно дифференцируемой функцией смещения.На самом деле это похоже на то, как штрафной контакт реализован в интерфейсе Solid Mechanics .

Заключение об использовании граничных условий в COMSOL Multiphysics

COMSOL Multiphysics дает вам доступ к очень мощным механизмам для задания нестандартных граничных условий. Сегодня мы представили вам несколько примеров того, что вы можете сделать в этих условиях.

Для тех, кто интересуется анализом модели с подвижной нагрузкой, обратите внимание на учебную модель с подвижной нагрузкой, доступную в нашей галерее приложений.

Если у вас есть дополнительные вопросы о том, как предписывать нестандартные граничные условия в ваших собственных процессах моделирования, свяжитесь с нами сегодня.

полупроводников сложно сделать, и это часть проблемы

Нехватка полупроводников бьет по автопроизводителям и техническим гигантам, поднимая тревогу от Вашингтона до Брюсселя и Пекина. Этот кризис поставил перед политиками, клиентами и инвесторами фундаментальный вопрос: почему мы просто не можем производить больше микросхем?

Есть и простой, и сложный ответ.Простая версия состоит в том, что изготовление чипов невероятно сложно - и становится все сложнее.

«Это не ракетостроение - это намного сложнее», - говорится в одной из шуток отрасли.

Более сложный ответ заключается в том, что на строительство предприятий по производству полупроводников уходят годы и миллиарды долларов - и даже в этом случае экономика настолько жестока, что вы можете проиграть, если ваш производственный опыт будет незначительно отстать от конкурентов. Бывший глава корпорации Intel Крейг Барретт назвал микропроцессоры своей компании самыми сложными устройствами, когда-либо созданными человеком.

Вот почему страны сталкиваются с такими трудностями в достижении полупроводниковой самодостаточности. Китай назвал независимость от микросхем главным национальным приоритетом в своем последнем пятилетнем плане, а президент США Джо Байден пообещал построить безопасную американскую цепочку поставок за счет возрождения отечественного производства. Даже Евросоюз обдумывает меры по производству собственных чипов. Но успех далеко не гарантирован.

Производство микросхемы обычно занимает более трех месяцев и включает в себя гигантские фабрики, беспыльные помещения, машины стоимостью в несколько миллионов долларов, расплавленное олово и лазеры.Конечная цель состоит в том, чтобы превратить кремниевые пластины - элемент, извлеченный из простого песка - в сеть из миллиардов крошечных переключателей, называемых транзисторами, которые образуют основу схемы, которая в конечном итоге сделает телефон, компьютер, автомобиль, стиральную машину или спутник критически важными. возможности.

Больше от Bloomberg Большой взгляд: нехватка чипов вынуждает автопроизводителей отказываться от высокотехнологичных компонентов

Такой маленький, но такой сложный

Большинство микросхем - это группы схем, которые запускают программное обеспечение, манипулируют данными и управляют функциями электронных устройств.Расположение этих цепей дает им конкретное назначение. Ниже представлена ​​видеокарта Nvidia GeForce RTX 3090, лучшая в настоящее время для преобразования компьютерного кода в реалистичную графику видеоигр.

NVLink

интерфейс

Используется для передачи данных между центральными процессорами и графическими процессорами, а также между подключенными графическими процессорами.

Кластер графической обработки

Кластеры логических схем, которые содержат большинство основных графических функций графического процессора, включая части, которые вычисляют появление теней

и текстуры в кадре видео.

Рама

буфер

Область памяти

используется для хранения информации, которая станет изображением на

.

дисплей.

Общая площадь чипа:

6,28 см²

L2 и память

контроллер

Это где

чипов

данных готовы к

быстрый доступ

и работаем дальше.

Вход / выход, дисплей и видео

Эта часть микросхемы взаимодействует с другими

деталей ЭБУ и шестерни к нему.

Интерфейс NVLink

Используется для передачи данных между центральными процессорами и графическими процессорами, а также между подключенными графическими процессорами.

Кластер графической обработки

Кластеры логических схем, которые содержат большинство основных графических функций графического процессора, включая части, которые вычисляют появление теней

и текстуры в кадре видео.

Буфер кадра

Область памяти, используемая для хранения информации, которая

станет изображением на дисплее.

Общая площадь чипа:

6,28 см²

L2 и контроллер памяти

Это где

чип хранит данные, готовые к

быстрый доступ

и работаем дальше.

Вход / выход, дисплей и видео

Эта часть микросхемы передает

с другими частями компьютера и

к нему прикреплена шестерня.

Кластер графической обработки

Кластеры логических схем, которые содержат большинство основных графических функций графического процессора, включая части, которые вычисляют появление теней

и текстуры в кадре видео.

Интерфейс NVLink

Используется для передачи данных между центральными процессорами и графическими процессорами, а также между подключенными графическими процессорами.

Буфер кадра

Область памяти, используемая для хранения информации, которая

станет изображением на дисплее.

Общая площадь чипа:

6,28 см²

Вход / выход, дисплей

и видео

Эта часть микросхемы

обменивается данными с другими

частей компьютера и

к нему прикреплена шестерня.

L2 и память

контроллер

Здесь

чип хранит данные

готовы быстро

доступ и работа.

Кластер графической обработки

Кластеры логических схем, содержащие большую часть

основных графических функций графического процессора, включая части

, которые вычисляют появление теней и текстур в кадре видео.

Интерфейс NVLink

Используется для передачи данных между центральными процессорами и графическими процессорами, а также между подключенными графическими процессорами.

Буфер кадра

Площадь

памяти

используется для хранения

информация

, что будет

становится

картинка на дисплее.

Ввод / вывод,

дисплей и видео

Эта часть микросхемы

взаимодействует с

другие части

Компьютер

и

К нему прикреплена шестерня

.

Общая площадь чипа:

6,28 см²

L2 и контроллер памяти

Вот где микросхема

хранит данные, готовые к быстрому доступу и работе.

Интерфейс NVLink

Используется для передачи данных между центральными процессорами и графическими процессорами

и между подключенными графическими процессорами.

Кластер графической обработки

Кластеры логических схем, которые содержат большинство основных графических функций графического процессора, включая части, которые вычисляют появление теней

и текстуры в кадре видео.

Буфер кадра

Область памяти, используемая для хранения информации, которая станет изображением на дисплее.

L2 и контроллер памяти

Здесь чип хранит данные, готовые к быстрому доступу и работе.

Общая площадь чипа: 6,28 см²

Вход / выход, дисплей и видео

Эта часть микросхемы взаимодействует с другими

деталей ЭБУ и шестерни к нему.

