Site Loader

Содержание

обратный ток — это… Что такое обратный ток?

  • ОБРАТНЫЙ ТОК — электр. ток, возвращающийся к своему источнику. Технический железнодорожный словарь. М.: Государственное транспортное железнодорожное издательство. Н. Н. Васильев, О. Н. Исаакян, Н. О. Рогинский, Я. Б. Смолянский, В. А. Сокович, Т. С. Хачатуров.… …   Технический железнодорожный словарь

  • обратный ток — — [В.А.Семенов. Англо русский словарь по релейной защите] Тематики релейная защита EN back current …   Справочник технического переводчика

  • обратный ток — atgalinė srovė statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. back current; inverse current; reverse current vok. Gegenstrom, m; Rückstrom, m; Sperstrom, m rus. обратный ток, m pranc. contre courant, m; courant de retour, m; courant inverse, m …   Automatikos terminų žodynas

  • обратный ток — atgalinė srovė statusas T sritis chemija apibrėžtis Srovė, atsirandanti esant atgalinei įtampai.

    atitikmenys: angl. back current; inverse current; reverse current rus. обратный ток …   Chemijos terminų aiškinamasis žodynas

  • обратный ток — atgalinė srovė statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. back current; inverse current; reverse current vok. Gegenstrom, m; Rückstrom, m rus. обратный ток, m pranc. courant de retour, m; courant inverse, m …   Fizikos terminų žodynas

  • обратный ток электрода электровакуумного прибора — обратный ток электрода Ток, протекающий от данного электрода, исключая катод, через междуэлектродное пространство электровакуумного прибора. [ГОСТ 13820 77] Тематики электровакуумные приборы Синонимы обратный ток электрода …   Справочник технического переводчика

  • обратный ток коллектор-эмиттер — Ндп. начальный ток коллектора ток коллектора закрытого транзистора Ток в цепи коллектор эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор эмиттер. Обозначение IКЭ Примечание При разомкнутом выводе базы IКЭО, ICEO; при коротко замкнутых выводах… …   Справочник технического переводчика

  • обратный ток восстановления тиристора — Обратный ток тиристора, протекающий во время обратного восстановления. Обозначение Iвос,обр Irr [ГОСТ 20332 84] Тематики полупроводниковые приборы EN reverse recovery current FR courant de recouvrement inverse …   Справочник технического переводчика

  • обратный ток базы — Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор эмиттер и эмиттер база. Обозначение IБЕХ IBEX [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN base cut off current DE Basis Emitter Reststrom FR courant résiduel de la base …   Справочник технического переводчика

  • обратный ток диода — Ток, протекающий через диод, обусловленный обратным напряжением. [ГОСТ 25529 82] Тематики полупроводниковые приборы …   Справочник технического переводчика

  • обратный ток коллектора — Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор база и разомкнутом выводе эмиттера. Обозначение IКБО ICBO [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN collector cut off current DE Kollektorreststrom (bei offenem …   Справочник технического переводчика

  • ТОК ОБРАТНЫЙ — это.

    .. Что такое ТОК ОБРАТНЫЙ?
  • ток — ((continuous) current carrying capacity ampacity (US)): Максимальное значение электрического тока, который может протекать длительно по проводнику, устройству или аппарату при определенных условиях без превышения определенного значения их… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • обратный ток электрода электровакуумного прибора — обратный ток электрода Ток, протекающий от данного электрода, исключая катод, через междуэлектродное пространство электровакуумного прибора. [ГОСТ 13820 77] Тематики электровакуумные приборы Синонимы обратный ток электрода …   Справочник технического переводчика

  • обратный ток коллектор-эмиттер — Ндп. начальный ток коллектора ток коллектора закрытого транзистора Ток в цепи коллектор эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор эмиттер. Обозначение IКЭ Примечание При разомкнутом выводе базы IКЭО, ICEO; при коротко замкнутых выводах… …   Справочник технического переводчика

  • обратный ток восстановления тиристора — Обратный ток тиристора, протекающий во время обратного восстановления. Обозначение Iвос,обр Irr [ГОСТ 20332 84] Тематики полупроводниковые приборы EN reverse recovery current FR courant de recouvrement inverse …   Справочник технического переводчика

