Site Loader

Содержание

Светодиод — это… Что такое Светодиод?


Элемент — Светодиод

Тип — Активный электронный элемент

Принцип работы — Электролюминесценция

Изобретён — Олег Лосев (1927), Ник Холоньяк (1962)

Впервые создан — 1962

Символьное обозначение —

Пин конфигурация — Анод и Катод

Светодиодная лампа

Светодио́д или светоизлучающий диод (СД, СИД, LED англ. Light-emitting diode) — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока. Излучаемый свет лежит в узком диапазоне спектра. Его спектральные характеристики зависят во многом от химического состава использованных в нём полупроводников.

Иными словами, кристалл светодиода излучает конкретный цвет (если речь идёт об СД видимого диапазона), в отличие от лампы, излучающей более широкий спектр и где конкретный цвет отсеивается внешним светофильтром.

В 1907 году Генри Джозеф Раунд впервые открыл и описал электролюминесценцию, обнаруженную им при изучении прохождения тока в паре металл — карбид кремния (карборунд, SiC), и отметил жёлтое, зелёное и оранжевое свечение на катоде.

Эти эксперименты были позже, независимо от Раунда, повторены О. В. Лосевым в 1923 году, который, экспериментируя с выпрямляющим контактом из пары карборунд — стальная проволока, обнаружил в точке контакта двух разнородных материалов слабое свечение — электролюминесценцию полупроводникового перехода (в то время понятия «полупроводниковый переход» ещё не существовало). Это наблюдение было опубликовано, но тогда весомое значение этого наблюдения не было понято и потому не исследовалось в течение многих десятилетий.

Вероятно, первый светодиод, излучающий свет в видимом диапазоне спектра, был изготовлен в 1962 году в Университете Иллинойса группой, которой руководил Ник Холоньяк.

При пропускании электрического тока через p-n переход в прямом направлении, носители заряда — электроны и дырки — рекомбинируют с излучением фотонов (из-за перехода электронов с одного энергетического уровня на другой).

Не все полупроводниковые материалы эффективно испускают свет при рекомбинации. Лучшие излучатели относятся к прямозонным полупроводникам (то есть таким, в которых разрешены прямые оптические переходы зона-зона), типа AIIIBV (например, GaAs или InP) и AIIBVI (например, ZnSe или CdTe). Варьируя состав полупроводников, можно создавать светодиоды для всевозможных длин волн от ультрафиолета (GaN) до среднего инфракрасного диапазона (PbS).

Диоды, сделанные из непрямозонных полупроводников (например, кремния, германия или карбида кремния), свет практически не излучают. Впрочем, в связи с развитием кремниевой технологии, активно ведутся работы по созданию светодиодов на основе кремния. Советский жёлтый светодиод КЛ 101 на основе карбида кремния выпускался ещё в 70-х годах, однако имел очень низкую яркость.

В последнее время большие надежды связываются с технологией квантовых точек и фотонных кристаллов.

История

Олег Лосев, советский физик, обнаруживший электролюминесценцию в карбиде кремния

Первое известное сообщение об излучении света твёрдотельным диодом было сделано в 1907 году британским экспериментатором Генри Раундом из Маркони Лабс.

В 1961 году Роберт Байард и Гари Питтман из компании Texas Instruments открыли и запатентовали технологию инфракрасного светодиода.

Первый в мире практически применимый светодиод, работающий в световом (красном) диапазоне, разработал Ник Холоньяк в компании General Electric в 1962 году. Холоньяк, таким образом, считается «отцом современного светодиода». Его бывший студент, Джордж Крафорд, изобрёл первый в мире жёлтый светодиод и улучшил яркость красных и красно-оранжевых светодиодов в 10 раз в 1972 году. В 1976 году Т.Пирсол создал первый в мире высокоэффективный светодиод высокой яркости для телекоммуникационных применений, изобретя полупроводниковые материалы, специально адаптированные к передачам через оптические волокна.

Светодиоды оставались чрезвычайно дорогими вплоть до 1968 года (около $200 за штуку), их практическое применение было ограничено. Компания «Монсанто» была первой, организовавшей массовое производство светодиодов, работающих в диапазоне видимого света и применимых в индикаторах. Компании «Хьюллет-Паккард» удалось использовать светодиоды в своих ранних массовых карманных калькуляторах.

Вплоть до начала 1970-х годов американскими учёными светодиоды назывались «Losev Light» «Свет Лосева». В силу того, что в СССР в 1960-е годы такие науки, как кибернетика, генетика были в загоне, то таким мелочам, как светодиоды не уделялось должного внимания как со стороны академии наук, так и со стороны патентных организаций СССР. Постепенно название «Losev Light» упоминалось реже и реже, и постепенно забылось.

Вклад советских учёных

Хотя люминесценцию в карбиде кремния впервые наблюдал Раунд в 1907 году, Олег Лосев в Нижегородской радиолаборатории в 1923 г. показал, что она возникает вблизи спая[1].

Теоретического объяснения явлению тогда не было.

Виды светодиодов
Светодиод с пластиковой оболочкой-корпусом. Светодиодный фонарь (панель) для сценического направленного освещения. Современный люминофорный светодиод в ручном электрическом фонаре. Яркость свечения сравнима с яркостью лампы накаливания мощностью 15 Вт. Современные мощные сверх-яркие светодиоды на теплоотводящей пластине с контактами для монтажа.

О. В. Лосев вполне оценил практическую значимость своего открытия, позволявшего создавать малогабаритные твёрдотельные (безвакуумные) источники света с очень низким напряжением питания (менее 10 В) и очень высоким быстродействием. Полученные им два авторских свидетельства на «Световое реле» (первое заявлено в феврале 1927 г.) формально закрепили за СССР приоритет в области светодиодов

[2], утраченный в 1960-гг. в пользу США после изобретения современных светодиодов, пригодных к практическому применению.

Характеристики

Обозначение светодиода в электрических схемах

Вольт-амперная характеристика светодиодов в прямом направлении нелинейна. Диод начинает проводить ток начиная с некоторого порогового напряжения. Это напряжение позволяет достаточно точно определить материал полупроводника.

Современные сверхъяркие светодиоды обладают менее выраженной полупроводимостью, чем обычные диоды. Высокочастотные пульсации в питающей цепи (т.н. «иголки») и выбросы обратного напряжения приводят к ускоренному деградированию кристалла. Скорость деградирования также зависит от питающего тока (нелинейно) и температуры кристалла (нелинейно).

В этой статье не хватает ссылок на источники информации. Информация должна быть проверяема, иначе она может быть поставлена под сомнение и удалена.
Вы можете отредактировать эту статью, добавив ссылки на авторитетные источники.
Эта отметка установлена 26 апреля 2012.

Цвета и материалы полупроводника

Обычные светодиоды изготавливаются из различных неорганических полупроводниковых материалов, в следующей таблице приведены доступные цвета с диапазоном длин волн, падение напряжения на диоде, и материал:

Цвет длина волны (нм) Напряжение (В) Материал полупроводника
Инфракрасный λ > 760 ΔU < 1.9 Арсенид галлия (GaAs)
Алюминия галлия арсенид (AlGaAs)
Красный 610 < λ < 760 1.63 < ΔU < 2.03 Алюминия-галлия арсенид (AlGaAs)
Галлия арсенид-фосфид (GaAsP)
Алюминия-галлия-индия фосфид (AlGaInP)
Галлия(III) фосфид (GaP)
Оранжевый 590 < λ < 610 2.03 < ΔU < 2.10 Галлия фосфид-арсенид (GaAsP)
Алюминия-галлия-индия фосфид (AlGaInP)
Галлия(III) фосфид (GaP)
Жёлтый 570 < λ < 590 2. 10 < ΔU < 2.18 Галлия арсенид-фосфид (GaAsP)
Алюминия-галлия-индия фосфид (AlGaInP)
Галлия(III) фосфид (GaP)
Зелёный 500 < λ < 570 1.9[3] < ΔU < 4.0 Индия-галлия нитрид (InGaN) / Галлия(III) нитрид (GaN)
Галлия(III) фосфид (GaP)
Алюминия-галлия-индия фосфид (AlGaInP)
Алюминия-галлия фосфид (AlGaP)
Голубой 450 < λ < 500 2.48 < ΔU < 3.7 Селенид цинка (ZnSe)
Индия-галлия нитрид (InGaN)
Карбид кремния (SiC) в качестве субстрата
Кремний (Si) в качестве субстрата — (в разработке)
Фиолетовый 400 < λ < 450 2.76 < ΔU < 4.0 Индия-галлия нитрид (InGaN)
Пурпурный Смесь нескольких спектров 2.48 < ΔU < 3.7 Двойной: синий/красный диод,
синий с красным люминофором,
или белый с пурпурным пластиком
Ультрафиолетовый λ < 400 3. 1 < ΔU < 4.4 Алмаз (235 nm)[4]

Нитрид бора (215 nm)[5][6]
Нитрид алюминия (AlN) (210 nm)[7]
Нитрид алюминия-галлия (AlGaN)
Нитрид алюминия-галлия-индия (AlGaInN) — (down to 210 nm)[8]

Белый Широкий спектр ΔU ≈ 3.5 Синий/ультрафиолетовый диод с люминофором;

Стоимость

Стоимость мощных светодиодов, применяемых в портативных прожекторах и автомобильных фарах, на сегодняшний день довольно высока — порядка 8-10$ и более за штуку. Как правило, в небольших фонариках и бытовых лампах-сборках используется несколько десятков не слишком мощных светодиодов.

К началу 2011 года стоимость мощных (1 Вт и более) светодиодов снизилась и начинается от 0,9 $. Стоимость сверхмощных (10Вт и более P7 и CREE M-CE 15-20$ CREE XM-L 10W 1000Lm) составляет порядка 10$.

Преимущества

По сравнению с другими электрическими источниками света (преобразователями электроэнергии в электромагнитное излучение видимого диапазона), светодиоды имеют следующие отличия:

  • Высокая световая отдача. Современные светодиоды сравнялись по этому параметру с натриевыми газоразрядными лампами[9] и металлогалогенными лампами, достигнув 150 Люмен на Ватт.
  • Высокая механическая прочность, вибростойкость (отсутствие нити накаливания и иных чувствительных составляющих).
  • Длительный срок службы — от 30000 до 100000 часов (при работе 8 часов в день — 34 года). Но и он не бесконечен — при длительной работе и/или плохом охлаждении происходит «отравление» кристалла и постепенное падение яркости.
  • Спектр современных светодиодов бывает различным — от тёплого белого = 2700 К до холодного белого = 6500 К.
  • Малая инерционность — включаются сразу на полную яркость, в то время как у ртутно-фосфорных (люминесцентных-экономичных) ламп время включения от 1 сек до 1 мин, а яркость увеличивается от 30% до 100% за 3-10 минут, в зависимости от температуры окружающей среды.
  • Количество циклов включения-выключения не оказывают существенного влияния на срок службы светодиодов (в отличие от традиционных источников света — ламп накаливания, газоразрядных ламп).
  • Различный угол излучения — от 15 до 180 градусов.
  • Низкая стоимость индикаторных светодиодов, но относительно высокая стоимость при использовании в освещении, которая снизится при увеличении производства и продаж.
  • Безопасность — не требуются высокие напряжения, низкая температура светодиода или арматуры, обычно не выше 60 градусов Цельсия.
  • Нечувствительность к низким и очень низким температурам. Однако, высокие температуры противопоказаны светодиоду, как и любым полупроводникам.
  • Экологичность — отсутствие ртути, фосфора и ультрафиолетового излучения в отличие от люминесцентных ламп.