Источник: Nvidia

Производители микросхем пытаются упаковать больше транзисторов в микросхемы, повышая производительность и делая устройства более энергоэффективными. Первый микропроцессор Intel - 4004 - был выпущен в 1971 году и содержал всего 2300 транзисторов с размером узла 10 микрон, или 10 миллионных долей метра. Но бесспорное лидерство Intel в последующие десятилетия закончилось между 2015 и 2020 годами, когда появились конкуренты Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. и Samsung Electronics Co.начали создавать микросхемы с более совершенными транзисторами: с размерами до 5 нанометров, или 5 миллиардных долей метра (для сравнения, средний человеческий волос имеет ширину 100 000 нанометров).

Источники: отчеты компаний и отрасли, наш мир в данных

Чище, чем хирургия

Прежде чем использовать кремний в станках для производства микросхем, вам понадобится чистая комната. Очень чистый номер. Отдельные транзисторы во много раз меньше вируса. Всего одна пылинка может вызвать хаос и миллионы долларов потраченных впустую усилий.Чтобы снизить этот риск, производители микросхем размещают свои машины в помещениях, в которых практически нет пыли.

Микросхема класса 1

производство

чистая комната

Операционная больница

Каждая частица пыли считается размером менее 200 нанометров (миллиардных долей метра)

Микросхема класса 1

производство

чистая комната

Операционная больница

Каждая частица пыли считается размером менее 200 нанометров (миллиардных долей метра)

Микросхема класса 1

производство

чистая комната

Операционная больница

Каждая частица пыли считается размером менее 200 нанометров (миллиардных долей метра)

Микросхема класса 1

производство

чистая комната

Операционная больница

Каждая частица пыли считается менее чем

.

Размер 200 нанометров (миллиардных долей метра)

Источник: ASML

Чтобы поддерживать эту среду, воздух постоянно фильтруется, и в него допускаются очень немногие люди.Если на линии по производству чипов появляется более одного или двух рабочих, с головы до ног закутанных в защитное снаряжение, это может быть признаком того, что что-то не так. Настоящие гении, стоящие за дизайном и разработкой полупроводников, работают за много миль.

Сотрудник в защитной экипировке проходит мимо машин в чистой комнате на заводе полупроводников GlobalFoundries, Мальта, Нью-Йорк, США

Сотрудник в защитной экипировке проходит мимо машин в чистой комнате на заводе по производству полупроводников GlobalFoundries, Мальта, Нью-Йорк, США.С.

Сотрудник в защитной экипировке проходит мимо машин в чистой комнате на заводе полупроводников GlobalFoundries, Мальта, Нью-Йорк, США

Сотрудник в защитной экипировке проходит мимо машин в чистой комнате на заводе полупроводников GlobalFoundries, Мальта, Нью-Йорк, США

Работник в спецодежде

проходит мимо машин в чистой комнате на заводе полупроводников GlobalFoundries,

Мальта, Нью-Йорк, U.С.

Фотограф: Адам Гланцман / Bloomberg

Даже с соблюдением всех этих мер предосторожности нельзя прикасаться к кремниевым пластинам или подвергать их воздействию воздуха. Они перемещаются между машинами в картриджах, которые несут роботы, бегущие по рельсам в потолке. Они выходят из безопасности этих картриджей, только когда они находятся внутри машин, и наступает время для ключевого шага в этом процессе.

Видео: Адам Гланцман / Bloomberg

Производство на атомном уровне

Чипы состоят из 100 слоев материалов.Они откладываются, а затем частично удаляются, чтобы сформировать сложные трехмерные структуры, которые соединяют все крошечные транзисторы. Некоторые из этих слоев имеют толщину всего один атом. Чтобы это произошло, машины производства Applied Materials Inc., Lam Research Corp. и Tokyo Electron Ltd. манипулируют множеством переменных, таких как температура, давление, электрические и магнитные поля.

Одна из самых сложных частей процесса - литография, которая выполняется на станках ASML Holding NV. В оборудовании компании используется свет для выжигания узоров на материалах, нанесенных на силикон.Эти паттерны со временем становятся транзисторами. Все это происходит в таком маленьком масштабе, что современный способ заставить это работать - использовать крайний ультрафиолетовый свет, который обычно естественным образом возникает только в космосе. Чтобы воссоздать это в контролируемой среде, машины ASML удаляют расплавленные капли олова с помощью лазерного импульса. Когда металл испаряется, он излучает необходимый ультрафиолетовый свет. Но даже этого недостаточно. Зеркала необходимы, чтобы фокусировать свет на более тонкую длину волны.

На поверхность кремниевой пластины нанесены слои изолирующего и проводящего материалов.Затем пластина покрывается однородным слоем фоторезиста.

Шаблоны интегральных схем

указано в дизайне - это

нанесено на стеклянную пластину

называется фотошаблон.

Сияет ультрафиолетовый (УФ) свет

через маску для передачи

выкройка к фоторезисту

слой на кремниевом диске.

Открытая часть может тогда

подлежат химическому удалению.

Паттерны проектируемые

повторно на пластину

Стрелка указывает направление движения

Вафли развиты до

удалить неоткрытые участки

Затем

фоторезиста запекали для удаления химических растворителей.

Слои незащищенные

от photoresist

Незащищенные фоторезистом участки кремниевой пластины

сняты и зачищены

газами или химическими веществами.

Вафля залита

ионных газов, которые модифицируют

проводящие свойства

новый слой с добавлением примесей,

, например бор и мышьяк.

Металлические осаждения

и травление

Используется аналогичный процесс

для размещения металлических перемычек между транзисторами.

Шаги 1-5 повторяются сотни раз с разными химикатами для создания

дополнительных слоев, в зависимости от желаемых характеристик схемы.

Каждая готовая вафля

содержит сотни

идентичный интегрированный

схем. Вафли

отправлено на сборку, упаковка

и тестирование, которое включает разрезание пластины на отдельные чипы.

Крупный план

кремниевая пластина

На поверхность кремниевой пластины нанесены слои изолирующего и проводящего материалов.Затем пластина покрывается однородным слоем фоторезиста.

Микросхема

шаблонов, указанных в

Дизайн

отображается на

стеклянная тарелка

называется фотошаблон.

Ультрафиолетовый (УФ) свет

светило сквозь маску

для передачи рисунка на

слой фоторезиста на

силиконовый диск. Выставленные

порция может тогда

подлежат химическому удалению.

Паттерны проектируемые

повторно на пластину

Стрелка указывает направление движения

Вафли развиты до

удалите неоткрытые участки фоторезиста, а затем запекайте для удаления химических растворителей.

Слои незащищенные

от photoresist

Области кремния

Пластина незащищенная фоторезистом снята и очищена газами

или химикаты.

Пластина залита ионными газами, которые изменяют проводящие свойства

новый слой, добавив

примесей, например

бор и мышьяк.

Металлические осаждения

и травление

Используется аналогичный процесс

для размещения металлических перемычек между транзисторами.

Шаги 1-5 повторяются сотни раз с разными химикатами до

создает больше слоев в зависимости от желаемых характеристик схемы.