  • ОБРАТНЫЙ ТОК — электр. ток, возвращающийся к своему источнику. Технический железнодорожный словарь. М.: Государственное транспортное железнодорожное издательство. Н. Н. Васильев, О. Н. Исаакян, Н. О. Рогинский, Я. Б. Смолянский, В. А. Сокович, Т. С. Хачатуров.… …   Технический железнодорожный словарь

  • обратный импульсный ток управления тиристора — Импульсный ток управления тиристора, соответствующий импульсному обратному напряжению управления тиристора. Обозначение Iу,обр,и IRGM [ГОСТ 20332 84] Тематики полупроводниковые приборы EN peak reverse gate current FR courant inverse de pointe de… …   Справочник технического переводчика

  • обратный постоянный ток управления тиристора — Постоянный ток управления тиристора, соответствующий постоянному обратному напряжению управления тиристора. Обозначение Iу,обр IRG [ГОСТ 20332 84] Тематики полупроводниковые приборы EN reverse gate continuous (direct) current FR courant inverse… …   Справочник технического переводчика

  • обратный ток базы — Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор эмиттер и эмиттер база. Обозначение IБЕХ IBEX [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN base cut off current DE Basis Emitter Reststrom FR courant résiduel de la base …   Справочник технического переводчика

  • обратный ток диода — Ток, протекающий через диод, обусловленный обратным напряжением. [ГОСТ 25529 82] Тематики полупроводниковые приборы …   Справочник технического переводчика

  • обратный ток коллектора

    — Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор база и разомкнутом выводе эмиттера. Обозначение IКБО ICBO [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN collector cut off current DE Kollektorreststrom (bei offenem …   Справочник технического переводчика

  • Применение реверсивного (обратного) тока в гальванических процессах

    Реверсивный ток в гальванике применяют для улучшения свойств покрытий, повышения равномерности покрытия, для интенсификации и ускорения процесса осаждения металла. Под реверсивным током понимают такой постоянный ток, полярность которого периодически изменяется по заданному закону, а электрохимический процесс при этом не прерывается. Это позволяет сократить длительность процесса, улучшить качество металлического осадка, увеличить плотность тока и снизить концентрацию положительно активных веществ в электролите. Процесс осаждения металлов на реверсивном токе не может быть применен для всех электролитов, однако для некоторых кислых и особенно щелочных электролитов он эффективен. К числу процессов, которые получили широкое промышленное применение, и в которых применение реверсивного тока оправдано, следует отнести: хромирование, меднение, серебрение, кадмирование, цинкование, латунирование и золочение в цианистых электролитах, а также меднение в кислом электролите. Получены положительные результаты при железнении реверсивным током. В промышленном масштабе положительное воздействие реверсивного тока проверено на процессах рафинирования меди, электролитического выделения цинка.

    Установлено, что при одинаковых средних скоростях осаждения металла электролиз реверсивным током, сопровождается более высокой концентрационной поляризацией, чем электролиз постоянным током. Такие приемы, как прерывание тока, наложение переменного тока на постоянный, реверсивный ток, дают возможность при постоянных условиях электролиза регулировать качество осадка по его характеру и структуре из-за снятия диффузионных ограничений. Исследования показали, что периодическое изменение направления тока (реверсивный ток) при электроосаждении металлов по своей значимости в интенсификации процессов и в улучшении качества покрытий зачастую превосходит любой из перечисленных выше факторов. Как показывает практика, гальванопластика – это длительный процесс, достигающий иногда трех-четырех, а иногда и более суток. Результаты многих исследований в этих направлениях оказались очень ценными для гальванотехники и реверсирование тока при электроосаждении металлов получает все более широкое применение в гальванических цехах.