Применение светодиодов

Применение светодиодов
Комнатное освещение В светофорах В автомобильных фарах
  • В уличном, промышленном, бытовом освещении (в т. ч. светодиодная лента)
  • В качестве индикаторов — как в виде одиночных светодиодов (например, индикатор включения на панели прибора), так и в виде цифрового или буквенно-цифрового табло (например, цифры на часах)
  • Массив светодиодов используется в больших уличных экранах, в бегущих строках. Такие массивы часто называют светодиодными кластерами или просто кластерами
  • В оптопарах
  • Мощные светодиоды используются как источник света в фонарях и светофорах
  • Светодиоды используются в качестве источников модулированного оптического излучения (передача сигнала по оптоволокну, пульты ДУ, светотелефоны, интернет[10])
  • В подсветке ЖК-экранов (мобильные телефоны, мониторы, телевизоры и т. д.)
  • В играх, игрушках, значках, USB-устройствах и прочее.
  • В светодиодных дорожных знаках.
  • В гибких ПВХ световых шнурах Дюралайт.

Органические светодиоды — OLED

OLED дисплей Основная статья: OLED

Многослойные тонкоплёночные структуры, изготовленные из органических соединений, которые эффективно излучают свет при пропускании через них электрического тока. Основное применение OLED находит при создании устройств отображения информации (дисплеев). Предполагается, что производство таких дисплеев будет гораздо дешевле, чем жидкокристаллических.

Главная проблема для OLED — время непрерывной работы, которое должно быть не меньше 15 тыс. часов. Одна из проблем, которая в настоящее время препятствует широкому распространению этой технологии, состоит в том, что «красный» OLED и «зелёный» OLED могут непрерывно работать на десятки тысяч часов дольше, чем «синий» OLED. Это визуально искажает изображение, причём время качественного показа неприемлемо для коммерчески жизнеспособного устройства. Хотя сегодня «синий» OLED все-таки добрался до отметки в 17,5 тыс. часов непрерывной работы.

Дисплеи из органических светодиодов применяются в последних моделях сотовых телефонов, GPS-навигаторах, для создания приборов ночного видения.

Производство

Наиболее[источник не указан 41 день] крупным производителем светодиодов в мире является компания «Siemens» со своими дочерними предприятиями «Osram Opto Semiconductors» и «Osram Sylvania».

Также крупным производителем светодиодов является «Royal Philips Electronics», политика которого заключается в приобретении компаний, изготавливающих светодиоды. Так, «Hewlett-Packard» в 2005 году продал компании «Philips» своё подразделение Lumileds Lighting, а в 2006 были приобретены «Color Kinetics» и «TIR Systems» — компании с широкой технологической сетью по производству светодиодов с белым спектром излучения.

«Nichia Chemical» — подразделение компании Nichia Corporation, где были впервые разработаны белый и синий светодиоды. На текущий момент ей принадлежит лидерство в производстве сверхъярких светодиодов: белых, синих и зелёных. Помимо вышеперечисленных гигантов, следует также отметить следующие компании: Cree, Emcore Corp., Veeco Instruments, Seoul Semiconductor и Germany’s Aixtron, занимающиеся производством чипов и отдельных светодиодов.

Крупнейшими[11] производителями светодиодов в России и Восточной Европе являются компании «Оптоган» и «Светлана-Оптоэлектроника». «Оптоган» создана при поддержке ГК «Роснано». Производственные мощности компании расположены в Санкт-Петербурге. «Оптоган» занимается производством как светодиодов, так и чипов и матриц, а также участвует во внедрении светодиодов для общего освещения.
«Светлана-Оптоэлектроника» (г.Санкт-Петербург) — объединяет предприятия, которые осуществляют полный технологический цикл разработки и производства светодиодных систем освещения: от эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур до сложных автоматизированных систем интеллектуального управления освещением.
Также крупным предприятием по производству светодиодов и устройств на их основе можно назвать завод Samsung Electronics в Калужской области.

См. также

Примечания

Ссылки

Освещение растений белыми светодиодами — проверочная работа / Хабр

Эта статья написана под впечатлением от другой статьи на GT, о чем говорит похожее название. Дело в том, что этой темой я интересуюсь лет двенадцать и потому

статьяiva2000

вызвала довольно живой отклик в моем сознании. Результаты и выводы меня почти убедили, но остались моменты, с которыми я не согласен. Решил всё пересчитать и так как результат получился довольно объемный, я решил написать его в виде отдельной статьи, а не комментария.

Прочитав заголовок и вступление, я был настроен критически. Еще бы! Я сам производил расчеты, куча людей производит и использует специальные фитолампы (не только светодиодные — посмотрите на люминесцентные светильники в любом цветочном магазине!), а тут некто заявляет, мол, всё это туфта, белые светодиоды не хуже. Но ознакомившись до конца, я свое мнение изменил и понял что в этом мнении есть существенная доля истины, но надо разбираться… Всем кто не читал эту статью — убедительная просьба ознакомиться для лучшего понимания, т.к. для сокращения объема и исключения дублирования информации я буду только ссылаться на данные указанной статьи, но не повторять их. Остальные же — давайте продолжим!

Итак, сначала, что же мне показалось спорным.

1. В указанной статье приводится кривая фотосинтетической активности света McCree, которая означает прибавку биомассы растением при освещении его светом узкой полосы, но почему-то отметается её значение вовсе под предлогом, что «в широкой полосе разница будет незначительной). В разделе „Результаты анализа спектров серийных белых светодиодов“ под пунктом 3 и вовсе приведена формула расчета энергетической ценности света с использованием ДВУХ интересных параметров — это ɳ — световая отдача в лм/Вт и Ra — индекс цветопередачи.

Обе этих величины имеют жесткую привязку к другой кривой, которая называется „фотопической“. Это кривая чувствительности человеческого глаза к свету. Чтобы не быть голословным, посмотрим на картинку:

Они едва ли похожи друг на друга, верно? Поясню, что люмены измеряются датчиком, имеющим чувствительность, строго соответствующую приведенной фотопической кривой. А фотосинтез осуществляется в соответствии с приведенной кривой McCree (она и есть гоафическое отображение интенсивности фотосинтеза в зависимости от длины волны). И, как вы уже заметили, кривых на рисунке две. Одна из них — нормирована к числу фотонов, а вторая к мощности излучателя, что в обсуждаемой статье даже не упомянуто. Уважаемый автор приводит кривую нормированную по числу фотонов, но не указывает этого и в дальнейшем не использует её, а использует кривую чувствительности глаза человека. Но, простите, причем здесь тогда фотосинтез? Либо не использовать никакую кривую и считать все фотоны равнозначными либо использовать ту, которая соответствует изучаемому процессу! Индекс цветопередачи же — это вообще некий виртуальный показатель, который говорит — на сколько точно будут переданы цвета (фотографии, ткани и т.п.) при освещении их данным источником света. Т.е. тоже никакого отношения к фотосинтезу не имеет. Т.е. приведенная формула является слишком грубым приближением чтобы оценить реальное качество источников со сложным спектром излучения!

Дальше-больше! Я проверил расчетные значения ФАР в мкмоль/дж, которые автор приводит в таблице с помощью приведенной им же формулы и получилось вообще черте что:

Цифры вообще не те и отличаются в разы от приведенных. Неужели автор не проверял свои же данные для статьи? Это меня никак не устроило и я сделал расчет как положено — без странных формул с не понятно откуда взятыми коэффициентами и параметрами, относящимися к другой области применения.

Для начала цифруем картинки всевозможных графиков и загоняем их в табличный процессор. Оп!

Затем делаем так. Сначала рассчитаем коэффициент фотосинтетической активности для каждого источника. Для этого для выбранного источника умножаем мощность излучения на каждой длине волны на число из графика McCree, для той же длины волны. Затем подсчитываем интеграл (сумму) мощности для исходного графика и результата перемножения. Делим второе на первое — получаем коэффициент, означающий эффективную долю излучения для данного источника (ту, которая примет участие в фотосинтезе):

Вот, уже можно сделать предварительные выводы!

1. ДНаТ — это супер для освещения растений! Эффективность его спектра достигает 79% и это для лампы, которую первоначально проектировали в общем-то не для этого, а для освещения автомагистралей и промышленных объектов.
2. Фитолампы не смотря на „специальный“ спектр не превосходят обычные белые светодиоды с цветовой температурой 4000К и не сильно лучше „холодно-белых“ 6000К.
3. Светодиоды красного (обычного) и дальнего красного вообще вне конкуренции.
4. Получается, что если хочется выжать всё из каждого ватта освещения, нужно брать обычные красные светодиоды (излучатели дальнего красного — почти в 2 раза дороже), а если хочется сэкономить в цене аппаратуры — нужно брать белые светодиоды.

Но, как я уже сказал, выводы эти предварительные и основаны только на оценке эффективности спекра источников, без учета их кпд и некоторых других моментов. Поэтому разбираемся дальше.

Что же будет, если учесть КПД источников? Данные о КПД взяты частично из статьи iva2000, а по красным светодиодам я точных данных не нашел, но в старых моих записях по данным литературы были числа меньше чем для синих светодиодов, т.к. в последнее время всё развитие технологии было направлено именно на светодиоды синего свечения, а другие оставались в хвосте прогресса.

По большому счету их цифры взяты наобум, но они в данном случае не играют основную роль, поэтому хватит об этом. И если кто-то сообщит более достоверные данные, я буду только благодарен.

Вот тут-то расстановка сил уже меняется!

Оказывается, светодиоды с CCT 4000К лучше даже ДНаТ! Причем, если для 1000 Ваттной лампы преимущество это не существенное, то для натриевых ламп малой мощности (100Вт) преимущество уже достигает 2,4 крат! А фитолампа — бесполезная трата денег — она уступает обычным белым светодиодам на 25%! Вот тебе и фитолампа!

И чтобы уже всё сделать предельно точно, считаем на фотоны по формуле:

Где h- постоянная Планка, c — скорость света.

Но число фотонов нам не нужно, поэтому чтобы перевести все в моли, делим всё на число Авогадро и умножаем на миллион для представления в микромолях.