Каждая готовая вафля

содержит сотни

идентичный интегрированный

схем. Вафли

отправлено на сборку, упаковка

и тестирование, которое включает разрезание пластины на отдельные чипы.

Крупный план

кремниевая пластина

Слои изоляционных и токопроводящих материалов

наносятся на поверхность

кремниевой пластины.

Пластина накрывается

равномерным слоем фоторезистивного материала.

Микросхема

шаблонов, указанных в

Дизайн

отображается на

стеклянная тарелка

называется фотошаблон.

Ультрафиолетовый (УФ) свет

светится через

маска для переноса рисунка

к слою фоторезиста

на кремниевом диске.

Открытая часть

может быть химически

удалено.

Паттерны проектируемые

повторно на пластину

Стрелка указывает направление движения

Вафли развернуты

для удаления неоткрытых участков фоторезиста, затем запекания для удаления химических растворителей.

Слои незащищенные фоторезистом

Области кремния

Пластина незащищенная фоторезистом снята и очищена газами

или химикаты.

Пластина залита ионными газами, которые изменяют проводящие свойства нового слоя, добавляя

примесей, например

бор и мышьяк.

Металлические осаждения

и травление

Аналогичный процесс

используется для установки

металлических звеньев между

транзисторов.

Шаги 1-5 повторяются сотни раз

с различными химикатами для создания большего количества слоев в зависимости от желаемых характеристик схемы.

Крупный план

кремниевой пластины

Каждая готовая пластина содержит сотни

идентичный интегрированный

схем. Вафли

отправлено на сборку,

упаковка и тестирование

, который включает разрезание пластины на отдельные чипы.

Слои изоляционных и токопроводящих материалов

наносятся на поверхность кремниевой пластины.

Затем пластина покрывается однородным слоем

из фоторезистивного материала.

Шаблоны интегральных схем, указанные в

дизайн нанесен на стеклянную пластину под названием

фотошаблон. Ультрафиолетовый (УФ) свет светится

через маску для передачи рисунка на

Слой фоторезиста

на кремниевом диске. Выставленные

Затем часть

может быть удалена химическим путем.

Паттерны проектируемые

повторно на пластину

Стрелка указывает направление движения

Вафли развернуты

для удаления неоткрытых участков фоторезиста, затем запекания для удаления химических растворителей.

Слои незащищенные

от photoresist

Области кремния

Пластина незащищенная фоторезистом снята и очищена газами

или химикаты.

Пластина залита ионными газами, которые изменяют проводящие свойства нового слоя, добавляя

примесей, например

бор и мышьяк.

Металлические осаждения

и травление

Аналогичный процесс

используется для установки

металлических звеньев между

транзисторов.

Шаги 1-5 повторяются сотни раз

с различными химикатами для создания большего количества слоев в зависимости от желаемых характеристик схемы.

Каждая заполненная пластина содержит

сотен одинаковых интегрированных

схем. Пластины отправляются на сборку, упаковку и тестирование, которое включает разрезание пластины на отдельные чипы.

Источники: Boston Consulting Group, Semiconductor Industry Association, Gartner

.

Больше от Bloomberg Graphics: Как нехватка чипов повлияла на все, от телефонов до автомобилей

Обременительная экономика

Чиповые заводы работают 24 часа в сутки, семь дней в неделю.Они делают это по одной причине: цена. Строительство фабрики начального уровня, производящей 50 000 пластин в месяц, стоит около 15 миллиардов долларов. Большая часть этой суммы идет на специализированное оборудование - рынок, продажи которого впервые превысили 60 миллиардов долларов в 2020 году.

Heavy Duty

Продажи оборудования, используемого для производства микросхем, увеличились вдвое с 2015 года

Мировой рынок оборудования для производства пластин

Мировой рынок оборудования для производства вафель

Мировой рынок оборудования для производства пластин

Источник: SEMI

Большая часть этих инвестиций приходится на три компании - Intel, Samsung и TSMC.Их фабрики более современные и стоят более 20 миллиардов долларов каждая. В этом году TSMC потратит целых 28 миллиардов долларов на новые заводы и оборудование. Сравните это с попыткой правительства США принять закон в поддержку отечественного производства микросхем. Этот закон предлагает всего 50 миллиардов долларов в течение пяти лет.

Если вы потратите все эти деньги на строительство гигантских объектов, они устареют через пять лет или меньше. Чтобы не потерять деньги, производители микросхем должны получать 3 миллиарда долларов прибыли с каждого завода.Но теперь только крупнейшие компании, в частности тройка лидеров, совокупная выручка которых в прошлом году составила 188 миллиардов долларов, могут позволить себе построить несколько заводов.

Big-Fish Industry

Intel, Samsung и TSMC принесли почти такой же доход в 2020 году, как и следующие 12 крупнейших производителей чипов вместе взятые

Совокупная выручка

из 3 лучших

Совокупная выручка

из остальных

Совокупная выручка

из 3 лучших

Совокупная выручка

из остальных

Комбинированный

выручка 3 лучших

Комбинированный

выручка

остальные

Совокупная выручка

из 3 лучших

Совокупная выручка

из остальных

Примечание. Цифры для Samsung и Sony включают только их предприятия по производству микросхем.

Источники: данные компании, собранные Bloomberg; IDC

Чем больше вы это делаете, тем лучше у вас получается. Урожайность - процент фишек, которые не выбрасываются - является ключевым показателем. Все, что меньше 90%, является проблемой. Но производители микросхем преодолевают этот уровень, только многократно изучая дорогостоящие уроки и опираясь на эти знания.

Жестокая экономика отрасли означает, что меньшее количество компаний может позволить себе не отставать. Большая часть из примерно 1,4 миллиарда процессоров для смартфонов, поставляемых ежегодно, производится TSMC.Intel принадлежит 80% рынка компьютерных процессоров. Samsung доминирует в чипах памяти. Для всех остальных, в том числе для Китая, непросто ворваться.

Плюс два экзамена 2021 г. - основные направления и важные части для всех предметов

Kerala Higher Secondary Board и SCERT выбрали несколько направлений, в которых учащиеся могут сосредоточиться на своей подготовке к экзамену +2 в марте 2021 года. Поскольку в текущем учебном году школы не функционируют, а занятия полностью проводятся на онлайн-платформах, Студенты изо всех сил пытались справиться с полными частями, предназначенными для экзаменов на предстоящих экзаменах в Высшую среднюю школу.Таким образом, правительство выбрало определенные части в качестве приоритетных областей, чтобы упростить задачу, и ожидается, что 90% вопросов для следующего экзамена будут исходить из этих выбранных тем из каждой главы. Классные занятия, начавшиеся с 1 января, также будут сосредоточены на нижеупомянутых основных областях различных предметов.