    • Хромирование
      . Реверсирование применяют при осаждении как обычных, так и пористых осадков хрома. При реверсивном токе к изложенным явлениям перерыва процесса добавляется кратковременное анодное травление растущего хромового покрытия. В результате этого усиливается сглаживание покрытия, так как не только прекращается рост кристаллов хрома (дендритов), но происходит растворение активных точек кристаллизации и выступающих над поверхностью начальных шишкообразований. Наряду с этим возможно уменьшение наводороживания покрытия за счет окисления при анодной поляризации водорода, максимальная концентрация которого сосредоточена в тонком поверхностном слое покрытия. Электролиз с применением реверсивного тока обеспечивает также меньшую пористость покрытия. Хромирование реверсивным током не изменяет усталостную прочность стали. При реверсивном токе на сталях низкой прочности хромирование значительно меньше снижает предел усталостной прочности по сравнению с хромированием на постоянном токе. Для высокопрочных сталей реверсирование тока заметно не влияет на предел усталостной прочности после хромирования.
    • Меднение. Лучшие результаты при осаждении предварительного слоя меди можно получить, применяя реверсивный ток. При электролизе реверсивным током в приэлектродном пространстве происходит процесс выравнивания концентрации разряжающихся ионов за счет растворения осадка и диффузии объема раствора. Повышение в приэлектродном слое концентрации разряжающихся ионов приводит к снижению концентрационной поляризации, в результате чего оказывается возможным увеличить рабочую плотность тока и тем самым в какой-то мере компенсировать снижение средней скорости осаждения металла за счет растворения осадка.
    • Борирование. Процесс электролизного борирования в 1,5 — 2 раза интенсифицирует применение реверсивного тока, при котором насыщаемое изделие служит попеременно то катодом, то анодом. Увеличение глубины слоя при электролизе реверсивным током объясняется повышением концентрации бора на поверхности катода. Это происходит в результате снижения катодной поляризации, что позволяет повысить плотность тока и увеличить выход бора по току.
    • Серебрение. Скорость осаждения серебра и качество серебряных покрытий можно значительно повысить, применяя реверсивный ток. Реверс при серебрении дает более плотный осадок и сразу получается металлический цвет с блеском, а также при применении реверсивного тока можно в 1,5 раза увеличить плотность тока, что в свою очередь уменьшит время покрытия. Применение реверсного тока позволяет в начальной стадии затормозить процесс роста дендритов (шишкообразований) на поверхности детали, т.к. реверсный (обратный) ток в первую очередь снимает бугорки, выравнивая и сглаживая поверхность детали.
    • Электрополирование алюминия. Среди других разнообразных областей применения электролитического полирования вместо механического следует отметить электрополирование алюминия с применением реверсивного тока для получения зеркальной поверхности на алюминиевых рефлекторах.
    • Никелирование. Для получения блестящих осадков никеля из обычных электролитов при плотности 10A/дм2 рекомендуется применение реверсивного тока.
    • Обработка поверхности. Для ускорения процесса окисления поверхностно-структурного графита иногда пропускают через соляную ванну реверсивный электрический ток, при этом обрабатываемое изделие служит одним из электродов, а вторым электродом является металлический тигель. Наличие реверсивного тока позволяет получить изделие после обработки без слоя окислов на поверхности. Обычно для окисления поверхностного графита достаточно 10 — 15 мин нахождения чугунного изделия в соляной ванне. При этом следует иметь в виду, что излишняя выдержка изделия в соляной ванне приводит к ухудшению последующего лужения.

    Скорость осаждения покрытий только постоянным током сравнительно невелика. Применение реверсивного тока и ультразвука позволяет в значительной мере ускорить процесс получения покрытий. При этом улучшается качество покрытия и повышается блеск без применения блескообразующих добавок, которые создают внутренние напряжения в покрытии, увеличивают их хрупкость и не обеспечивают достаточно высоких защитных свойств покрытия. Покрытия, получаемые с использованием реверсивного токаи и ультразвука, обладают повышенной стойкостью к потускнению

    Просмотров: 7582

    Отзывы о статье: 0 (читать все отзывы о статье, добавить отзыв о статье)

    Добавить отзыв

    Дата: 14.04.2014

    » />

    Защитите свою систему от обратного тока — Управление питанием — Технические статьи

    В какой-то момент при работе с электроникой вы неизбежно почувствовали безошибочный запах горящего кремния. Вот что обратный ток может сделать с вашей системой. Обратный ток — это событие, при котором ток течет в направлении, противоположном тому, в котором он должен проходить через систему, из-за высокого напряжения обратного смещения; от выхода к входу. К счастью, есть несколько способов защитить вашу систему от обратного тока.Это первый блог из серии о защите от обратного тока, в котором будет представлен общий обзор существующих решений.