Вот теперь можно сделать окончательные выводы:

1. ДНаТ имеет сравнимую эффективность только при использовании ламп большой мощности (600-1000Вт). Если Вы хозяин крупного тепличного хозяйства, то по совокупности эксплуатационных характеристик лампы на киловатт — Ваш выбор! Затраты на установку освещения и замену ламп будут существенно ниже, а затраты на электроэнергию приблизительно одинаковы со светодиодами. Малое количество синих лучей в спектре ламп компенсируется наоборот высоким их количеством в естественном свете, особенно зимой (цветовая температура неба достигает 15000К!) — это как раз ситуация с теплицами, когда досветка включается утром и вечером, а днем используется естественное освещение.

2. Наиболее эффективны светодиоды с цветовой температурой 4000К. 100 Ваттная светодиодная лампа дает на 43% больше фитоактивного излучения чем лампа ДНаТ той же мощности! Цена, как ни странно, тоже на стороне светодиодов — цена лампы ДНаЗ на момент написания статьи — чуть больше 1000р., в то время как светодиоды с той же мощностью на алиэкспрессе идут за 360р. (в исполнении COB — много чипов на одной подложке)! Это еще не считая балласта в обоих случаях. Если вы растите зелень на подоконнике или в гроубоксе, то белые светодиоды — вне всякой конкуренции. Достаточно один раз купить хорошие светодиоды и их обвязку и вы обеспечены отличным экономичным освещением на годы.


3.

Фитолампы. Я изначально был другого мнения, но основываясь на данных о практическом использовании белых светодиодов из статьи iva2000, подтвержденных теперь собственным исследованием приходится констатировать, что они не дают никакого преимущества по энергоэффективности или по качеству выращенных растений, а всё с точностью до наоборот! Скрипач не нужен!

* Небольшое пояснение по фигурировавшим в таблицах комбинациям белых светодиодов с красными. Я для интереса рассмотрел вариант освещения, когда в дополнение к белым светодиодам дополнительно устанавливаются обычные красные или специальные с дальним красным спектром свечения (в пропорции 3:1 по мощности). Это бывает необходимо для стимуляции цветения. Если вы разводите цветочки или землянику или другие растения, у которых цветение или плодообразование является основной целью, это может быть оправдано. Если вы растите салат и петрушку, то вряд ли стоит заморачиваться — красные светодиоды дороже белых раза в 2,5, а специальные „фито“ с дальним красным — в 4 раза! Если цель — нарастить зеленой массы за минимальные деньги, лучше взять еще один или даже два белых светодиода — будет лучше и дешевле! Только не стоит загонять бедные диоды в гроб — зная любовь китайских товарищей к завышению параметров, нужно следить, чтобы при работе основание светодиодов грелось как можно меньше — позаботиться об эффективном теплоотводе и ограничивать рабочий ток. Лучше купить на 20% больше диодов и пустить на них на 20% меньший ток и таким образом в разы увеличить их время жизни, чем навалить на полную катушку и через год получить 50% первоначального светового потока и половину нерабочих корпусов!

В целом нельзя не отметить, что революция в малом растениеводстве свершилась и это не может не радовать! Ко мне сейчас едут несколько мощных светодиодов и если со свободным временем всё сложится, то в продолжении будет практический результат в дополнении к этой сугубо теоретической части.

PS: Друзья! Большое спасибо за положительную оценку моей небольшой, но я очень надеюсь полезной для всех работы! Мне интересно пообщаться на эту тему и ответить на все вопросы, по ней, в рамках объема моих знаний. Так что не стесняйтесь — заходите в обсуждение. Особенно приветствуются дополнения и ссылки на другую информацию, которые могли бы восполнить возможные пробелы в этом материале!

Использованные материалы

%d0%a1%d0%b2%d0%b5%d1%82%d0%be%d0%b4%d0%b8%d0%be%d0%b4 — robotrack-llc/trackduino-pro-micropython Wiki

Модуль trackduino. executor.led предоставляет API для обращения к модулям светодиода и встроенному светодиоду — полупроводниковым элементам, создающим оптическое излучение при пропускании через них электрического тока в прямом направлении.

Модуль светодиода использует стандартный 3-пиновый разъем и подключается в один из портов OUT платформы Trackduino Pro.

Конструктор

class trackduino.executor.led.LED(pin[, mode])

Параметры

  • pin : Идентификатор OUT-порта, к которому подключен светодиод. Используйте один из Pin.Out;
  • mode : Режим работы светодиода. Используйте один из LED.Mode.

Исключения

  • ValueError, если указан режим LED.Mode.ANALOG, а указанный пин не поддерживает ШИМ;
  • ValueError, если указан неверный режим.

Методы

LED.on([value])

Включает светодиод.

Параметры
  • value : Яркость светодиода (в процентах [0-100]). По умолчанию, равна указанной ранее яркости (после инициализации == 100). Если режим светодиода установлен в LED.Mode.DIGITAL, то процент яркости отображается в диапазон [0-1] с арифметическим округлением в одно из двух значений: 0 или 1.

LED.off()

Выключает светодиод.

Свойства

LED.value

Аксессор для получения и установления значения яркости светодиода.

Использование
>>> led.value
100
>>> led.on()
>>> led.value = 50
>>> led.value
50
>>> led.on(30)
>>> led.value
50

Класс LED.Mode содержит идентификаторы режимов работы светодиода.

Константы

  • DIGITAL — цифровой. Поддерживает только 2 состояния:
    • Включено;
    • Выключено;
  • ANALOG — аналоговый. Поддерживает контроль яркости (в процентах [0-100]).

Класс RGBLED реализует работу трехцветного светодиода.

Конструктор

class trackduino.executor.led.RGBLED()

По умолчанию, цвет светодиода установлен в белый — RGBLED.Color.WHITE.

Методы

RGBLED.on([color])

Включает светодиод с указанным цветом color. Если цвет не указан, включает светодиод с ранее указанным цветом.

Параметры
  • color : Цвет светодиода. Используйте один из RGBLED.Color. По умолчанию, равен ранее указанному цвету. Не меняет значение установленного цвета.

RGBLED.off()

Выключает светодиод

Свойства

RGBLED.color

Аксессор для получения и установления значения цвета светодиода.

Использование
>>> rgbled.color == RGBLED.Color.WHITE
True
>>> rgbled.on(RGBLED. Color.RED)
>>> rgbled.color == RGBLED.Color.RED
False
>>> rgbled.color = RGBLED.Color.BLUE
>>> rgbled.color == RGBLED.Color.BLUE
True

Класс

RGBLED.Color

Содержит константы цветов, допустимых для использования с трехцветным светодиодом.

Константы

  • BLACK;
  • RED;
  • GREEN;
  • BLUE;
  • YELLOW;
  • PURPLE;
  • CYAN;
  • WHITE.

Класс BuiltinLED предоставляет API для обращения к встроенному в платформу Trackduino Pro светодиоду. Этот класс унаследован от класса RGBLED и поддерживает весь его интерфейс.

Конструктор

Класс BuiltinLED обернут в декоратор @singleton, поэтому обращение к нему должно осуществляться через конструктор:

class trackduino.executor.led.BuiltinLED()

Использование

>>> BuiltinLED(). color == BuiltinLED().Color.WHITE
True
>>> BuiltinLED().on(BuiltinLED().Color.RED)
>>> BuiltinLED().color == BuiltinLED().Color.RED
False
>>> BuiltinLED().color = BuiltinLED().Color.BLUE
>>> BuiltinLED().color == BuiltinLED().Color.BLUE
True

Светлый угол — светодиоды • WikiPedia and WikiLeaks?

Вниманию гостей и жителей нашего форума !

WikiPedia and WikiLeaks?

CoxeroInose » 11 янв 2011, 05:24

What connection, if any, is there between WikiPedia and WikiLeaks?

CoxeroInose
 


Re: WikiPedia and WikiLeaks?

kulibin » 11 янв 2011, 11:55

Блин, а чего делать ?

Не спрашивай Россию — что она для тебя сделала. Спроси себя — что ты сделал для нее.


kulibin
Scio me nihil scire
 
Сообщений: 19240
Зарегистрирован: 18 дек 2009, 03:34
Откуда: Барнаул
Благодарил (а): 60 раз.
Поблагодарили: 1054 раз.

Re: WikiPedia and WikiLeaks?

изобретатель » 11 янв 2011, 12:42

Имена русские может вводить , они все по импортному себя называют Нет ничего невозможного, если хорошо подумать
http://led-str.ru

изобретатель
Scio me nihil scire
 
Сообщений: 8038
Зарегистрирован: 01 сен 2010, 10:36
Откуда: Стерлитамак
Благодарил (а): 92 раз.
Поблагодарили: 416 раз.

Re: WikiPedia and WikiLeaks?

ilkose » 11 янв 2011, 14:13

Так это переименовываться всем надо


ilkose
Scio me nihil scire
 
Сообщений: 2162
Зарегистрирован: 27 дек 2009, 22:37
Откуда: Новоалтайск
Благодарил (а): 46 раз.
Поблагодарили: 89 раз.


Re: WikiPedia and WikiLeaks?

vlad54 » 12 янв 2011, 02:47

Сделать отдельный раздел «Спамер»

vlad54
Искра знания
 
Сообщений: 900
Зарегистрирован: 22 апр 2010, 12:28
Откуда: г. Хабаровск
Благодарил (а): 3 раз.
Поблагодарили: 15 раз.

Re: WikiPedia and WikiLeaks?

016 » 12 янв 2011, 04:35

да регистрацию сделай по мылу модеру и все

www.eot.su — виртуальный клуб «Суть времени»
vprirode.ru — Энергосберегающая квартирная вентиляция УВРК-50. Сургут

016
Scio me nihil scire
 
Сообщений: 1744
Зарегистрирован: 18 дек 2009, 16:19
Откуда: сургут
Благодарил (а): 2 раз.
Поблагодарили: 8 раз.

Re: WikiPedia and WikiLeaks?

kulibin » 12 янв 2011, 04:42

Ломает, забыл что там как в админке, попозже

Не спрашивай Россию — что она для тебя сделала. Спроси себя — что ты сделал для нее.


kulibin
Scio me nihil scire
 
Сообщений: 19240
Зарегистрирован: 18 дек 2009, 03:34
Откуда: Барнаул
Благодарил (а): 60 раз.
Поблагодарили: 1054 раз.

Re: WikiPedia and WikiLeaks?

016 » 12 янв 2011, 04:49

они конечно и так пролазить будут… но думаю не в таких количествах… хотя гемора конечно прибавится www.eot. su — виртуальный клуб «Суть времени»
vprirode.ru — Энергосберегающая квартирная вентиляция УВРК-50. Сургут

016
Scio me nihil scire
 
Сообщений: 1744
Зарегистрирован: 18 дек 2009, 16:19
Откуда: сургут
Благодарил (а): 2 раз.
Поблагодарили: 8 раз.