ЗОНА ФОКУСА Примечания и материалы

Сосредоточение внимания на частях, объявленных в качестве приоритетных, поможет вам получить хорошую оценку на предстоящем экзамене, поскольку для всех вопросов есть варианты выбора, эти.Загрузите заметки и материалы по области фокусировки для всех объектов из Plus Две заметки и материалы по области фокусировки - Все объекты

Важные темы, отнесенные к приоритетным областям в каждой теме

Вы можете сослаться на важные темы из каждой главы из списка, приведенного ниже. Ожидается, что эти рекомендации применимы к 90% вопросов. Обратите внимание, что правительство не объявляло никаких пропусков глав или сокращения учебной программы. Это означает, что другие части также имеют значение, если вы стремитесь набрать на экзамене более 90% баллов.

Plus Two Exam 2021 - Основные направления для АНГЛИЙСКОГО ЯЗЫКА

913
Урок Область фокусировки
1 Три уровня расширения прав и возможностей (речь)
2 Спичечный коробок (рассказ)
3 Любая женщина 4 Хорегаллу (Анекдот)
5 Час истины (одноактная пьеса)
6 Революция на трех колесах (интервью)
7

Plus Two Exam 2021- Основные направления для MALAYALAM

Plus Два экзамена 2021 - Основные направления для HINDI

Plus Two Exam 2021 - Основные направления MATHS (наука и коммерция)

Глава Область фокусировки
ОТНОШЕНИЯ И ФУНКЦИИ
1.3 типа функций
1.4 Состав функций и обратимая функция
ОБРАТНЫЕ ТРИГОНОМЕТРИЧЕСКИЕ ФУНКЦИИ 2.3 Свойства обратных тригонометрических функций
МАТРИЦЫ 3.23 Матрицы
3,4 матрицы
3.6 Симметричные и кососимметричные матрицы
ДЕТЕРМИНАНТЫ 4.2 Детерминант
4.5 Миноры и кофакторы
4.6 Сопряженная и обратная матрица
4.7 Приложения определителей и матриц
НЕПРЕРЫВНОСТЬ И ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОСТЬ
5.2 Непрерывность
5.3 Дифференцируемость
5.8 Теорема о среднем значении
Скорость изменения величин
6.3 Функции увеличения и уменьшения
6.4 Касательные и нормали
ИНТЕГРАЛЫ 7.3.1 интегрирование путем подстановки
7.4 Интегралы от некоторых частных функций
7.9 Вычисление определенных интегралов подстановкой
ПРИМЕНЕНИЕ ИНТЕГРАЛОВ
8.2 Площадь под простыми кривыми
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛ
УРАВНЕНИЯ
9303 Основные уравнения 930 разделимый
ВЕКТОРНАЯ АЛГЕБРА 10.4 Сложение векторов
10.5 Умножение вектора на скаляр
10.6 Произведение двух векторов
ТРЕХМЕРНАЯ ГЕОМЕТРИЯ
11.3 Уравнение линии в пространстве
11.5.1 Расстояние между наклонными линиями
11.6.2 Уравнение плоскости, перпендикулярной заданному вектору
и проходящей через заданную точку
11.6.3 Уравнение плоскости, проходящей через три неколлинеарных точки
ЛИНЕЙНОЕ ПРОГРАММИРОВАНИЕ
12.2.2 Графический метод решения линейных задач программирования
ВЕРОЯТНОСТЬ 13.2 Условная вероятность
13,4 независимых событий
9000- 6 Новая модель: Документы и ключи с ответами
Plus Two Типовые листы вопросов за март 2021 года
Примечания и материалы по основной области 2021
Типовые листы вопросов для +2 экзамена в марте 2021 года
Полные материалы A + STUDY, заметки, видео-классы для студентов Plus Two

Plus Два экзамена 2021 - Основные направления ФИЗИКИ

ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ВОЛНА 913 ИЛИ 9135 ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ СИСТЕМА 913 ЗЕРКАЛА
9.3 ПРЕЛОМЛЕНИЕ
9.5 ПРЕЛОМЛЕНИЕ НА СФЕРИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЯХ И ЛИНЗАМИ
9.6 ПРЕЛОМЛЕНИЕ ЧЕРЕЗ ПРИЗМУ
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЗАРЯДКИ И ПОЛЕ5 1.2 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЗАРЯД
1.6 ЗАКОН КУЛОМБА
1.8 ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ
1.9 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЛИНИИ
1.10 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПОТОК
1.11 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДИПОЛЬ
1.14 ЗАКОН GAUSS
1.15 ПРИЛОЖЕНИЯ 9138 ЗАКОНА ГАУССА 913 СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВО ПО ГАУССАМ 9138 2.2. ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ ПОТЕНЦИАЛ
2.3 ПОТЕНЦИАЛ, СВЯЗАННЫЙ С ТОЧЕЧНЫМ ЗАРЯДОМ
2.11 КОНДЕНСАТОРЫ И ЕМКОСТЬ
2.12 ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ КОНДЕНСАТОР
2.14 КОМБИНАЦИЯ КОНДЕНСАТОРОВ
2.15 ЭНЕРГИЯ, СОХРАНЕННАЯ В КОНДЕНСАТОРЕ
913 ЭНЕРГИИ 913ЗАКОН 4 ОМА
3.9 ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ЭНЕРГИЯ, МОЩНОСТЬ
3.10 СОЧЕТАНИЕ РЕЗИСТОРОВ СЕРИИ И ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ ДАННЫХ
3.11 ЯЧЕЙКИ, ЭДС, ВНУТРЕННЕЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ
3.13 ПРАВИЛА КИРЧХОФФА
3.14 ПРАВИЛА КИРЧХОФФА
3.14 ПЛОМБИНА КИРЧХОФФА МАГНИТИЗМ
4.2 МАГНИТНАЯ СИЛА
4.5 МАГНИТНОЕ ПОЛЕ, СВЯЗАННОЕ С ТОКОВЫМ ЭЛЕМЕНТОМ, ЗАКОН БИОТА-САВАРТА
4.6 МАГНИТНОЕ ПОЛЕ НА ОСИ ЦИРКУЛЯРНОГО КОНТУРА ТОКА
4.7 АМПЕР ЗАКОН
4.8 СОЛЕНОИД И ТОРОИД
МАГНИТИЗМ И МАТЕРИЯ 5.3 МАГНИТИЗМ И ЗАКОН ГАУССА
5.4 МАГНИТИЗМ ЗЕМЛИ
5.5 НАМАГНИЧНОСТЬ И НАПРЯЖЕНИЕ НА МАГНИТНОСТЬ 6.8 Вихревые токи
6.10 ГЕНЕРАТОР ПЕРЕМЕННОГО ТОКА
ПЕРЕМЕННЫЙ ТОК 7.2 НАПРЯЖЕНИЕ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА НА РЕЗИСТОРЕ
7.3 ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА И НАПРЯЖЕНИЯ ВРАЩАЮЩИМИСЯ ВЕКТОРАМИ-7 ФАЗРАМИ
.4 НАПРЯЖЕНИЕ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА НА ИНДУКТОРЕ
7,5 НАПРЯЖЕНИЕ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА НА КОНДЕНСАТОРЕ
7.9 ТРАНСФОРМАТОРЫ
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ 8,2 ТОК СМЕЩЕНИЯ
ВОЛНОВАЯ ОПТИКА 10.2 ПРИНЦИП ХЮЙГЕНСА
10.3 ПРЕЛОМЛЕНИЕ И ОТРАЖЕНИЕ ПЛОСКИХ ВОЛН С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРИНЦИПА ГЮЙГЕНСА
10.7 ПОЛЯРИЗАЦИЯ
ДВОЙНАЯ ПРИРОДА ИЗЛУЧЕНИЯ И ВЕЩЕСТВА СВЕТ: ФОТОН
АТОМЫ 12.4 МОДЕЛЬ АТОМА ВОДОРОДА
12.6 ОБЪЯСНЕНИЕ ДЕ БРОГЛИ ВТОРОГО ПОСТУЛАТА КВАНТИЗАЦИИ БОРА
9 ЯДЕР6 РАДИОАКТИВНОСТЬ
13.7 ЯДЕРНАЯ ЭНЕРГИЯ
ПОЛУПРОВОДНИК: МАТЕРИАЛЫ, УСТРОЙСТВА И ПРОСТОЕ ЦЕПИ 14.7 ПРИМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ДИОДА В КАЧЕСТВЕ ПРАКТИЧЕСКОГО ДИАПАЗОНА 14.7 9138 9137 LOGIC 913 913 GEMONIC RECTIFIER 9138 913 GEMONIC
Название группы Область фокусировки
Твердое состояние 1.2 Аморфные и кристаллические твердые тела
1.4 Кристаллические решетки и элементарные ячейки
1.5 Число атомов в элементарной ячейке
1. 6 Плотноупакованные структуры
1.9 Дефекты в твердых телах
1.10 Электрические свойства
1.11 Магнитные свойства
Растворы 2. 3. 2 Растворимость газа в жидкостях
4 Давление пара жидких растворов
2.5 Идеальные и неидеальные растворы
2.6 Коллигативные свойства и определение молярной массы
Электрохимия 3.3 Уравнение Нернста
3. 4. 2. Изменение проводимости и молярной проводимости при концентрации