     

    Причины

    Наиболее распространенной причиной обратного тока, напряжения обратного смещения, является более высокое напряжение на выходе, чем на входе, что приводит к тому, что ток проходит через вашу систему в направлении, противоположном предполагаемому. Это можно увидеть ниже на рисунке 1.

    Рисунок 1: Обратный ток

    Это может произойти из-за того, что внезапно V IN становится равным нулю из-за потери мощности, в результате чего на выходе системы остается более высокое напряжение, чем на входе.Или, возможно, Power MUX случайно вызвал событие обратного напряжения.

     

    Как это предотвратить?

    Обратный ток потенциально может повредить как внутреннюю схему, так и источники питания, например батареи. На самом деле даже кабели могут быть повреждены, а разъемы деградировать. Вот почему все сгорает, потому что большие токи приводят к экспоненциальному росту рассеиваемой мощности.

    Защита требует поддержания обратного тока на очень низком уровне.Это означает ограничение обратного напряжения. Существует три распространенных способа защиты от обратного тока: разработка системы с использованием диодов, полевых транзисторов или переключателей нагрузки.

     

    Диоды

    Между диодами и полевыми транзисторами диоды стоят дешевле и их проще интегрировать. Они отлично подходят для высоковольтных, слаботочных приложений. Однако, если вы когда-либо использовали диод, вы наверняка знакомы с падением напряжения в прямом направлении, которое он вызывает, что сокращает срок службы батареи и ограничивает V CC примерно на 0.6-0,8 В. Это падение напряжения может снизить эффективность силовой схемы и увеличить общую рассеиваемую мощность в системе.

    По этим причинам диод Шоттки является популярной альтернативой; они имеют более низкие прямые падения напряжения. Но они также дороже и имеют большую утечку обратного тока, что может вызвать проблемы в системе. На рис. 2 показан диод, используемый в системе для блокировки обратного тока.

    Рисунок 2: Диодная защита от обратного тока

    Полевые транзисторы

    Полевые транзисторы

    полезны благодаря низкому падению напряжения в прямом направлении и высокой пропускной способности по току, что полезно, когда необходимо поддерживать более низкое рассеивание мощности. Для полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (NMOS) N-типа, установленного на пути заземления, вы ориентируете внутренний диод в направлении нормального протекания тока. Таким образом, если кто-то неправильно установит батарею, напряжение затвора будет низким, что не позволит полевым транзисторам включиться. Однако, когда батарея установлена ​​правильно, напряжение на затворе высокое, и его канал замыкается на землю.

    Вы также можете установить полевые транзисторы вплотную друг к другу, чтобы блокировать ток в обоих направлениях, когда полевые транзисторы выключены. По сравнению с диодным решением падение напряжения от источника питания к нагрузке меньше, но эта реализация занимает больше места на плате.На рис. 3 показан пример полевых транзисторов, используемых для блокировки обратного тока.

    Рис. 3. Блокировка обратного тока с помощью двойных полевых транзисторов

    Выключатели нагрузки

    Выключатели нагрузки

    TI представляют собой встроенные электронные реле, используемые для включения и выключения шин питания. Большинство основных переключателей нагрузки состоят из четырех контактов: входное напряжение, выходное напряжение, включение и заземление, и включают в себя множество функций, включая защиту от обратного тока, в небольшом интегрированном корпусе.На рис. 4 показан переключатель нагрузки, используемый для блокировки обратного тока.

    Рисунок 4: Защита от обратного тока выключателя нагрузки 

    Например, переключатель нагрузки TPS22963 3A от Texas Instruments включает в себя защиту от обратного тока и многое другое, и все это в корпусе размером 1,4 мм x 0,9 мм. На рис. 5 показано типичное размещение TPS22963 в системе.

    Рисунок 5: Переключатель нагрузки TPS22963

    Обратный ток может быть вызван несколькими причинами, будь то внезапная потеря V IN или авария при мультиплексировании питания.Это может привести к повреждению системы или даже повреждению блока питания. Выключатели нагрузки TI могут быть компактным и экономичным решением для управления обратным током.