Вернуться в Объявления

Кто сейчас на форуме

Зарегистрированные пользователи: 3Dservice, БАЛАБОЛ, Aleksandr_A, Bing [Bot], Brumor, BVlad, Corroner, Светочъ, dozator, Google [Bot], Google Adsense [Bot], Google Feedfetcher, ivanko, kentik, kulibin, Ledsvet2017, Leonid06, mailru, mnv, nacnopt, ramsprint, recolt, skal, torg, Vladimir-city, Пашка177, Мифодий, Яндексбот



Electroluminiscencia — Wikipedia, la enciclopedia libre

Espectro de una fuente electroluminiscente azul-verde para un radio reloj (аналогично al de la imagen de arriba). La longitud de onda del maximo del pico es de 492 nm, y su ancho en altura media del orden de 85 nm, es decir, relativamente ancho.

La electroluminiscencia es un fenómeno óptico y eléctrico en el cual un material emite luz en respuesta a una corriente eléctrica que fluye a través de el, o por causa de la fuerza de un campo eléctrico.Debe distinguirse де ла emisión де luz пор causa де ла температуры (incandescencia), por causa де ла acción де productos quimicos (quimioluminiscencia) о де otros fenómenos que también pueden generar luz. Se pueden encontrar ejemplos de la electroluminiscencia en las bombillas fluorescentes y LED, que están dentro de la rama de las fuentes luminiscentes.

La electroluminiscencia probablemente pudo haber sido puesta en evidencia en un globo de azufre en rotación frotado a mano desarrollado en la década de 1660 por Otto von Guericke, un precursor de las máquinas eléctricas de fricción.Жан Пикард обсервоэн 1675 ла луз barométrica, un resplandor verdoso дие aparece en эль espacio vacío де ун barómetro де mercurio cuando se agitaba. [1] ​ Жан Бернулли и Фрэнсис Хоксби, которые следуют принципам сигло XVIII в этом феномене ламадо «ртутный фосфор». [2] ​ Pero fue Henry Joseph Round, queriendo mejorar la amplificación de las señales de radio mientras Experimentaba con distintas sustancias en Detectes de puntas de contacto —detector descubierto por Greenleaf Whittier Pickard—, quien hizo pasar una corriente eléctrica y vio, por primera vez, que ciertos полупроводники, сказки, как el carburo de silício, emitían luz.Esta es la primera vez que se hase mención sobre la electroluminiscencia, el principio básico de los ledes (светоизлучающие диоды ) или diodos emisores de luz. Round, sorprendido por el fenómeno, envió una a a breve nota descriptiva a la revista Electrical World , que se publicó el 9 de febrero de 1907. La nota dice así:

A los Editores de Electrical World:

Durante una Investigacion del paso asimétrico de la corriente a través de un contacto de carburo de silicio (Carborundun) y otras sustancias, un curioso fenómeno fue observado. Aplicando una tensión de 10 V entre dos punto de un cristal de carburo de silicio (SiC), este produjo un resplandor de color amarillento. Solamente Uno de los especímenes produjo un brillante resplandor con esta bajatensión, pero con 110 voltios se encontró una gran cantidad de puntos que producían luz. En algunos cristales sólo las esquinas proporcionaban un resplandor de luz y otros en vez de producirse una luz amarilla se producían de color verde, naranja o azul. En todos los casos comprobados, el resplandor parecía proceder del polo negativo, una brillante chispa azul aparecía en el polo positivo.En un único cristal, si el contacto se hase cerca del centro con el polo negativo y el positivo en cualquier otra parte (de la muestra de carburo de silicio), sólo una sección del cristal resplandecerá.

Parece haber alguna conexión Entre el efecto arriba descrito y la fuerza electromotriz (F.E.M) producida por una unión de carburo de silicio y otro conductor cuando se calientan por medio de una corriente continua o alterna; pero este nexo puede ser únicamente secundario una explicación obvia de la fuerza electromotriz mediante el efecto thermoeléctrico (pila Peltier).
El autor agradecería referencias de otras publicaciones relativas a este fenómeno. Нуэва-Йорк, Нью-Йорк, [3]

Las pruebas de Round, предназначенный для использования в полупроводниковых приборах, предназначенных для основного усиления сигналов радиоприемников, в которых используются рецепторы радиоприемников (радиоприемники галенита), работающие от батарей; Hay Que hacer notar Que en la época de Round no se disponía de amplificadores de radiofrecuencia y aunque Edison había descubierto el fenómeno que lleva su nombre aún se tardarían varios años hasta que se descubriese el diodo y sus aplicaciones а-ля радио. [4]

Véase también[править]

Библиография[править]

Semiconductor — Википедия, свободная энциклопедия

Un полупроводник (аббревиатура, SC ) es un elemento que se comporta o bien como un conductor o bien como un aislante dependiendo de diversos factores, por magno ejemelécemplo: eltrice campo , la presión, la radiación que le incide, o la Temperature del Ambiente en el que se encuentre. [1] Los elementos quimicos semiconductores de la tabla Periodica se indican en la tabla adjunta.

Элементо Группа Электроны и
последний капа
CD 12 2 e
Al, Ga, B, In 13 3 e
Si, C, Ge 14 4 e
P, As, Sb 15 5 e
Se, Te, (S) 16 6 e

El elemento semiconductor más usado es el Silicio, [2] 16 и 15 соответственно (Ga As, P In, As Ga Al, Te Cd, Se Cd y S Cd).Posteriormente se ha comenzado a amplear también el Azufre. La característica común todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electronica s²p².

Los dispositivos semiconductores pueden Presentar una serie de propiedades útiles, como pasar la corriente más facilmente en una dirección que en otra, Mostrar una Resistencia Variable y Ser sensibles a la luz o al calor. Dado Que лас propiedades eléctricas де ип материала полупроводника pueden modificarse mediante эль dopaje о ла aplicación де кампос eléctricos о luz, Лос Dispositivos Fabricados кон полупроводников pueden utilizarse пункт ла amplificación, ла conmutación у ла преобразования энергии.

Проводимость кремния с добавлением асадиэндо уна pequeña cantidad (по заказу от 1 до 10 8 ) пятивалентного атома (антимонио, фосфо или арсенико) или трехвалентного (боро, галио, индио). Este proceso se conoce como dopaje y los semiconductores resultsantes se conocen como semiconductores dopados o extrínsecos. Апарте дель dopaje, ла Conductividad де ип полупроводник puede mejorarse aumentando су температуры. Esto es contrario al comportamiento de un metal en el que la Conductividad disminuye con el aumento de la Temperature.

La comprensión moderna de las propiedades de un semiconductor se basa en la física cuántica para explicar el movimiento de los portadores de carga en una red cristalina. [3] ​ El dopaje aumenta en gran medida el número de portadores de carga dentro del cristal. Cuando un semiconductor dopado huecos libres se denomina typeo p , y cuando contiene electronices libres se conoce como typeo n . Los materiales semiconductores utilizados en los dispositivos electronicos se dopan en condiciones precisas para controlar la concentración y las regiones de los dopantes de tipo p y n.Un solo cristal de dispositivo semiconductor puede tener muchas regiones de typeo p y n ; las uniones p-n entre estas regiones son las responsables del comportamiento electronico útil. Utilizando una sonda de punto caliente, se puede determinar rápidamente si una muestra de semiconductor es de tipo p o n . [4]

Algunas de las propiedades de los materiales semiconductores se observaron a mediados del siglo XIX и en las primeras décadas del siglo XX.La Primera aplicación práctica de los semiconductores en electronica fue el desarrollo en 1904 del детектор фанатиков де Гато, un primitivo diodo semiconductor utilizado en los primeros рецепторы де радио. Los avances de la física cuántica condujeron a su vez a la invención del транзистор в 1947 году, [5] ​ el chaino integrado en 1958 y el MOSFET (транзистор с эффектом металла-оксида-полупроводника) в 1959 году.

Общая информация[править]

  1. Los materiales semiconductores provienen de diferentes grupos de la tabla Periodica, sin embargo, comparten ciertas similitudes.
  2. Las propiedades del material semiconductor están relacionados con sus características atómicas, y cambian de un grupo a otro.
  3. Los Investigadores у лос diseñadores себе aprovechan де Estas diferencias пункт mejorar эль diseño у Elegir эль материал óptimo пункт уна aplicación PV. [6]

Propiedades[править]

Изменяемая электрическая проводимость[править]

Los semiconductores en su estado natural son malos conductores porque una corriente requiere el flujo de electronices, y los semiconductores tienen sus bandas de valencia llenas, impidiendo todo el flujo de nuevos electronices.Varias técnicas desarrolladas позволяет использовать полупроводниковые материалы, которые можно использовать с проводниками, а также с допами или литниками. Estas modificaciones tienen dos resultsados: tipo n y tipo p. Se refieren al exceso o a la escasez de electronics, соответственно. Un número desequilibrado de electronics provocaría el paso de una corriente a través del material. [4]

Гетероюнионы[править]

Разнородные гетеросоединения, произведенные из различных полупроводниковых материалов.Por ejemplo, una configuración podría consir en germanio dopado con p y dopado con n. Esto da lugar un intercambio de electronics huecos entre los materiales semiconductores con diferentes dopajes. El germanio dopado con n tendría ип exceso де электронов у эль germanio dopado con p tendría ип exceso де huecos. La transferencia se производит hasta que se alcanza un quilibrio mediante un proceso llamado recombinación, que hase que los electronices que migran del tipo n entren en contacto con los huecos que migran del tipo p.El resultado де Эсте proceso эс уна estrecha franja де iones inmóviles, дие provoca ип Campo eléctrico través де ла unión[1][4].

Электронные возбуждения[править]

Уна diferencia де потенциального eléctrico в материале полупроводника имеет Que éste заброшенный эль-elquilibrio térmico y Cree уна положение без равновесий. Esto ввести электронов у huecos en el sistema, дие Interactúan mediante ип proceso llamado difusión ambipolar. Siempre дие себе altera эль равновесия térmico ан ип материал полупроводник, cambia эль número де huecos у электронов.Estas alteraciones pueden producirse como resultado de una diferencia de temperature o de fotones, que pueden entrar en el sistema y crear electronices y huecos. El proceso de creación y aniquilación de electronics y huecos se denomina generación y recombinación, recombinación, recombinación[4].

Emision de luz[править]

Полупроводники En ciertos, los electronices excitados pueden relajarse emitiendo luz en lugar de producir calor[5] Estos semiconductores se utilizan en la construcción de diodos emisores de luz y puntos cuánticos fluorescentes.

Альта-кондуктивидад термика[править]

Los semiconductores con alta Conductividad térmica pueden utilizarse para disipar el calor y mejorar la gestion térmica de la electronica[6].