3,6 Батареи
3,7 Топливные элементы
3,8 Коррозия
Химическая кинетика 4. 2 Факторы, влияющие на скорость реакции
4.3.2 Реакции первого порядка и период их полураспада
4.4 Реакция псевдопервого порядка
4.5 Температурная зависимость скорости реакции - уравнение Аррениуса
Химия поверхности 5.1 Адсорбция
5.2 Катализ
5.4 Классификация коллоидов
5.5 Эмульсии
Общие принципы и
Процесс выделения элементов -
6.2 Концентрация руд
6.3 Извлечение сырого металла из концентрированных рудных элементов
6.4. 1 Диаграмма Эллингема - извлечение железа
6.5 процесс Холла Эру (извлечение Al) 6. 7 Рафинирование
P-блочные элементы 7.3 Аммиак
7.5 Азотная кислота
7.8 Галогениды фосфора
7,17 Серная кислота
7. 22 Межгалогенные соединения
7,23 Элементы 18 группы - Галогениды ксенона
Элементы d- и f-блока 8.3 Магнитные свойства, окрашенные ионы образования, комплексы образования, каталитические свойства
8.4 Перманганат калия и дихромат калия
8.5.2 Атомные и ионные размеры
8.7 Некоторые применения элементов d- и f-блока
Координационные соединения 9.3 Номенклатура координационных соединений
9.4 Изомерия в координационных соединениях
9.5.2 Магнитные свойства координационных соединений
9.8 Значение и применение координационных соединений
Галоалканы и галоарены 10.4.1 Получение из спиртов
10.4.2 Получение из углеводородов
10.6.1 Реакции галоалканы (нуклеофильное замещение)
10.6.2 Реакции галоаренов (электрофильное замещение)
10.7.2 Трихлорметан
Спирты, фенолы и простые эфиры 11.4.1 Получение спиртов (из алкенов, карбонильных соединений и реактива Гриньяра
11.4.2 Получение фенола (из галоаренов и солей диазония)
11.4.4 Химические реакции (тест Лукаса, дегидратация, нитрование фенола. Реакция Реймера-Тимана)
11,5 Коммерчески важные спирты - этанол
11.6.1 Получение простых эфиров-синтез Вильямсона
11.6.3 Химические реакции (реакция Фриделя-Крафтса)
Альдегиды, кетоны и карбоновые кислоты 12.2 Получение альдегидов и кетонов (окислением спиртов, дегидрированием спиртов, восстановлением Розенмунда, реакцией Этарда, реакцией Гаттермана-Коха, реакцией Фриделя Крафт)
12.4 Химические реакции (восстановление, окисление, реакция Альдола, реакция Канниццаро)
12.7 Приготовление Карбоновой кислоты (из альдегидов и кетонов, из алкилбензола)
12.9 Химические реакции (кислотность, реакция с аммиаком, электролиз Кольбе, реакция Хелла-Фольхарда Зелинского. Замещение кольца)
Амины 13.4 Получение аминов (восстановление нитрилов, амидов, реакция бромамида Гофмана)
13.6 Химические реакции (реакция карбиламина, Ilinsbergtest. Электрофильное замещение)
13.9 Химические реакции солей диазония - реакция Сандмайера, реакция сочетания
Биомолекулы 14.11358 . 1 Классификация углеводов
14.1.2 Моносахариды (получение глюкозы из сахарозы)
14.1.3 Дисахариды (гликозидная связь, инвертный сахар)
14.1.4 Крахмал, гликоген
14.2.4 Денатурация белка
14.5.1 Химический состав нуклеиновых кислот
Полимеры 15.1 Классификация полимеров
Аддитивные и конденсационные полимеры (тефлон, нейлон 6,6, нейлон 6, ПВХ, полистирол, Полиэтен)
15.2.4 Каучук (Натуральный каучук, вулканизация)
15.4 Биоразлагаемые полимеры
Химия в повседневной жизни 16.3.1 Антацид
16.3.3 Неврологически активные препараты
16.3.4 Антимикробные препараты (антисептики, дезинфицирующие средства)