    Дополнительные ресурсы:

    Узнайте больше о решениях TI для выключателей нагрузки с защитой от обратного тока.

    Читайте в блоге: Что такое переключатель нагрузки?

      

    Изучение поведения ненасыщенных обратных вольт-амперных характеристик в диодах Ni/SiO2/p-Si/Al

    Так как металл-полупроводник (M-S) и металл-изолятор-полупроводник (МДП) или металл- оксидно-полупроводниковые (МОП) переходы являются наиболее основными и широко используемыми компонентами электронных схем [[1], [2], [3], [4], [5], [6], [7], [8]. ], [9], [10], [11]], поэтому детальное понимание этих структур со всех возможных точек зрения жизненно важно для повышения производительности, надежности и стабильности электронных устройств.Одним из основных факторов, влияющих на полезность этих компонентов в цепях, являются проблемы с высоким током утечки [12,13]. На сегодняшний день МОП-диоды на основе SiO 2 являются наиболее простыми и практичными МОП-структурами. Однако строгое масштабирование электронных устройств снизило полезность SiO 2 в качестве диэлектрика затвора из-за проблем с высоким током утечки, когда толщина SiO 2 уменьшилась до менее 2 нм [1,5,14]. Одна из возможных причин высокого тока утечки связана с генерацией дефекта в процессе роста или металлизацией контактов [10,15,16].

    Существует несколько моделей анализа переноса заряда в МОП-структурах устройств. Среди этих моделей хорошо известны и широко используются для интерпретации экспериментальных позволяет оценить различные важные параметры, такие как значение диэлектрической проницаемости, эффективная масса электрона и энергия активации, связанная с состояниями ловушки [[17], [18], [19], [20], [21], [22]].

    Томар и др. исследовал перенос тока в контактах Шоттки Gr/SiC, Gr/GaAS и Gr/Si с обратным смещением в диапазоне температур 250–340 K с использованием механизмов PFE и SE [23]. Джаббари и др. исследованы токи утечки в гетероструктурах (Pd/Au)/Al 0,22 Ga 0,78 N/GaN [24]. Они обнаружили доказательства PFE в диапазоне температур 200–300 K и механизмов транспорта FNT в диапазоне температур 60–300 K для изготовленных структур. Кумар и др. изготовили Al/ZrO 2 / p -Si/Al с использованием метода синтеза в растворе и изучили транспортные свойства с использованием различных моделей при комнатной температуре [25]. Гуклю и др. изучали вольт-амперные характеристики обратного смещения для структур Au/Ti/Al 2 O 3 / n -GaAS в диапазоне температур 80–300 К. Они сообщили, что туннелирование с помощью ловушки и омическая проводимость механизмы были доминирующими механизмами в этих структурах [26].

    Большинство исследований, рассмотренных в обзоре, были сосредоточены на анализе характеристик прямого смещения ток-напряжение-температура структур типа МОП, в то время как исследованию поведения обратного тока при ненасыщении в этих структурах посвящено относительно меньше сообщений.Таким образом, настоящая работа представляет собой попытку исследовать поведение обратного тока без насыщения в структурах Ni/SiO 2 / p -Si/Al в диапазоне низких температур 70–300 К с шагом 10 К с использованием хорошо известных модели т.е. PFE, SE и FNT текущих транспортных механизмов.

    Что такое обратный ток в диоде? – Restaurantnorman.com

    Что такое обратный ток в диоде?

    Очень небольшой ток, протекающий через диод, когда диод находится в состоянии обратного смещения, называется обратным током диода. Обратный ток насыщения германиевого диода порядка микроампер.

    Что такое обратный ток в p-n переходе?

    Обратный ток в PN-переходе Когда p-n-переход подключен к батарее таким образом, что его область n-типа связана с положительным потенциалом батареи, а область p-типа связана с отрицательным потенциалом батареи, Говорят, что p-n переход находится в состоянии обратного смещения.

    Как реверсирование диода влияет на ток?

    В стандартном диоде прямое смещение происходит, когда напряжение на диоде допускает естественное протекание тока, тогда как обратное смещение означает напряжение на диоде в противоположном направлении.Однако напряжение, присутствующее на диоде во время обратного смещения, не создает значительного протекания тока.