Conversion de energía térmica[править]

Los semiconductores tienen grandes factores de potencia thermoeléctrica que los hacen útiles en los generadores thermoeléctricos, así como altas figuras de mérito thermoeléctricas que los hacen útiles en los refrigeradores thermoeléctricos.[7]

Физика полупроводников[править]

Bandas de energía y conducción eléctrica[править]

Полупроводниковые полупроводники, определенные для единственного соответствия электрической проводимости, в качестве медио-камино между проводниками и проводниками. [7] ​ Las diferencias entre estos materiales pueden entenderse en términos de los estados cuánticos de los electronics, cada uno de los cuales puede contener cero o un electron, por el principio de exclusión de Pauli.Estos estados están asociados a la estructura de banda electronica del material. Электрическая проводимость всплеск debido a la presencia де электронов en estados deslocalizados Que se extienden por el material, sin embargo, para transportar electronices un estado debe estar parcialmente lleno , conteniendo un electron sólo una parte del tiempo. [8] ​ Si el estado está siempre ocupado con un electron, entonces es inerte, bloqueando el paso de otros electronices a través de ese estado.Las energías де estos estados cuánticos сын críticas, я Que ип estado está parcialmente ocupado соло си су energía está cerca дель nivel де Fermi.

La alta Conductividad de Un material se debe a que tiene muchos estados parcialmente llenos y mucha deslocalización de estados. Los metales son buenos conductores eléctricos y tienen muchos estados parcialmente llenos con energías cercanas a su nivel de Fermi. Los aislantes, пор эль contrario, tienen pocos estados parcialmente llenos, sus niveles де Fermi se sitúan dentro де huecos де банда кон pocos estados де energía дие ocupar.Es importante destacar que un aislante puede convertirse en aumentando su temperature: el calentamiento propporciona energía para promover algunos electronices a través dela banda prohibida, induciendo estados parcialmente llenos tanto en la banda de estados por debajo del banda prohibida (banda de valencia) como en la banda de estados por encima de la banda prohibida (banda de conducción). Un полупроводник (intrínseco) tiene уна банда запретить menor Que эль-де-un aislante y, температура окружающей среды, ип número significativo де электронов puede сер excitado пункт cruzar ла банда prohibida. [9]

Грех эмбарго, un semiconductor puro no es muy útil, ya que no es ni un buen aislante ni un buen conductor. Sin эмбарго, una característica важных де лос полупроводников (y de algunos aislantes, conocidos como semiinsuladores) es que su Conductividad puede aumentarse y controlarse mediante el dopaje con impurezas y la activación de campos eléctricos. El dopaje у ла activación mueven ла банда де conducción о де Валенсии mucho más cerca дель nivel де Fermi у aumentan ан гран medida эль número де estados parcialmente llenos.

Полупроводниковые полупроводниковые материалы с номиналом в полуизоляционные . Cuando no están dopados, tienen una conductividad eléctrica más cercana a la de los aislantes eléctricos, pero pueden doparse, lo que los hase tan útiles como los semiconductores. Los semiinsuladores tienen aplicaciones especializadas en microelectrónica, como los sustratos para HEMT. Un ejemplo де semiinsulador común Эс эль arseniuro де Галио. [10] Algunos materiales, como el dióxido de titanio, pueden incluso utilizarse como materiales aislantes para algunas aplicaciones, mientras se tratan como semiconductores de brecha ancha para otras.

Portadores de carga (electrones y huecos)[править]

El llenado parcial de los estados en la parte inferior de la banda de conducción puede entenderse como la adición de electronices a dicha banda. Los electronics no permanecen indefinidamente debido a la recombinación térmica natural, pero pueden desplazarse durante algún tiempo. La concentración real de electronics suele ser muy diluida, por lo que, a diferencia de los metales, es posible pensar en los electronices de la banda de conducción de un semiconductor como una especie de gas perfect clásico, en el que los electronices vuelan libremente sin Estar sujetos аль principio де exclusión де Паули.En la mayoría de los semiconductores, las bandas de conducción tienen una relación de diversión parabólica, por lo que estos electronices responseen a las fuerzas (campo eléctrico, campo magnético и т. д.) de forma muy parecida a como lo harían en el vacío, aunque con una masa efectiva diferente. [9] ​ Dado que los electronices se comportan como un gas perfect, también se puede pensar en la conducción en términos muy simplistas, como el modelo de Drude, e introducir conceptos como la movilidad de los electronices.

Para el llenado parcial en la parte superior de la banda de valencia, es útil introducir el concepto de agujero electronico. Aunque los electronices de la banda de valencia están siempre en movimiento, una banda de valencia completamente llena es inerte, no conduce ninguna corriente. Si se saca ип electron де ла банда де валенсия, ла traceectoria дие normalmente habría seguido эль electron pierde ahora су carga. Пункт лос штрафы де ла corriente eléctrica, эста combinación де ла Banda де валенсии completa, Menos эль Electron, puede convertirse ан уна imagen де уна банда completamente vacía дие contiene уна partícula cargada positivamente дие се mueve де ла misma манера дие эль электрон.Combinado con la masa efectiva negativa de los electronices en la parte Superior de la banda de valencia, llegamos a una imagen de una partícula cargada positivamente que responsee a los campos eléctricos ymagnéticos igual que lo haría una partícula normal cargada positivamente en el vacío, de nuevo con alguna masa efectiva positiva. [9] ​ Esta partícula se llama agujero, y la colección de agujeros en la banda de valencia puede entenderse de nuevo en términos clásicos simples (como con los electronices en la banda de conducción).

Generación de portadores y recombinación[править]

Cuando la radiación ionizante incide en un semiconductor, puede excitar un electron fuera de su nivel de energía y, en consecuencia, dejar un hueco. Este proceso se conoce como Generation de Pares electron-hueco . Los pares electron-hueco también se generan Constantemente a partir de la energía térmica, en ausencia de cualquier fuente de energía externa.

Los pares electron-hueco también son aptos para recombinarse.La conservación de la energía exige que estos eventos de recombinación, en los que un electron pierde una cantidad de energía mayor que la brecha de banda, vayan acompañados de la emisión de energía térmica o de radiación, en ambos casos en forma de fotones).

En algunos estados, la generación y recombinación de pares electron-hueco están enquilibrio. El número де pares electron-hueco ан эль estado estacionario уна tempatura дада está determinado por la mecánica estadística cuántica.Лос mecanismos mecánicos cuánticos precisos де генерации у recombinación себе Риген пор ла conservación де ла energía у ла conservación дель моменто.

Dado que la probabilidad de que los electronices y los huecos se reúnan es proporcional al producto de sus números, el producto es en el estado estacionario casi Constante a una Temperature determinada, siempre que no haya un campo eléctrico significativo, que podría » portadores de ambos tipos, o moverlos desde regiones vecinas que contengan más de ellos para que se reúnan, o una generación de pares impulsada externamente.El producto es una función de la Temperature, ya que la probabilidad de obtener energía térmica para producir un par aumenta con la Temperature, siendo aproximadamente exp(− E G / kT ), donde la es k постоянная де Больцмана, T эс ла абсолютной температуры и E G эс ла запретная группа.

La probabilidad de encuentro se ve incrementada por las Trampas de portadores, impurezas o dislocaciones que pueden atrapar un electron o un agujero y retenerlo hasta que se Complete el par.Эстас трампас де portadores се añaden a veces a propósito пункт reducir эль tiempo necesario пункт alcanzar эль estado estacionario. [11]

Допае[править]

Проводимость полупроводников легко модифицируется, вводя непроницаемость на красный кристалл. El proceso de añadir impurezas controladas un semiconductor se conoce como dopaje . La cantidad de impureza, o dopante, añadida un intrínseco (puro) varia su nivel de Conductividad. [12] ​ Los semiconductores dopados se denominan extrínseco . [13] ​ Añadiendo impurezas a los semiconductores Puros, la Conductividad eléctrica puede variar en factores de Milones de Milones. [14]

Длина 1 см 3 Металл или полупроводник 10 22 атомов. [15] En un metal, cada átomo dona al menos un electron libre para la conducción, por lo que 1 cm que una muestra de 1 cm 3 de germanio pure a 20 °C содержит unos 4,2 10 17 electrones libres en el mismo volumen y la Conductividad eléctrica se incrementa en un factor de 10 000 . [17] [18]

Los materiales elegidos como dopantes adecuados dependen de las propiedades atómicas tanto del dopante como del material a dopar. В целом, los dopantes que producten los cambios controlados deseados se clasifican como aceptantes o donantes.Los semiconductores dopados con impurezas donantes se denominan typeo n , mientras que los dopados con impurezas aceptantes se conocen como typeo p . Las designaciones де типо n y p indican Qué portador де carga actúa como portador mayoritario дель материала. El portador opuesto себе denomina portador minoritario, который существует debido a la exitación térmica en una concentración mucho menor en comparación con el portador mayoritario. [19]

Por ejemplo, эль полупроводник Puro Silicio tiene Cuatro Electronices де Валенсии Que enlazan cada átomo de silicio con sus vecinos. [20] ​ En el silicio, los dopantes más comunes son elementos del grupo III y del grupo V . Todos los elementos del grupo III contienen tres electronics de valencia, por lo que funcionan como aceptores cuando se utilizan para dopar el silicio. Cuando un átomo aceptor sustituye a un átomo de silicio en el cristal, se crea un estado vacante (un «agujero» de electronics), que puede moverse por la red y funcionar como portador de carga. Los elementos del grupo V tienen cinco electronices de valencia, lo que les allowe actuar como donantes; ла sustitución де estos átomos por silicio crea un electron libre adicional.Por lo tanto, un cristal de silicio dopado con boro crea un semiconductor de typeo p, mientras que uno dopado con fósforo da lugar a un material de tipo n. [21]

Durante la factory, los dopantes pueden difundirse en el cuerpo del semiconductor por contacto con compuestos gaseosos del elemento deseado, o bien puede utilizarse la importación de iones para posicionar con precision las regiones dopadas.

Аморфные полупроводники[править]

Algunos materiales, cuando se enfrían rápidamente a un estado amorfo vítreo, tienen propiedades semiconductoras.Entre ellos se encuentran el B, el Si, el Ge, el Se y el Te, y exists múltiples teorías para explicarlos. [22] [23]

Типы полупроводников[править]

Полупроводниковая промышленность

En 1727 Стивен Грей описывает различия между проводниками и проводниками. Después, el 1821, Georg Simon Ohm publica las leyes que llevan su nombre y que descriptionn la proporcionalidad entre la corriente y el voltaje a un conductor y también es posible determinar la Conductividad eléctrica de cualquier objeto.

Внутренние полупроводники[править]

Son los cristales de silicio o germanio que forma una estructura, tetraédrica, аналогичный a la del carbono mediante enlaces enlaces entre sus átomos, en la figurapresentados en el plano por simplicidad.

Cuando el cristal se encuentra a temperature ambiente algunos electronics pueden абсорбер la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando elkorpliente hueco en la banda de valencia. [24] ​ Las energías requeridas, a temperature ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio requivamente.