Plus Two Exam 2021 - Основные направления ZOOLOGY

Биоразнообразие и сохранение
Название группы Область фокусировки
Репродукция человека 3.1 Мужская репродуктивная система (расположение семенников и его значение; клетки, выстилающие семенные канальцы и их функция; система протоков)
3.2 Женская репродуктивная система ( Яйцевод, матка, значение девственной плевы)
3.3 Гайнетогенез (сперматогенез, оогенез, роль гормонов-ФСГ и ЛГ в сперматогенезе; структура сперматозоидов)
3.4 Менструальный цикл (с участием гормонов) 3.5 Оплодотворение и имплантация (место оплодотворения; морула; структура бластоцисты)
3.6 Беременность и эмбриональное развитие (Плацента, ХГЧ, hPL, релаксин)
3.7 Роды и лактация (молозиво)
Репродуктивное здоровье 4.1 Проблемы и стратегии репродуктивного здоровья (амниоцентез)
4.2 Демографический взрыв и контроль рождаемости (IMR, MMR; меры контроля рождаемости - естественные, барьерные, ВМС, оральные контрацептивы, хирургические методы.)
4.3 Медицинское прерывание беременности (что такое MTPjПочему MTP) 4.4 Заболевания, передающиеся половым путем (примеры ЗППП; меры во избежание ЗППП) 4.5 Бесплодие (вспомогательные репродуктивные технологии подробно)
Принципы наследования и вариации 5.1 Законы Менделя наследования (Табл. 5.1 Контрастные черты, изученные Mendel in Pea
5.2 Наследование одного гена (аллель, генотип, фенотип)
5.2.2.1 Неполное доминирование (только определение, соотношение и кросс)
5.2.2.2 Совместное доминирование (группа крови в Fable 5.3)
5.3.2 Хромосомная теория наследования (причины для выбора дрозофилы в качестве экспериментального материала Морганом)
5.4.1 Определение пола у людей
5.6.1 Анализ родословной
5.6.2 Менделирующие расстройства (серповидноклеточная анемия, гемофилия)
5.6.3 Хромосомные расстройства (синдром Дауна, синдром Клайнфельтера, Синдром Тернера)
Молекулярные основы наследования 6.1.1 Структура полинуклеотидной цепи (характерные особенности структуры двойной спирали ДНК; центральная догма)
6.1.2 Упаковка спирали ДНК - (Структура нуклеосомы - только диаграмма и объяснение; эухроматин; Heterochroniaiiu)
6.2 Поиск генетического материала (трансформирующий Принцип)
6.2.1 Генетический материал - ДНК (эксперимент Хершева-Чейза)
6.4.2 Механизм и ферменты (ДНК-зависимая ДНК-полимераза; репликационная вилка; ДНК-лигаза)
6.5.1 Единица транскрипции (промотор, терминатор, структурный Гена)
6.5.2 Единица транскрипции и ген (интроны. Экзоны)
6.6 Генетический код - основные характеристики
6.8.1 Lac Operon
6.9 Проект генома человека (расширение HGP, BAC и YAC)
6.10 Дактилоскопия ДНК (шаги; применение)
Эволюция 7.1 Происхождение жизни (эксперимент Ури-Миллера)
7.3 Каковы доказательства эволюции? (Гомологичные органы и аналогичные органы с egs; наблюдение, поддерживающее естественный отбор - бабочки в незагрязненных и загрязненных районах в Англии)
7.7 Принцип Харди Вайнберга (Уравнение; 5 факторов, влияющих на равновесие Харди Вайнберга)
7.9 Происхождение и эволюция человека (Только имена в последовательном порядке до Homo sapiens)
Здоровье человека и
болезни
8.1 Общие болезни людей (Брюшной тиф, Малярия)
8.2.1 Врожденный иммунитет (четыре типа барьеров)
8.2.2 Приобретенный иммунитет (диаграмма структуры молекулы антитела)
8.3 СПИД (передача; тест на СПИД; профилактика)
8.4 Рак (доброкачественная опухоль, злокачественная опухоль, Лечение рака)
8.5.3 Последствия злоупотребления наркотиками / алкоголем
Микробы в благосостоянии человека 10.1 Микробы в бытовых товарах (LAB)
10.2.3 Химические ферменты и другие биоактивные молекулы
10.5 Микробы как агенты биоконтроля - Bacillus thuringiensis, Trichoderma
15.1.2 (ii) Взаимосвязь между видами и площадью (график и уравнение)
15.1.3 Важность видового разнообразия для экосистемы (гипотеза Ривета Поппера)
15.1.4 Утрата биоразнообразия- (Причины утраты биоразнообразия / Злой квартет)
15.2.2 Как мы сохраняем биоразнообразие (сохранение in-situ, сохранение ex-situ)

Заметки и материалы по тематике 2021
Типовые листы вопросов для экзамена +2 март 2021 г.
Полный материал A + STUDY, заметки, видеокурсы для учащихся Plus Two

Plus Two Exam 2021 - Основные направления BOTANY

Название группы Область фокусировки
Размножение в организмах 1.1. Бесполое размножение
1.2.1. Гаметогенез
1.2.2. Оплодотворение.
Половое размножение у цветковых 2.2.1. Строение микроспорангия. Состав пыльцы
2.2.2. Мегаспорангий-структура, мегаспорогкнес, женский гаметофит
2.2.3. Классификация опыления на основе источника пыльцы (автогамия, гейтоногамия и ксеногамия) и агентов опыления (ветер, вода и насекомые - особенности с примерами) и искусственной гибридизации
2.3. Двойное внесение удобрений
2.4.2. Структура эмбриона
2.4.3. Фальшивые плоды, настоящие плоды и партенокарпические плоды
Стратегии увеличения производства продуктов питания 9.1.1. Управление молочной фермой
9.1.3. Пчеловодство
9.2. Селекция растений - основные этапы
9.2.4. Селекция растений для улучшения качества пищевых продуктов
9.3 S.C.P
9.4. Культура тканей
Биотехнология - принципы и процессы 11.2. Инструменты технологии рекомбинантной ДНК 11.2.1. Рестрикционные ферменты, гель-электрофорез.
11.3. Процессы технологии рДНК
11.3.3. Амплификация интересующего гена с помощью ПЦР, 11.3.5. Получение продукта чужеродного гена
Биотехнология и ее приложения 12.1. Биотехнологические применения в сельском хозяйстве - использование ГМО и Bt-хлопка
12.2.1. Генно-инженерный инсулин.
12.2.2. Генная терапия
Организмы и популяции 13 1.3. Адаптации - у организмов пустынь, полярных регионов и больших высот
13.2.1 Атрибуты населения - возрастные пирамиды и плотность населения
13.2.2. Прирост населения (до уравнения роста населения)
13.2.4. Взаимодействие популяций - паразитизм, комменсализм и мутуализм
Экосистема 14.2. Производительность
14.3. Разложение
14.4. Энергетический поток - пищевая цепочка, пищевая сеть и трофические уровни
14.5. Экологические пирамиды.
14.7. Круговорот питательных веществ - Круговорот фосфора
Экологические проблемы 16.2. Загрязнение воды и борьба с ним, БПК, цветение водорослей и эвтрофикация
16.6. Парниковый эффект и глобальное потепление
16.7. Разрушение озонового слоя в стратосфере
16.9. Вырубка леса