    Что произойдет при обратном смещении PN-диода?

    Он обеспечивает низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление при обратном смещении. Когда PN-переход смещен в обратном направлении, высота барьера увеличивается, а электроны и дырки удаляются от обедненной области перехода.

    Какая польза от обратного тока?

    Когда напряжение на выходе системы больше, чем на входе, ток течет от выхода к входу через цепь.Этот ток известен как обратный ток. Это увеличивает рассеиваемую мощность в цепи. Это может привести к повреждению внутренней схемы, схемы источника питания, кабелей и разъемов.

    Почему возникает обратный ток?

    Обратный ток возникает, когда на выходе системы напряжение выше, чем на входе, что приводит к обратному протеканию тока через систему. Отрицательное напряжение, приложенное к диоду, имеет тенденцию притягивать образовавшиеся таким образом дырки и отталкивать электроны.

    Что вызывает обратный ток?

    Ток меняется на противоположный, когда вы подключаете аккумулятор к компоненту в обратном направлении или с неправильной полярностью.Он посылает ток в противоположном направлении, в котором он должен проходить по цепи, что может привести к внутреннему повреждению. Другой причиной обратного тока являются случайные короткие замыкания.

    Как обратный ток насыщения в диоде с p-n переходом зависит от температуры?

    Обратный ток насыщения (IS) диода увеличивается с повышением температуры, повышение составляет 7%/ºC как для германия, так и для кремния и примерно удваивается на каждые 10ºC повышения температуры. Напряжение барьера также зависит от температуры и уменьшается на 2 мВ/ºC для германия и кремния.

    Когда диод с p-n-переходом смещен в обратном направлении, протекание тока через переход происходит в основном из-за?

    Объяснение: Когда p-n переход смещен в обратном направлении, ток возникает из-за дрейфа неосновных носителей заряда через переход.

    Ток течет в обратном направлении?

    Диод — это устройство, позволяющее току течь только в одном направлении. Когда применяется так называемое прямое смещение (напряжение в «прямом» направлении), ток свободно протекает через устройство.Когда напряжение подается в противоположном направлении (так называемое обратное смещение), ток не течет.

    Как вы контролируете обратный ток?

    Существует три распространенных способа защиты от обратного тока: диоды, полевые транзисторы и переключатели нагрузки. Диоды отлично подходят для высоковольтных слаботочных приложений. Однако диоды вызывают падение напряжения в прямом направлении, что увеличивает общую рассеиваемую мощность в системе и ограничивает VCC на 0,6–0,8 В.

    Что такое обратный ток в цепи?

    Схема защиты от обратного тока останавливает обратный ток от контакта VOUT к контакту VDD, когда VOUT становится выше, чем VIN.Обычно регулятор LDO, использующий выходной транзистор Pch, содержит паразитный диод между контактами VDD и VOUT. Следовательно, это может предотвратить падение напряжения и ток утечки.

    Каково влияние напряжения обратного смещения на диод с p-n переходом?

    Эти положительные ионы на p-n переходе (n-сторона) препятствуют потоку положительных носителей заряда (дырок) с p-стороны. Если обратное смещенное напряжение, приложенное к диоду с p-n-переходом, еще больше увеличить, то еще большее количество свободных электронов и дырок будет оттягиваться от p-n-перехода.

    Что является источником тока в p-n диоде?

    Ток в p-n-диоде возникает из-за рекомбинации или генерации носителей где-то внутри структуры p-n-диода. При прямом смещении ток диода обусловлен рекомбинацией.

    Что такое обратное насыщение диода?

    Слово насыщение означает, что обратный ток нельзя увеличить, увеличив обратное смещение на диоде. Но она увеличивается с повышением температуры. Обратный ток насыщения составляет порядка наноампер (нА) для кремния и микроампер (VLA) для германиевого PN-перехода.

    Когда диод смещен в прямом направлении, присутствует дрейфовый ток?

    Когда диод смещен в прямом направлении, дрейфовый ток присутствует, но поскольку диффузионный ток растет экспоненциально, он преобладает. Полный ток, протекающий через обедненную область при прямом смещении, в основном состоит из диффузии большинства носителей. Когда диод смещен в обратном направлении