El proceso inverso también se product, de modo que los electronics pueden caer desde el estado energético корреспонденте в ла банда де кондуччион в уэко ан ла банда де валенсия, либерандо аси энергия. Este fenómeno se conoce como «recombinacion». A una determinada temperature, las velocidades de creación de pares electron-hueco, y de recombinación se igualan, de modo que la concentración global de electronics y huecos permanece Constante.Sea «n» la concentración de electronices (cargas n egativas) и «p» la concentración de huecos (cargas positivas), se cumple entonces que: [24]

n i = n = p

donde n i es la concentración intrínseca полупроводника, исключительная функция температуры и элемента en cuesti. Los electronices y los huecos reciben el nombre de portadores . La densidad о concentración intrínseca де portadores es muy baja. [24]

Ejemplos de valores de n i Температура окружающей среды (27 ºC):

n i (Si) = 1,5 10 10 см -3
n i (Ge) = 2,4 10 13 см -3

En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente eléctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producten dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electronices libres de la banda de conducción, y por otro, la debida al desplazamiento de los electronices en la banda de valencia, que proben a saltar a los huecos próximos, originando una corriente de Huecos кон 4 Capas Ideales у ан ла направление contraria аль Кампо eléctrico cuya velocidad у Magnitud Эс Muy уступает ла-де-ла банда де Conducción.

Внешние полупроводники[править]

Si представляет собой внутренний полупроводник, как передний, с дополнительными свойствами impurezas , разделенными на трехвалентные или пятивалентные элементы, полупроводниковыми, которые имеют внешнее наименование, y se Dice Que está dopado. Las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al cospliente átomo de silicio. [24]

Полупроводниковый тип N[править]
Estructura de bandas de un semiconductor типа N.Los Círculos negros представляют лос-электроны в банда-де-кондуччион (наранха), mientras que los blancos serían los huecos en la banda de valencia (azul). La imagen muestra дие лос электронов сын лос portadores де carga mayoritarios.

Un полупроводниковый тип N , полученный в результате обработки и обработки допадо, añadiendo un cierto typeo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos o electronices ). [25]

Cuando se añade el material dopante, aporta sus electronics más débilmente vinculados to los átomos del semiconductor.Este типо де агента dopante эс también conocido como материала donante , я Que да algunos де сус электронов.

El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electronics portadores en el material. Para ayudar entender cómo себе произвести эль dopaje типо п considerese эль caso дель кремний (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electronices de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla Periodica —p.ej., fosforo (P), arsenico (As) или antimonio (Sb)—, se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electron no enlazado. Este electron extra da como resultado la formacion de «electrones libres», el número de electronics en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los electronics son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios . A causa de que los átomos con cinco electronices de valencia tienen un electron extra que «dar», son llamados átomos donadores.Nótese Que cada electron libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de Cero.

Тип полупроводника p[править]
Estructura de bandas de un semiconductor de typeo P. Лос-черные круги представляют электроны в ла-банда-де-кондуччион (наранха), mientras que los blancos serían los huecos en la banda de valencia (azul). La imagen muestra дие лос huecos сын лос portadores де carga mayoritarios.

Un полупроводниковый тип P , который был получен в качестве кабо ип процесса допадо, añadiendo un cierto typeo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos ). [25]

Cuando se añade el material dopante libera los electronics más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este Agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electron son conocidos como huecos .

El proósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. [26] ​ En el caso del silicio, un átomo tetravalente (típicamente del grupo 14 de la tabla Periodica) se le une un átomo con tres electronics de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla Periodica (ej. Al , Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendra tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrará en condición de aceptar un electron libre.

Así los dopantes crean los «huecos». No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve «expuesto» y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando ип número suficiente де aceptores сына añadidos, лос huecos superan ampliamente ла exitación térmica де лос электронов. Así, los huecos son los portadores mayoritarios , mientras que los electronices son los portadores minoritarios en los materiales tipo P.Los diamantes azules (типо IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor type P que se производят естественным способом.

Ссылки[править]

  1. ↑ Servicio, Staff Editorial de Electrónica y (4 декабря 2014 г.). Электроника и услуги: Базовое технологическое оборудование, аудио и видео . México Digital Comunicación S.A. de C.V. Consultado 10 февраля 2018 года.
  2. ↑ Хиль, Хосе Морено; Минасян, Максимо Ромеро (2009-11). Reglamento de eficiencia energética enstalaciones de alumbrado external : y sus instrucciones Técnicas Additionalarias EA-01 и EA-07 . Редакция Паранинфо. ISBN 9788428332019 . Consultado 10 февраля 2018 года.
  3. ↑ Фейнман, Ричард (1963). Фейнмановские лекции по физике . Основные книги.
  4. ↑ «2.4.7.9 Эксперимент «горячий зонд». ecee.colorado.edu . Consultado эль 27 ноября 2020.
  5. ↑ Шокли, Уильям (1950). Электроны и дырки в полупроводниках: с приложениями к транзисторной электронике . RE Krieger Pub. Компания ISBN 978-0-88275-382-9 .
  6. ↑ «Materiales Semiconductores, PVEducation». www.pveducation.org . Консультация от 2 декабря 2019 года.
  7. ↑ Ю, Питер (2010). Основы полупроводников . Берлин: Springer-Verlag. ISBN 978-3-642-00709-5 .
  8. ↑ Как и в формуле Мотта для проводимости, см. Cutler, M.; Мотт, Н. (1969). «Наблюдение локализации Андерсона в электронном газе». Physical Review 181 (3): 1336. Биб-код: 1969PhRv..181.1336C . doi:10.1103/PhysRev.181.1336 .
  9. A B 9001 C Charles Kittel (1995) Введение в твердую государственную физику , 7 ред. Уайли, ISBN 0-471-11181-3.
  10. ↑ Дж.В. Аллен (1960). «Арсенид галлия как полуизолятор». Природа 187 (4735): 403-05. Биб-код: 1960Natur.187..403A . S2CID 4183332 . doi:10.1038/187403b0 .
  11. ↑ Луи Нашельский, Роберт Л. Бойлестад. Электронные устройства и теория цепей (9-е издание). Индия: Prentice-Hall of India Private Limited. стр. 7–10. ISBN 978-81-203-2967-6 .
  12. ↑ Нав, Р. «Полупроводники допадос». Проконсультируйтесь с 3 мая 2021 года.
  13. ↑ Ю., Рошни. html «Различия между внутренними и внешними полупроводниками». Проконсультируйтесь с 3 мая 2021 года.
  14. ↑ «Урок 6: Внешние полупроводники». Проконсультируйтесь с 3 мая 2021 года.
  15. ↑ html «Problemas generales de celdas unitarias». Проконсультируйтесь с 3 мая 2021 года.
  16. ↑ Нав, Р. physik.uni-wuppertal.de/hyperphysics/hyperphysics/hbase/electric/ohmmic.html «Лей де Ом, микроскопическое зрение». Проконсультируйтесь с 3 мая 2021 года.
  17. ↑ Ван Зегбрук, Барт (2000).htm «Densidades de portadores». Проконсультируйтесь с 3 мая 2021 года.
  18. ↑ «Corte de banda y concentración de portadores (Ge)». Проконсультируйтесь с 3 мая 2021 года.
  19. ↑ «Легирование: n-y p-полупроводники». Проконсультируйтесь с 3 мая 2021 года.
  20. ↑ Неф, Р. «Silicio y Germanio». Проконсультируйтесь с 3 мая 2021 года.
  21. ↑ Хонсберг, Кристиана; Боуден, Стюарт. «Полупроводниковые материалы». Проконсультируйтесь с 3 мая 2021 года.
  22. Аморфные полупроводники 1968 г.
  23. ↑ Халлс, К.; Макмиллан, PW (22 мая 1972 г.). «Полупроводниковые аморфы: пересмотр актуальных теорий». Journal of Physics D: Applied Physics 5 (5): 865-82. дои: 10.1088/0022-3727/5/5/205 .
  24. A B C D Collantes, Даниэль Пардо; Вега, Луис Альберто и Байлон (2006). Цифровые основы электроники .Университет Саламанки. ISBN 9788478004010 . Consultado 10 февраля 2018 года.
  25. a b Servicio, Staff Editorial de Electrónica y (4 декабря 2014 г.). Электроника и услуги: Базовое технологическое оборудование, аудио и видео . México Digital Comunicación S.A. de C.V. Consultado 10 февраля 2018 года.
  26. ↑ Домингес, Эстебан Хосе (7 октября 2011 г.). Componentes eléctricos y electronicos básicos (Systemas de carga y arranque) . Эдитекс. ISBN 97884513 . Consultado el 1 августа 2019 года.

Véase también[править]

Библиография[править]

Enlaces externos[править]

Полупроводники и электроника[править]

светодиодов — Викисловарь

английский[править]

Произношение[править]

Глагол[править]

светодиод

  1. простое прошедшее время и причастие прошедшего времени свинец

Прилагательное[править]

светодиод ( не сопоставим )

  1. Под чьим-то контролем или руководством.
    1. Фермы и т. д.: управляется заместителем вместо собственника или арендатора лично.
Производные термины[править]

Анаграммы


Этимология

Из протобриттского *lled .

Существительное[править]

светодиод   м

  1. размер

Этимология

От праславянского *ledъ .

Произношение[править]

Существительное[править]

светодиод   м , неодушевленный

  1. лед
Склонение[править]
Производные термины[править]

Дополнительная литература[править]

  • во главе Příruční slovník jazyka českého , 1935–1957
  • led in Slovník spisovného jazyka českého , 1960–1971, 1989

Этимология 1[править]

От древнескандинавского liðr , от протогерманского *liþuz , родственного немецкому Glied («сустав»), Lied («песня»).

Произношение[править]
Существительное[править]

led   n ( единственное число определенное leddet , множественное число неопределенное led )

  1. (анатомия) сустав (подвижное соединение между костями в теле или незначительной внешней части тела; также суставы в растении)
  2. звено (подвижная часть вещи или растения)
  3. ссылка, часть (элемент линии мысли или хода событий)
  4. поколение (в родословной)
  5. (грамматическая) фраза (слово или группа слов, функционирующие как единое целое в синтаксисе предложения)
  6. (математика) термин (одно из слагаемых в сумме или в другой математической операции)
Перегиб[править]
Ссылки[править]

Этимология 2[править]

Слияние двух древнескандинавских существительных: 1. leið («дорога, направление»), от протогерманского *laidō , родственного английскому load , lode , немецкому Leite («склон»), голландскому lei («сланец») . 2. hlið   f («бок»), от протогерманского *hliþō , родственно древнеанглийскому hliþ   n .

Произношение[править]
Существительное[править]

led   c ( единственное число определенное ledden , множественное число неопределенное регистр )

  1. сторона, направление (объекта)
    Jeg skar guleroden over på den Lange led .
    Я разрезал морковь вдоль на две части.
  2. способ (делать что-либо)
Перегиб[править]
Ссылки[править]

Этимология 3[править]

От древнескандинавского hliðr , от протогерманского *hlidą , родственно шведскому lid («ворота»), английскому lid , немецкому lid («веко»).