Плюс два экзамена 2021 - Основные направления ИСТОРИИ

и Раэбэй
Название тем Область фокусировки
Кирпичи, бусы и кости Стратегии выживания - Мохенджодаро - Планируемый городской центр - Социальные различия - Ремесленное производство - Добыча материалов - Печати, шрифт и утяжелители - Снижение
Короли, Фаннеры и города Возвышение Магадхи - Империя Маурьев - Новые представления о царстве - Города и торговля - Ограничения письменных свидетельств
Мыслители, верования и здания Жертвоприношения и дебаты - Будда - Ступашавира - Буддизм Махаяны.
Глазами путешественников Аль-Бируни - Ибн Баттута - Франсуа Бернье
Имперская столица - Виджаянагара Столица и ее окрестности - Королевский центр - Священный центр Лидеры и последователи - Слухи и пророчества - Образы восстания
Махатма Ганди и националистическое движение Ранняя борьба - Отказ от сотрудничества - Сальт Сатьяграха - Уйти из Индии
Керала К началу современности Социальная реформа - борьба за демократическое общество

Плюс два экзамена 2021 - Основные направления ПОЛИТИЧЕСКОЙ НАУКИ

Название глав Область фокусировки
Проблемы национального строительства 1.Вызовы для новой нации
2. Три вызова
3. Раздел - процесс и последствия
4. Интеграция княжеств
5. Реорганизация государств
Эра однопартийного господства 1. Вызовы построения демократии
2 . Доминирование Конгресса на первых трех всеобщих выборах
3. Характер доминирования Конгресса
4. Конгресс как социальная и идеологическая коалиция
5. Оппозиционные партии - Социалистическая партия, Коммунистическая партия Индии, Партия Сватантра, Бхаратия Джана Санг
Индия Внешние связи 1.Политика неприсоединения - роль Неру, расстояние от двух блоков, афро-азиатское единство
2. Мир и конфликт с Китаем
3. Войны и мир с Пакистаном
4. Ядерная политика Индии
Кризис демократического порядка 1. Предыстория чрезвычайной ситуации
Экономический контекст
Движения Гуджарата и Бихара
Конфликт с судебной властью
Объявление чрезвычайной ситуации
2. Последствия чрезвычайной ситуации
3. Споры относительно чрезвычайной ситуации - Что произошло во время чрезвычайной ситуации?
4.Уроки чрезвычайной ситуации
5. Выборы в Локсабху 1977 - Правительство Джанаты
Рост народных движений 1. Движение Чипко
2. Далит Пантеры
3. Бхаратия Кисанский союз
4. Анти-арракское движение
5. Нармада Бачао
6. Уроки народных движений
Региональные устремления 1. Джамму и Кашмир
2. Пенджаб
3. Северо-восток
4. Дравидийское движение
5. Уроки региональных устремлений
Конец биполярности 1.Советская система
2. Почему распалась советская система?
3. Последствия распада
4. Шоковая терапия - последствия

Плюс два экзамена 2021 - Основные направления СТАТИСТИКИ

  1. Значение корреляции,
    Типы корреляции - положительное, отрицательное, нулевое. Методы исследования корреляции - Диаграмма рассеяния, коэффициент корреляции. Коэффициент корреляции Карла Пирсона, ранговая корреляция Спирмена (только не повторяющиеся).
  2. Регрессионный анализ
    Понятие регрессии, линии регрессии, уравнение линий регрессии.Свойства коэффициентов регрессии. Выявление линий регрессии.
  3. Элементарное исчисление
    Первая производная и Вторая производная простых линейных функций. Максима и Минима (проблемы). Интеграция простых функций. Определенные интегралы
  4. Случайные величины
    Случайные величины - дискретные и непрерывные. Дискретные случайные переменные - вероятностная функция масс (pmf), кумулятивная функция распределения (cdf). Иметь в виду. Дисперсия и их свойства. Непрерывные случайные переменные - функция плотности вероятности (pdf), задачи, основанные на свойствах pdf.
  5. Дискретные распределения вероятностей
    Биномиальное распределение-pmf. среднее и дисперсия, задачи
    Распределение Пуассона - pmf, среднее и дисперсия, задачи
  6. Нормальное распределение
    Нормальная функция плотности вероятности, Среднее и дисперсия, Нормальная кривая и ее свойства, Стандартное нормальное распределение, Z-преобразование и Z-оценка, Стандартное нормальное Таблицы, простые задачи на основе стандартных таблиц.
  7. Выборочные распределения
    Параметр и статистика. Выборочное распределение.Среднее значение выборки (SRSWOR).
  8. Оценка параметров
    Статистический вывод, оценка параметров, точечная оценка, свойства хорошего оценщика - непредвзятость. Последовательность, достаточность и эффективность.
  9. Проверка гипотез
    Статистическая гипотеза. Статистика теста и критическая область. Ошибки типа I и типа II, уровень значимости и мощность теста, проверка значимости единственного среднего (только для большой выборки).
  10. Анализ отклонений
    Причины отклонений.Предположения, лежащие в основе дисперсионного анализа, односторонняя классификация с использованием таблицы дисперсионного анализа.
  11. Статистический контроль качества
    Значение качества, причины отклонений. Графики управления переменными (только xchart)
  12. Анализ временных рядов
    Компоненты временных рядов. Анализ тренда - метод полусредних, скользящих средних.
  13. Индексные номера
    Типы индексных номеров - простой индексный номер (Simple AM), простой агрегированный метод. Взвешенный индексный номер (индексные числа Ласпайра, Пааше, Фишера).Использование индексных номеров.

Plus Two Exam 2021- Основные направления БУХГАЛТЕРСКОГО УЧЕТА

ЧАСТЬ 1 - БУХГАЛТЕРСКИЙ УЧЕТ

  1. Учет для некоммерческих организаций
    Значение и характеристики некоммерческих организаций
    Бухгалтерские записи некоммерческих организаций
    Счет поступлений и платежей
    Счет доходов и расходов
    Различие между доходами и расходами A / c и Получение и оплата A / c
    Порядок подписки в финансовой отчетности некоммерческой организации
  2. Учет партнерства - основные концепции
    Характер партнерства
    Договор о партнерстве
    Положения Закона о партнерстве, относящиеся к бухгалтерскому учету
    Поддержание Счета операций с капиталом партнеров
    Различие между счетами с фиксированным и колеблющимся капиталом
    Счет распределения прибылей и убытков
  3. Восстановление партнерства - прием партнера
    Способы восстановления партнерской фирмы
    Допуск нового партнера
    Новый коэффициент распределения прибыли & Жертвуя ра tio
    Деловая репутация - факторы, влияющие на стоимость деловой репутации
    Методы оценки деловой репутации (средняя прибыль)
    Учет деловой репутации (когда новый партнер приносит деловую репутацию в денежной форме.)
    Корректировка накопленной прибыли и убытков
    Переоценка активов и переоценка обязательств
    Подготовка счета переоценки. Счет операций с капиталом и баланс партнеров
  4. R Создание партнерства - выход на пенсию и смерть партнера
    Новый коэффициент распределения прибыли и коэффициент прибыли
    Поправка на переоценку активов и обязательств
    Корректировка накопленной прибыли и убытков
    Выбытие причитающейся суммы Выходящий на пенсию партнер
    Подготовка ссудного счета партнера
    Смерть партнера - Расчет суммы, причитающейся умершему партнеру
  5. Прекращение партнерства фирмы
    Расторжение партнерства
    Роспуск фирмы
    Различие между роспуском партнерства и роспуском фирмы
    Подготовка реализации A / c