Произношение[править]
Существительное[править]

led   n ( единственное число определенное leddet , множественное число неопределенное led )

  1. ворота (в заборе или на железнодорожном переезде)
Перегиб[править]
Ссылки[править]

Этимология 4[править]

От древнескандинавского leiðr («неудобный, усталый»), протогерманского *laiþaz , родственного английскому loath , немецкому leid («тревожному»), голландскому leed («печальному»)

Произношение[править]
  • МФА (ключ) : /leːˀð/, [ˈleˀð], [ˈleðˀ]
Прилагательное[править]

led ( среднего рода ledt , множественное и определенное единственное число атрибутивные lede )

  1. отвратительный, одиозный, омерзительный
  2. противный, чудовищный
Перегиб[править]
Перегиб светодиод
Положительный Сравнительный Превосходная степень
Общее единственное число светодиод ледер ledest 2
Средний род единственного числа светодиод ледер ledest 2
Множественное число светодиод ледер ledest 2
Определенный атрибут 1 светодиод ледер ледесте
1) Когда прилагательное применяется предикативно к чему-то определенному, используется соответствующая «неопределенная» форма.
2) «Неопределенная» превосходная степень не может использоваться атрибутивно.
Ссылки[править]

Этимология 5

См. этимологию соответствующей формы леммы.

Произношение[править]
  • МФА (ключ) : /leːˀð/, [ˈleˀð], [ˈleðˀ]
Глагол[править]

светодиод

  1. прошедшее время lide

Этимология 6[править]

См. этимологию соответствующей формы леммы.

Произношение[править]
  • МФА (ключ) : /leːˀð/, [ˈleˀð], [ˈleðˀ]
Глагол[править]

светодиод

  1. императив lede

Альтернативные формы[править]

Произношение[править]

Сокращение[править]

светодиод ( запускает lenition )

  1. (Мюнстер) Сокращение le do («с вашим sg »).
    Брюй привел mhéar é.
    Нажмите пальцем.
Связанные термины[править]

ирландские сокращения предлога

Основная форма Контракт с Связочные формы
и sg ») na pl ») мес («мой») до («ваш») a («его, ее, их; который (настоящее)») или («наш») ar («который (прошлое)») (перед согласной) (настоящее/будущее перед гласной) (прошедшее/условное перед гласной)
де («от») ден де на
десна*
демо
дем*
от
отд*, отд*
дб из дар дарб дарбх
делать («для») до до на
дона*
до
дом*
делать делать
точка*, точка*
дб из дар дарб дарбх
faoi («под, около») фаоин faoi na фаой мо фаой до фаоина фаойнар фойнар фаоинарb фаоинарбх
фара («вместе с, рядом») справедливый Fairis na фара мо фара до Фарана фаранар фаранар фаранарб фаранарбх
я («в») сб, сан снА я мо
я*
я делаю
id*, это*
и инар инар инарб инарбх
ле («с») лея леев на ле мо
лем*
ле до
светодиод *, пусть*
Лена Ленар Ленар ленарб ленарбх
— («от, с») на или
или
— мо
— м*
— до
— д*, от*
или номер или или номер óнарбх
trí («через») и три на три мо три до трина тринар тринар тринарб тринарбх
*Диалект.

Дополнительная литература[править]


Среднеанглийский[править]

Альтернативные формы[править]

Этимология

Из древнеанглийского lēad , из прото-западногерманского *laud , из галльского *laudon , из прото-кельтского *ɸloudom .

Произношение[править]

Существительное[править]

светодиод ( неисчисляемый )

  1. свинец (элемент Pl)
  2. Котел (первоначально из свинца)
Связанные термины[править]
Потомки[править]
Ссылки[править]

Норвежский букмол[править]

Этимология 1[править]

Альтернативные формы[править]
Глагол[править]

светодиод

  1. простое прошлое lide

Этимология 2[править]

Глагол[править]

светодиод

  1. императив lede

Норвежский нюнорск[править]

Этимология 1[править]

Из древнескандинавского liðr   m , [1] из протогерманского *liþuz .Дублет ledd n , хотя ранее считался альтернативной формой. Родственные языки включают исландский liður , датский led , голландский lid и диалектный английский lith .

Альтернативные формы[править]
Существительное[править]

LED M M ( Определенные сингулярные LEDEN , INDENITE NELUL IDER или LEDAR , определенный множественный LEDELE или LEDANE )

  1. (анатомия) сустав или прилегающая к нему подвижная часть тела
  2. отдельная часть в целом, особенно последовательность
    1. звено (в цепи)
    2. поколение
Производные термины[править]
Связанные термины[править]

Этимология 2[править]

Из древнескандинавского hlið   n , [1] из протогерманского *hlidą .Сродни английской крышке . В конечном счете коренится в протоиндоевропейском корне *ḱley- («укрывать, укрывать»).

Альтернативные формы[править]
Существительное[править]

led   n ( определенное единственное число ledet , неопределенное множественное число led , 0 определенное число led

74 7a
    0 определенное множественное число)

    1. ворота
    2. отверстие в заборе
    Производные термины[править]

    Этимология 3[править]

    Из древнескандинавского hlið   f . [1]

    Альтернативные формы[править]
    Существительное[править]

    led   f ( определенное единственное число leda , неопределенное множественное число leder , определенное множественное число ledene )

    1. сторона
    Производные термины[править]

    Этимология 4[править]

    От английского LED («светоизлучающий диод»). [1]

    Существительное[править]

    led   m ( определенное единственное число led-en , неопределенное множественное число led-ar , определенное множественное число led-4 )

    1. Альтернативная буквенная форма LED

    Этимология 5[править]

    См. этимологию соответствующей формы леммы.

    Глагол[править]

    светодиод

    1. настоящее время leda и lede

    Ссылки[править]

    Анаграммы


    Португальский[править]

    Существительное[править]

    светодиод м ( множественное число светодиоды )

    1. Альтернативное написание LED

    Румынский[править]

    Этимология

    С английского Светодиод .

    Существительное[править]

    led   n ( во множественном числе leduri )

    1. Светодиод
    Склонение[править]

    сербохорватский[править]

    Этимология

    От праславянского *ledъ .

    Произношение[править]

    Существительное[править]

    lȇd   m ( Кириллическое написание ле̑д )

    1. лед
    2. сильная фригидность, мороз
    3. град
    4. ледяное растение ( Mesembryanthemum crystallinum )
    5. (образно) бесчувственность, бессердечие
    6. (образно) состояние обездвиженности от страха, сомнения или удивления
    Склонение[править]
    Синонимы[править]
    Производные термины[править]

    Ссылки[править]

    • Перо Будмани, редактор (1898-1903), «вел», в Rječnik hrvatskoga ili srpskoga jezika (на сербско-хорватском), том 5, Загреб: JAZU, стр. 948
    • «вело» на портале Hrvatski jezični

    Словенский[править]

    Этимология

    От праславянского *ledъ .

    Произношение[править]

    Существительное[править]

    lẹ̑d   м   инан

    1. лед
    Перегиб[править]
    Муж. inan., твердая о-основа, подвижное ударение
    Именительный падеж светодиод
    родительный падеж леду
    единственное число
    Именительный падеж светодиод
    винительный светодиод
    родительный падеж леду
    дательный леди
    местный леди
    инструментальный Ледом
    Муж. инан., жесткий о-стержень
    Именительный падеж светодиод
    родительный падеж Леда
    единственное число
    Именительный падеж светодиод
    винительный светодиод
    родительный падеж Леда
    дательный леди
    местный леди
    инструментальный Ледом

    Дополнительная литература[править]

    • «водить», в Slovarji Inštituta za slovenski jezik Frana Ramovša ZRC SAZU , портал Fran

    Испанский[править]

    Существительное[править]

    светодиод   m ( во множественном числе светодиод )

    1. Светодиод

    Дополнительная литература[править]


    Шведский[править]

    Произношение[править]

    Этимология 1[править]

    Из древнешведского lēþer , из древнескандинавского leiðr , из протогерманского *laiþaz , из протоиндоевропейского *h₂leyt-.

    Прилагательное[править]

    светодиод

    1. устал; скучно
    2. (архаичный) отвратительный, отталкивающий, омерзительный; зло
    Примечания по использованию[править]

    Второе значение до сих пор используется в выражении den lede frestaren или просто lede как имени Дьявола.

    Склонение[править]
    Синонимы[править]

    Этимология 2[править]

    Из древнешведского liþer , из древнескандинавского liðr , из протогерманского *liþuz .

    Существительное[править]

    светодиод   c

    1. соединение; часть конечности, где она может сгибаться; например, колено или запястье; фаланга
      1. любое механическое соединение, в котором две части должны двигаться (изгибаться) относительно друг друга
    Склонение[править]

    Этимология 3[править]

    Из древнешведского liþ . То же происхождение, что и предыдущее, но с альтернативным грамматическим родом (ср. древнеанглийское liþ   n ).

    Существительное[править]

    светодиод   n

    1. Очередь; ряд людей
    2. (математика) семестр
      хёгерледет
      правая сторона; что находится в правой части равенства
    3. этап
      Этт светодиод я процессен
      Стадия процесса
    Склонение[править]

    Этимология 4[править]

    Из древнешведского lēþ , из древнескандинавского leið , из протогерманского *laidō .

    Существительное[править]

    светодиод   c

    1. (транспорт) дорожка, путь или путь, по которым можно ходить пешком, ездить на велосипеде или на автомобиле
    Склонение[править]
    Производные термины[править]

    Этимология 5

    См. этимологию соответствующей формы леммы.

    Глагол[править]

    светодиод

    1. прошедшее время лида .
    2. императив леды.

    Анаграммы[править]


    Произношение[править]

    Прилагательное[править]

    светодиод

    1. Мягкая мутация lled .

    Мутация[править]


    Западноботнийский[править]

    Этимология

    Из древнескандинавского hlið   n .

    Произношение[править]

    Существительное[править]

    led   n ( определенное единственное число lede , дательный падеж leden , определенное множественное число leda )

    1. ворота
    2. работают в определенном порядке или раунде, на который приглашаются прихожане (имеющие право голоса на приходском собрании)

    Что такое светодиодные светильники Википедии? – Джанет Паник.ком

    Что такое светодиодные фонари из Википедии?

    Светоизлучающий диод (LED) представляет собой полупроводниковое устройство, излучающее свет из электричества. Светодиоды служат долго и не ломаются (по сравнению с лампами накаливания). Они могут производить множество различных цветов. Они эффективны – большая часть энергии превращается в свет, а не в тепло.

    Как работают светодиодные фонари?