ЧАСТЬ II СЧЕТА КОМПАНИИ И АНАЛИЗ


ФИНАНСОВОЙ ОТЧЕТНОСТИ
  1. Учет акционерного капитала
    Характеристики и типы компаний
    Акционерный капитал и его категории
    Эмиссия акций - основные записи журнала
    Просроченные и отозванные авансы
    Эмиссия акций по номиналу и с премией
    Дополнительная подписка на акции (Исключая пропорционально)
    Конфискация и перевыпуск акций
  2. Выпуск и погашение долговых обязательств
    Значение и типы долговых обязательств
    Разница между акциями и долговыми обязательствами
    Выпуск долговых обязательств за денежные средства
  3. Финансовая отчетность компании
    Типы финансовой отчетности
    Баланс и счет прибылей и убытков
    Ограничение финансовой отчетности
  4. Анализ финансовой отчетности
    Цели анализа финансовой отчетности
    Инструменты анализа финансовой отчетности
    Сравнительная отчетность
    Отчетность общего размера
    Ограничение AFS
  5. Бухгалтерский учет Ra tios
    Значение, преимущества и ограничения анализа коэффициентов
    Коэффициент ликвидности (коэффициент текущей ликвидности)
    Коэффициент платежеспособности (коэффициент собственного капитала и коэффициент собственного капитала)
    Коэффициент активности (коэффициент оборачиваемости запасов и коэффициент оборачиваемости оборотного капитала)
    Коэффициент рентабельности (брутто) Коэффициент прибыли, коэффициент чистой прибыли)
  6. Отчеты о движении денежных средств
    Значение, цели и преимущества отчетов о движении денежных средств
    Классификация видов деятельности для отчетов о движении денежных средств
    Ограничение отчетов о движении денежных средств

Часть III КОМПЬЮТЕРИЗОВАННЫЙ УЧЕТ

  1. Обзор компьютеризированной системы бухгалтерского учета
    Особенности CAS
    Компоненты CAS
    Группировка счетов
    Кодификация счетов
    Достоинства и недостатки CAS.
  2. Электронная таблица
    Функции LibreOffice Calc
    Компоненты LibreOffice Calc
    Операции с таблицами
    Ссылки на ячейки
    Функции (Дата и время, статистические, логические и математические)
  3. Использование электронных таблиц в бизнес-приложениях
    Расчет заработной платы Учет активов
  4. Графики и диаграммы для бизнес-данных
    Столбчатая диаграмма, столбчатая диаграмма, круговая диаграмма, кольцевая диаграмма
    Преимущества графиков и диаграмм
  5. Пакет программного обеспечения для бухгалтерского учета - GNUKhata
    Создание организации
    Создание бухгалтерской книги
3 V
  • Система управления базами данных
    Компоненты СУБД
    Подготовка таблицы в режиме конструктора
  • Plus Two Exam 2021 - Основные направления БИЗНЕС-ИССЛЕДОВАНИЙ

    1. Характер и значение управления
      Особенности управления
      Характер управления
      Уровни управления
      Координация и элементы
    2. Принципы управления
      Принципы управления Файоля
      Методы научного управления
    3. Деловая среда
      Важность окружающей среды
      Размеры окружающей среды
      Промышленная политика 1991
      Либерализация, приватизация, глобализация
    4. Планирование
      Особенности планирования
      Шаги в планировании
      Типы планов
    5. Организационные
      Важность организации
      Организационная структура и типы 9030 и неформальная организация
      Делегирование и децентрализация
    6. Персонал
      Этапы укомплектования персоналом
      Источники приема на работу
      Отборочные тесты
      Методы обучения
    7. Руководство
      Eleme направления руководства - надзор, мотивация, лидерство, коммуникация
      Теория иерархии потребностей Маслоу
      Лидерство - качества хорошего лидера
      Коммуникация - процесс
      Барьеры коммуникации
    8. Контроллинг
      Шаги в контроле
      Исключительное управление
      Диапазон контроля
      Методы контроля
    9. Финансовый менеджмент
      Финансовые решения
      Структура капитала - Факторы
      Факторы, определяющие основной капитал
      Факторы, определяющие оборотный капитал
    10. Рынок капитала
      Денежный рынок - инструменты
      Рынок капитала - инструменты
      SEBI - Функции
    11. Управление маркетингом
      Маркетинг и продажи
      Функции маркетинга
      Комплекс маркетинга
      Ценообразование - факторы
      Продвижение и реклама
      Стимулирование сбыта
    12. Защита потребителей
      Права потребителей
      Название актов для потребителей mers
      Форумы по восстановлению в соответствии с CPA

    Plus Two March 2021 Model Question Papers

    Plus Два экзамена 2021 - Основные направления КОМПЬЮТЕРНЫХ НАУК

    Глава Область фокусировки
    1.Структуры и указатели Концепция структуры и пример, Определение указателя, Использование операторов & и *, Статическое выделение динамической памяти V / s, операторы new и delete
    2. Концепция объектно-ориентированного программирования POP V / s ООП, пять концепций ООП
    3. Структуры данных и операции Классификация структур данных. Операции со структурами данных, понятие стека, очередь (только линейная) и связанный список. Push и Pop операции с алгоритмами.
    4. Веб-технологии Статические и динамические веб-страницы, Сравнение клиентских и серверных скриптов, Структура HTML-кода, Контейнерные теги и пустые теги, Общие атрибуты тега , Использование важных тегов (Заголовки ,
    ,

    ,


    , теги форматирования текста, , , ). Необходимо учитывать только основные атрибуты.
    5. Веб-дизайн с использованием HTML Список (упорядоченный, неупорядоченный, определение), тег Ir4d, атрибут HREF.Определение внутренних и внешних ссылок, теги таблиц, перечисление и использование элементов управления вводом в форме, вопросы кодирования могут быть сосредоточены только на простых списках и простых таблицах.
    6. Сценарии на стороне клиента с использованием JavaScript тег