    Светодиодная лампа излучает свет, пропуская электрический ток через полупроводниковый материал — диод, который затем испускает фотоны (свет) по принципу электролюминесценции.Пусть вас не пугает это громкое слово! Электрическое сопротивление нити заставляет ее нагреваться настолько, что она светится, излучая свет.

    Каковы преимущества светодиодных фонарей?

    Вот некоторые преимущества светодиодных светильников:

    • Долгий срок службы.
    • Энергоэффективность.
    • Улучшенные экологические показатели.
    • Способность работать в холодных условиях.
    • Без теплового или УФ-излучения.
    • Гибкость конструкции.
    • Мгновенное освещение и способность выдерживать частые переключения.
    • Работа при низком напряжении.

    Кто изобрел светодиод?

    Николай Холоньяк
    Олег Лосев
    Светодиод/Изобретатели

    В следующем году, в 1962 году, Ник Холоньяк-младший («Отец светоизлучающих диодов») изобрел первый светодиод, излучающий видимый красный свет, работая в General Electric. На протяжении 1960-х годов исследователи и инженеры продолжали экспериментировать с полупроводниками с целью создания более эффективных светодиодов.

    Где используются светодиоды?

    Видимые светодиоды используются во многих электронных устройствах в качестве контрольных ламп, в автомобилях в качестве задних оконных и стоп-сигналов, а также на рекламных щитах и ​​вывесках в качестве буквенно-цифровых дисплеев или даже полноцветных плакатов.

    Почему мы должны использовать светодиодные фонари?

    Светодиод

    отличается высокой энергоэффективностью: меньше тепла, больше света, меньше затрат. Используйте меньше электроэнергии для того же светового потока — на 85 % меньше электроэнергии по сравнению с обычным освещением и примерно на 18 % меньше электроэнергии по сравнению с КЛЛ. Светодиод может оказать большое влияние на потребление энергии.

    Для чего нужен светодиодный свет?

    Светодиодная светотерапия

    — это популярное неинвазивное средство для лечения прыщей, солнечных повреждений, ран и других проблем с кожей. Люди могут выбрать терапию светодиодным светом в кабинете дерматолога или использовать устройство дома.

    Какого цвета был первый светодиод?

    красный
    Первые светодиоды видимого света имели низкую интенсивность и ограничивались красным цветом. Ранние светодиоды часто использовались в качестве индикаторных ламп, заменяя небольшие лампы накаливания, и в семисегментных дисплеях.

    Что такое светодиодные фонари из Википедии? – Greedhead.net

    Что такое светодиодные фонари из Википедии?

    Светоизлучающий диод (LED) представляет собой полупроводниковое устройство, излучающее свет из электричества.Светодиоды служат долго и не ломаются (по сравнению с лампами накаливания). Они могут производить множество различных цветов. Они эффективны – большая часть энергии превращается в свет, а не в тепло.

    Что особенного в светодиодных светильниках?

    Светодиоды

    не содержат агрессивных химикатов и не излучают УФ-лучи. Светодиодные фонари также на 100% подлежат вторичной переработке и могут значительно снизить выбросы углекислого газа. Благодаря тому, что одна светодиодная лампа способна выполнять работу примерно 25 ламп накаливания за свой срок службы, светодиодные лампы также помогают сэкономить на материалах и производстве.

    Как работают светодиодные фонари?

    Светодиодная лампа излучает свет, пропуская электрический ток через полупроводниковый материал — диод, который затем испускает фотоны (свет) по принципу электролюминесценции. Пусть вас не пугает это громкое слово! Электрическое сопротивление нити заставляет ее нагреваться настолько, что она светится, излучая свет.

    Как производится светодиод?

    Материалы для светодиодов Светодиод означает светоизлучающий диод. Поэтому светодиодные фонари состоят из маленьких диодов.Каждый диод создан из полупроводникового материала. Эта разница в электронных уровнях позволяет электронам перемещаться из одного слоя в другой, создавая свет посредством упомянутого выше электронного возбуждения.

    Каковы три преимущества светодиодов?

    Светодиоды

    чрезвычайно энергоэффективны и потребляют до 90% меньше энергии, чем лампы накаливания. Поскольку светодиоды используют лишь часть энергии лампы накаливания, затраты на электроэнергию резко снижаются. Кроме того, благодаря длительному сроку службы светодиодов экономятся деньги и энергия на затратах на техническое обслуживание и замену.

    Где используются светодиоды?

    Видимые светодиоды используются во многих электронных устройствах в качестве контрольных ламп, в автомобилях в качестве задних оконных и стоп-сигналов, а также на рекламных щитах и ​​вывесках в качестве буквенно-цифровых дисплеев или даже полноцветных плакатов.

    НАСА изобрело светодиодные фонари?

    По словам доктора Рэя Уилера, руководителя отдела жизнеобеспечения в Инженерном управлении, идея использования светодиодных ламп для выращивания растений возникла в НАСА еще в конце 1980-х годов.

    Какого цвета был первый светодиод?

    красный
    Первые светодиоды видимого света имели низкую интенсивность и ограничивались красным цветом. Ранние светодиоды часто использовались в качестве индикаторных ламп, заменяя небольшие лампы накаливания, и в семисегментных дисплеях.

    Как долго служат светодиодные лампы?

    Как долго служат светодиоды? Светодиоды отличаются чрезвычайно долгим сроком службы. Многие светодиоды имеют номинальный срок службы до 50 000 часов. Это примерно в 50 раз больше, чем у обычной лампы накаливания, в 20-25 раз больше, чем у типичной галогенной лампы, и в 8-10 раз больше, чем у типичной КЛЛ.

    Какова история светодиодных фонарей?

    История светодиодной лампочки. Светодиод – это светоизлучающий диод. Электролюминесценция как явление, открытое в 1907 году британским экспериментом HJ Round в Marconi Labs. Его эксперимент с использованием кристалла карбида кремния и детектора кошачьих усов.

    Какие существуют типы светодиодных фонарей?

    Светодиоды высокой яркости: Светодиоды высокой яркости, HBLED, представляют собой тип неорганических светодиодов, которые начинают использоваться для освещения.Этот тип светодиода по сути такой же, как и основной неорганический светодиод, но имеет гораздо большую светоотдачу.

    Каковы преимущества использования светодиодных ламп?

    Светодиодное освещение

    часто используется в фонарях на солнечных батареях, что делает их более эффективными и выгодными. Они отлично справляются с этой задачей, потому что рассчитаны на длительный срок службы. Светодиодное освещение более эффективно. Одним из основных преимуществ светодиодного освещения является его более высокая эффективность.

    Хороши ли светодиодные фонари?

    Например, светодиодные фонари стали доступны для наружного освещения, а также для рождественского освещения внутри помещений.Самым большим преимуществом использования уличных светодиодных светильников является то, что они устойчивы к атмосферным воздействиям и не повреждаются дождем. Поскольку они настолько прочны и долговечны, замена лампы требуется редко.

    Удочка — Terraria Wiki

    Удочка Источник Рыбалка
    Сила
    Скорость Продать Редкость Примечания Снаряд
    Создан
    Деревянная удочкаВнутренний ID предмета: 2289 8 ( @  ) 5% 9 60 00* Поплавок (дерево)Внутренний ID снаряда: 360
    Усиленная удочкаВнутренний ID предмета: 2291 8 ( @  /  ) 15% 11 24 00* Поплавок (усиленный) Внутренний ID снаряда: 361
    Ловец душКод внутреннего предмета: 2293 8 ( @  /  ) 20% 13 240 01* Поплавок (Fisher of Souls)Внутренний ID снаряда: 363
    Плотолов Внутренний ID предмета: 2421 8 ( @  /  ) 22% 13.5 312 01* Поплавок (Fleshcatcher) Внутренний ID снаряда: 381
    Удочка скарабея Внутренний номер предмета: 4442
    30%
    25%
    15 2 01* Поплавок (скарабей)Внутренний ID снаряда: 775
    Chum Caster ID внутреннего предмета: 4325
    25% 15 2 02*
    • Удваивает шанс выловить врагов во время Кровавой Луны.
    Поплавок (Кровавый)Внутренний ID снаряда: 760
    Удочка из стекловолокна Внутренний ID предмета: 2292


    30%
    27%
    14 1 02* Поплавок (стекловолокно)Внутренний ID снаряда: 362
    Жезл механикаВнутренний ID предмета: 2295
    • Механик (20)
    35%
    30%
    15 4 02*
    • Продается только при наличии Рыболова.
    • Продается в следующие фазы луны:    
    • Продается в сложном режиме во время убывающей луны
    Поплавок (Механик)Внутренний ID снаряда: 365
    Удочка сидящей утки Внутренний идентификатор предмета: 2296
    • Коммерсант (35)
    40% 16 7 02*
    • Продается только после победы над Скелетроном.
    Поплавок (Сидящая утка) ID внутреннего снаряда: 366
    Рыболовный крючок HotlineВнутренний ID предмета: 2422 1/75 шанс получить в сложном режиме у рыболова после 25 квестов 45% 16,5 10 03*
    • Можно ловить рыбу в лаве.
    • Можно получить только в сложном режиме, но квесты, выполненные до этого, также учитываются.
    Поплавок (Горячая линия) Внутренний ID снаряда: 382
    Золотая удочкаКод внутреннего предмета: 2294 Награда рыболова после ровно 30 / 50 квестов или 0.4* 1/250 (0,4%) шанс после 75 квестов 50% 17 20 03* Поплавок (Золотой) Внутренний снаряд ID: 364

    Память дня: Английская экспедиция в Египет под руководством Александра Маккензи-Фрейзера прибыла в Розетту в 1807 году

    Английская экспедиция в Египет под руководством Александра Маккензи-Фрейзера прибывает в Розетту в 1807 году — wikipedia

    КАИР, 30 марта 2022 г.: В следующих строках ET проливает свет на самые важные мировые события, произошедшие 30 марта.

    818 г. — Отъезд тысяч андалузцев из Кордовы после провала их революции против правления принца Аль-Хакама бин Хишама, который угнетал революционеров, разрушал их дома и переселял их в Андалусию, поэтому группа из них, насчитывающая примерно 15 тысяч направились в Египет. Затем они покинули Египет и перебрались на остров Крит в 212 году хиджры, где основали эмират Акришт, который просуществовал около века и трети.

    1282 г. — Народ Сицилии восстает против капетингов Анжуйских и короля Карла I Неаполитанского, что стало известно как Сицилийская вечерня.

    1807 — Английская экспедиция в Египет во главе с Александром Маккензи-Фрейзером прибывает в Розетту.

    1814 — Великобритания входит в Париж с остальными союзниками после поражения Наполеона Бонапарта.

    1842 г. — американский врач Кроуфорд Лонг впервые применяет анестезию при хирургических операциях.

    1858 — Султан Бахадур-шах отстранен от власти в Индии. Он был последним султаном Исламского государства, правившего Индией. С его изоляцией исламское правление в Индии закончилось после восьми с половиной столетий.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.